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高手詳解，MOS及MOS驅動(dòng)電路基礎總結
- 在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。 下面是我對MOS及MOS驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅動(dòng)以及應用電路。 MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
- 關(guān)鍵字： MOS MOS驅動(dòng)電路
恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國公司
- 半導體行業(yè)的重組還在繼續。恩智浦半導體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營(yíng)分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導體等產(chǎn)品的標準產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)出售給中國的投資公司(英文發(fā)布資料)。 標準產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門(mén)2015年財年的銷(xiāo)售額為12億美元，約占恩智浦總銷(xiāo)售額(61億美元)的2成。該部門(mén)約有員工1.1萬(wàn)名，約為恩智浦總員工數量(4.5萬(wàn))的2.5成。 出售金額約為27.5億美元，購買(mǎi)方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
- 關(guān)鍵字： 恩智浦 MOS
【E問(wèn)E答】MOS管為什么會(huì )被靜電擊穿？
- MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！ §o電放電形成
- 關(guān)鍵字： MOS 擊穿
一種簡(jiǎn)單的防短路的保護方法
- 前段時(shí)間開(kāi)發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿(mǎn)負載時(shí)基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個(gè)PWM信號控制MOS管，從而按要求調整工作電流。我們知道MOS管導通時(shí)內阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來(lái)說(shuō)是一種效果不錯的器件?！ ‰m然MOS管導通內阻非常小，但所流過(guò)的電流也有最大限制，如果電流過(guò)大，比如外接負載短路，同樣會(huì )被燒毀。短路都是非正常工
- 關(guān)鍵字： 防短路 MOS
場(chǎng)效應晶體管的幾點(diǎn)使用知識
- 我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來(lái)說(shuō)對晶體場(chǎng)效應管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應管有其獨特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應晶體管的種類(lèi)很多，根據結構不同分為結型場(chǎng)效應管和絕緣柵型場(chǎng)效應管;絕緣柵型場(chǎng)效應管又稱(chēng)為金屬氧化物導體場(chǎng)效應管，或簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應管. 1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應管擊穿 由于絕緣柵場(chǎng)效應管的輸入阻抗非常高，這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感應出來(lái)的
- 關(guān)鍵字： 場(chǎng)效應晶體管 MOS
宜普電源轉換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過(guò)170億小時(shí)測試器件的可靠性的現場(chǎng)數據，結果表明器件的失效率很低
- EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非?？煽?，為工程師提供可信賴(lài)及可 替代采用傳統硅基器件的解決方案?！ ∫似针娫崔D換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過(guò)170億器件-小時(shí)的測試后的現場(chǎng)數據的分布結果，以及提供在累計超過(guò)700萬(wàn)器件-小時(shí)的應力測試后的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現場(chǎng)數據。這個(gè)數值與我們直至目前為止所取得
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 FET
TI推出業(yè)界首款100V高壓側FET驅動(dòng)器可驅動(dòng)高電壓電池
- 近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動(dòng)器。該驅動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅動(dòng)能量存儲系統，以及電機驅動(dòng)型應用中常用電池里的高壓側N溝道充放電FET，包括無(wú)人機、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)等等。如需了解更多詳情，敬請訪(fǎng)問(wèn)：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。 電感性
- 關(guān)鍵字： TI FET
深度分析MOS場(chǎng)效應管在消費類(lèi)電子中的電路設計
- 當我們還是學(xué)生的時(shí)候，不論從做題還是原理分析上,通常會(huì )重點(diǎn)學(xué)習NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計算、動(dòng)態(tài)信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會(huì )草草帶過(guò)，沒(méi)有那么深入的分析和了解，一般都會(huì )說(shuō)MOS管和三極管的不同就是一個(gè)是電壓控制，一個(gè)是電流控制，一個(gè)Ri大，一個(gè)Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實(shí)戰的角度進(jìn)行MOS場(chǎng)效應管的分析?！ ∈紫任覀儊?lái)看下經(jīng)常使用的增強型mos場(chǎng)效應管：N溝道和P溝道mos場(chǎng)效應管?！ ≡谙M類(lèi)電子設計中由于對功耗要求比較嚴格，通常使用N溝道和P溝道MOS
