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面向USB PD 3.1應用,EPC新推基于eGaN IC的高功率密度、薄型DC/DC轉換器參考設計
- EPC推出EPC9177，這是一種基于eGaN?IC的高功率密度、薄型DC/DC轉換器參考設計，可滿(mǎn)足新型USB PD 3.1對多端口充電器和主板上從28 V~48 V輸入電壓轉換至12 V或20 V輸出電壓的嚴格要求。宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC9177，這是一款數字控制、單輸出同步降壓轉換器參考設計，工作在?720 kHz 開(kāi)關(guān)頻率，可轉換?48 V、36 V、28 V至穩壓12 V輸出電壓，并提供可高達20 A的連續輸出電流。這款小面積（21mm?x 13m
- 關(guān)鍵字： USB PD 3.1 EPC eGaN DC/DC轉換器
宜普電源轉換公司（EPC）于CES 2020展覽展示基于氮化鎵技術(shù)的應用
- 宜普電源轉換公司（EPC）將在2020年1月7日至10日，于美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展（CES 2020）為工程師展示eGaN技術(shù)的龐大潛力，它可以推動(dòng)多種消費電子應用的發(fā)展，從而改變市場(chǎng)的游戲規則，包括全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、機器人、無(wú)人機、無(wú)線(xiàn)電源、世界第一流的音頻系統及車(chē)載解決方案。于CES 2020 展覽，歡迎蒞臨Venetian酒店內的EPC演示套房，與氮化鎵專(zhuān)家一起參觀(guān)、學(xué)習及討論氮化鎵技術(shù)如何推動(dòng)改變世界的創(chuàng )新設計的發(fā)展。無(wú)線(xiàn)電源在家居的應用：EPC將展示在家居使用的無(wú)線(xiàn)充電桌面同時(shí)對多個(gè)消
- 關(guān)鍵字： eGaN EPC
車(chē)規級80 V EPC2214 eGaN?FET 使得激光雷達系統看得更清晰
- 宜普電源轉換公司（EPC）宣布再多一個(gè)車(chē)用氮化鎵(eGaN)器件（80 V的EPC2214）成功通過(guò)AEC Q101測試認證，可在車(chē)用及其它嚴峻環(huán)境支持多種全新應用?；诘墸╡GaN）技術(shù)的產(chǎn)品已進(jìn)行量產(chǎn)超過(guò)9年，累計了數十億小時(shí)的實(shí)際汽車(chē)應用經(jīng)驗，包括全自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達及雷達系統、應用于數據中心計算機的48 V–12 V DC/DC轉換器、具有超高保真度的信息娛樂(lè )系統及高強度的貨車(chē)頭燈等應用。這些全新器件已經(jīng)通過(guò)嚴格的AEC Q101測試認證，隨后會(huì )推出更多面向嚴峻的車(chē)用環(huán)境的分立晶體管及集成
- 關(guān)鍵字： EPC eGaN 80 V的EPC2214
宜普電源轉換公司（EPC）第十階段可靠性測試報告的亮點(diǎn) 是車(chē)規級氮化鎵器件超越AEC-Q101應力測試的認證標準
- 宜普電源轉換公司(EPC)發(fā)布第十階段可靠性測試報告，成功通過(guò)車(chē)規級AEC-Q101應力測試認證。AEC-Q101認證要求功率場(chǎng)效應晶體管符合最高的可靠性標準，不僅僅要求器件符合數據表內所載的條件而沒(méi)有發(fā)生故障，也同時(shí)要求在應力測試中，具有低漂移。請注意，EPC所采用的晶圓級芯片規模封裝(WLCSP)也符合所有針對傳統封裝的測試標準，展示出該封裝具備卓越性能之同時(shí)沒(méi)有影響到器件的穩固性或可靠性?！ 〉谑A段可靠性測試報告探討了超越AEC-Q101認證要求的可靠性測試，從而深入了解可導致器件發(fā)生故障的各
- 關(guān)鍵字： EPC eGaN
宜普電源轉換公司（EPC）于CES? 2019展覽展示
- EPC公司將于2019年1月8日至11日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2019)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現兩種改變業(yè)界游戲規則的消費電子應用 -- 分別是無(wú)線(xiàn)電源及應用于全自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達(LiDAR)?！ 〉竭_位于Venetian酒店的EPC Palazzo hospitality suite后，嘉賓將會(huì )進(jìn)入一個(gè)無(wú)線(xiàn)充電世界。你將看到家居用的無(wú)線(xiàn)電源桌面對各種消費電子用品充電，并傳送足夠的功率，同時(shí)對電腦、桌燈、鬧鐘、掌上型電腦、手機及便攜裝置進(jìn)行充電而不需要任何電源
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 eGaN
EPC公司于PCIM Asia 2017與工程師進(jìn)行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無(wú)線(xiàn)充電應用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓撲結構
- 宜普電源轉換公司(EPC)是硅基增強型氮化鎵場(chǎng)效應晶體管及集成電路的領(lǐng)先供應商，基于eGaN?FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個(gè)功率放大器，而在接收端無(wú)論是采用什么標準，也可以實(shí)現無(wú)線(xiàn)充電?！ ∥覀冋\摯邀請工程師蒞臨中國上海，出席于2017年6月28日(星期三)上午11時(shí)在上海世博展覽館B2層2號會(huì )議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(huì )(電力轉換與智能運動(dòng)研討會(huì ))。屆時(shí)EPC公司的應用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高
- 關(guān)鍵字： EPC eGaN
專(zhuān)為符合A4WP Rezence標準的無(wú)線(xiàn)電源傳送應用而設的EPC eGaN功率集成電路在效率及成本方面樹(shù)立全新基準
- 全新EPC2107及EPC2108 eGaN功率集成電路包含單片半橋式器件及集成式自舉功能，專(zhuān)為符合無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟(A4WP)第二及第三級規范的解決方案而設。此外，為了讓客戶(hù)容易對氮化鎵元件進(jìn)行評估，我們也提供開(kāi)發(fā)板及包含發(fā)射器及接收器的無(wú)線(xiàn)電源傳送解決方案。 近日，宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出內含集成式自舉功能的場(chǎng)效應晶體管的eGaN半橋功率集成電路 EPC2107(100 V)及EPC2108 (60 V)。該集成電路去除了由柵極驅動(dòng)器所引致的反向恢復損耗，也不需高側箝位。這是首次在eG
- 關(guān)鍵字： EPC2107 eGaN
EPC瞄準氮化鎵功率器件市場(chǎng)興起機遇
- 功率器件一直都是由材料引導技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應用多年，現在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰，而解決這一問(wèn)題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 宜普電源轉換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來(lái)數年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過(guò)百億美元的功率轉換市場(chǎng)份額。 增強型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
- 關(guān)鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406
eGaN FET比拼MOSFET，驅動(dòng)器和布局
- 在本系列的第一篇文章中，我們使用不同的衡量標準對增強型氮化鎵（eGaN）功率器件和先進(jìn)的硅MOSFET進(jìn)行了比較...
- 關(guān)鍵字： eGaN FETMOSFET 硅功率產(chǎn)品 驅動(dòng)器
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