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集成智能——第1部分:EMI管理

  •   智能集成電機驅動(dòng)器和無(wú)刷直流(BLDC)電機可以幫助電動(dòng)汽車(chē)和新一代汽車(chē)變得更具吸引力、更可行及更可靠?! D1所示為集成電機驅動(dòng)器結合驅動(dòng)電機所需的一切要素,如場(chǎng)效應晶體管(FET)、柵極驅動(dòng)器和狀態(tài)機。集成避免了電線(xiàn)從電子控制單元(ECU)到電機的布線(xiàn)距離過(guò)長(cháng),并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統成本的優(yōu)點(diǎn)?! LDC電機在汽車(chē)應用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長(cháng)的電機壽命和電池壽命、更安靜的車(chē)內體驗以及更好的EMI性能?! D1:智能集成BLDC電機驅動(dòng)器  集成智能系列博
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使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

  • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
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如何保護你的系統不受反向電流的影響

  • 如何保護你的系統不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時(shí),你有時(shí)候不可避免地會(huì )聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現了高反向偏置電壓,系統中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠對現有解決方案有高層次的總體認識和了解。
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揭開(kāi)電池管理系統的神秘面紗

  • 揭開(kāi)電池管理系統的神秘面紗-現在的電子設備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色,電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展,并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車(chē)、無(wú)線(xiàn)揚聲器在內的廣泛產(chǎn)品。近年來(lái),電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現大幅改善。試想一下汽車(chē)電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動(dòng)汽車(chē)。隨著(zhù)技術(shù)的最新進(jìn)展,你可以改用鋰離子電池來(lái)迅速啟動(dòng)汽車(chē),其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
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如何設計防反接保護電路?

  • 如何設計防反接保護電路?-利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性,控制電路的導通和斷開(kāi)來(lái)設計防反接保護電路,由于功率MOS管的內阻很小,解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
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揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

  • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開(kāi)關(guān)電源設備中,MOS管的特性、寄生參數和散熱條件都會(huì )對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數對電源設計工程師至關(guān)重要。
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MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰

  • 隨著(zhù)集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展,為了提高集成電路的集成度,同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不斷縮小,MOS器件面臨一系列的挑戰。
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拯救EMI輻射超標,開(kāi)關(guān)電源能做點(diǎn)啥?

  • 作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉換裝置,開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強度較大;干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對于數字電路干擾源的位置較為清楚;開(kāi)關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數兆赫茲),主要的干擾形式是傳導干擾和近場(chǎng)干擾;而印刷線(xiàn)路板(PCB)走線(xiàn)通常采用手工布線(xiàn),具有更大的隨意性,這增加了PCB分布
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DC-DC電路當中同步與非同步的差異講解

  • 在開(kāi)關(guān)電源電路設計當中,電流的轉換分為很多種。其中直流轉換是較常見(jiàn)的一種設計。通常稱(chēng)為DC-DC轉換,是指將一個(gè)電壓值轉化為另一個(gè)電壓值電能的裝置。直流轉換設計在開(kāi)關(guān)電源當中非常常見(jiàn),也是新手接觸比較多一種電路設計,本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區別。
  • 關(guān)鍵字: DC-DC  MOS  同步  開(kāi)關(guān)電源  非同步  

為IC設計減少天線(xiàn)效應

  • 如同摩爾定律所述,數十年來(lái),芯片的密度和速度正呈指數級成長(cháng)。眾所周知,這種高速成長(cháng)的趨勢總有一天會(huì )結束,只是不知道當這一刻來(lái)臨時(shí),芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展,芯片密度不斷增加,而閘級氧化層寬度不斷減少,超大規模集成電路(VLSI)中常見(jiàn)的多種效應變得原來(lái)越重要且難以控制,天線(xiàn)效應便是其中之一。
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FET知識:采用結型FET實(shí)現的放大電路經(jīng)典案例

  •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過(guò)電容連接,以構成CR的連接方式。此時(shí),為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來(lái)提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結型FET放大電路也有多種接地方式?! ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反?! ET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
  • 關(guān)鍵字: FET  放大電路  

使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

  • 該電路采用衰減場(chǎng)效應晶體管(FET)分流信號到地面。這個(gè)R2是用來(lái)控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來(lái)源的電壓信號來(lái)控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負面的信號電壓會(huì )(你可以用DAC采用對稱(chēng)與供電系統)。使用FET...
  • 關(guān)鍵字: FET  壓控衰減器  

單片機設計注意要點(diǎn)

  • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn):采用低的晶振和總線(xiàn)頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿(mǎn)足時(shí)序的要求,這樣單片機的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì )更小。
  • 關(guān)鍵字: 單片機  FET  穿通電流  工作頻率  

學(xué)好嵌入式系統電路入門(mén)之——二極管/晶體管/FET

  •   導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導體   硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數量,并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱(chēng)為半導體。        根據電流流動(dòng)的構造,可將半導體分為N型和P型兩類(lèi)。   半導體的電流流通原理   (1) N型半導體   圖1是在硅晶
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