- 關(guān)鍵字： MOS 場(chǎng)效應管
怎樣正確使用MOS 集成電路
- 所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡(luò )進(jìn)行保護，雖然如此，器件內的保護網(wǎng)絡(luò )還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實(shí)驗指出，在高電壓放電時(shí)器件會(huì )失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
- 關(guān)鍵字： MOS 集成電路
到底什么是fmax講解
- 簡(jiǎn)介： 今天一個(gè)剛剛入行的朋友找到我說(shuō)，他的老板給了他一個(gè)MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后，他還問(wèn)到怎么才能加大這個(gè)fmax~~想到自己也曾千辛萬(wàn)苦的琢磨這個(gè)參數，就寫(xiě)個(gè)短短的文章說(shuō)一下fmax到底是什么和哪些參數有關(guān)。 這兩個(gè)頻率都是晶體管的重要參數，無(wú)論BJT還是MOS，也決定了將來(lái)電路能工作到的最大頻率(當然這個(gè)最大頻率是絕對不可能到fmax和ft的)。這兩個(gè)頻率其實(shí)離得不遠，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來(lái)定義的，fmax是用最大功率增益來(lái)定義的，千萬(wàn)別弄混了哦。下圖是一
- 關(guān)鍵字： MOS fmax
一種簡(jiǎn)單的防短路保護方法
- 簡(jiǎn)介：注釋?zhuān)红o電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個(gè)概念，不要混淆在一起。 前段時(shí)間開(kāi)發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿(mǎn)負載時(shí)基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個(gè)PWM信號控制MOS管，從而按要求調整工作電流。我們知道MOS管導通時(shí)內阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來(lái)說(shuō)是一種效果不錯的器件。 雖然MOS管導通內阻非常小，但所流過(guò)的電
- 關(guān)鍵字： 靜電損壞 MOS
低待機功耗電源方案選擇
- 歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應對呢?下面給你解決此問(wèn)題的電源供電方案。 2009年1月6日，歐盟電子類(lèi)產(chǎn)品待/關(guān)機模式之EuP能耗指令執行措施已正式生效，其生態(tài)化設計要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設計管理委員會(huì )批準的工作草案相同。廠(chǎng)商需在2010年1月6日前達到第一階段的要求，2013年1月6日達到第二階段要求。 圖1 Eup圖標 我們來(lái)了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求， 1、產(chǎn)品在關(guān)機或待機
- 關(guān)鍵字： MOS AC-DC
詳解LED PWM調光技術(shù)及設計注意點(diǎn)
- 無(wú)論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線(xiàn)性穩壓器驅動(dòng)，連接每一個(gè)驅動(dòng)電路最常見(jiàn)的線(xiàn)程就是須要控制光的輸出?，F今僅有很少數的應用只需要開(kāi)和關(guān)的簡(jiǎn)單功能，絕大多數都需要從0～100%去微調亮度。目前，針對亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線(xiàn)性調節LED的電流(模擬調光)或在肉眼無(wú)法察覺(jué)的高頻下，讓驅動(dòng)電流從0到目標電流值之間來(lái)回切換(數字調光)。利用脈沖寬度調變(PWM)來(lái)設定循環(huán)和工作周期可能是實(shí)現數字調光的最簡(jiǎn)單的方法，原因是相同的技術(shù)可以用來(lái)控制大部分的開(kāi)關(guān)轉換器。 PWM調光能調配準確色光
- 關(guān)鍵字： PWM FET
怎樣用最小的代價(jià)降低MOS的失效率？
- 【前言】在高端MOS的柵極驅動(dòng)電路中，自舉電路因技術(shù)簡(jiǎn)單、成本低廉得到了廣泛的應用。然而在實(shí)際應用中，MOS常莫名其妙的失效，有時(shí)還伴隨著(zhù)驅動(dòng)IC的損壞。如何破?一個(gè)合適的電阻就可搞定問(wèn)題。 【問(wèn)題分析】 上圖為典型的半橋自舉驅動(dòng)電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過(guò)低端二極管進(jìn)行續流，導致VS端產(chǎn)生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負壓會(huì )把驅動(dòng)的電位拉到負電位，導致驅動(dòng)電路異常，還可能讓自舉電容過(guò)充電
- 關(guān)鍵字： MOS SCR
場(chǎng)效應管工作原理- -場(chǎng)效應管工作原理也瘋狂
- 一、場(chǎng)效應管的工作原理- -概念 場(chǎng)效應管(FET)是場(chǎng)效應晶體管(field-effect transistor)的簡(jiǎn)稱(chēng)，由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，也稱(chēng)為單極性場(chǎng)效應管，是一種常見(jiàn)的利用輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場(chǎng)效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字： 場(chǎng)效應管 MOS JFET 場(chǎng)效應管工作原理
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對mos—fet的理解，并與今后在此搜索mos—fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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