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高增益高線(xiàn)性度CMOS偶次諧波混頻器設計

　　混頻器是無(wú)線(xiàn)收發(fā)機中的核心模塊，對整個(gè)系統的性能具有很大影響。線(xiàn)性度、轉換增益是衡量一個(gè)混頻器性能的重要指標。　　在接收機中，混頻器具有一定的轉換增益可以降低混頻器后面各級模塊設計的難度，有利于提高系統噪聲性能和靈敏度。線(xiàn)性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著(zhù)現代通訊系統對性能要求越來(lái)越高，無(wú)論是應用于接收機系統的下變頻器(本文指的混頻器) ，還是應用于發(fā)射機系統中的上變頻器都要求具有較高的線(xiàn)性度。因此設計具有高增益和高線(xiàn)性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點(diǎn)。　　在CMOS電路設
關(guān)鍵字： MOS 諧波混頻器

你造嗎？四大MOSFET實(shí)用技巧

　　MOSFET是一個(gè)時(shí)代產(chǎn)物,隨著(zhù)MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現，它的開(kāi)關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩定性好等等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為工程師們的首選。　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問(wèn)起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說(shuō)幾個(gè)關(guān)于MOSFET的技巧的幾個(gè)實(shí)用技巧的事情。　　為了把問(wèn)題說(shuō)的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
關(guān)鍵字： MOSFET MOS

分立器件的創(chuàng )新這樣體現在性能、效率、成本和交貨的完美契合

　　在人們的印象中，東芝NAND Flash(閃存)享譽(yù)世界。其實(shí)，東芝的分立器件也在市場(chǎng)上占有重要位置。　　
關(guān)鍵字：東芝 LED 晶圓 MOS 分立器 201411

CMOS電路ESD保護結構設計

　　1　引　言　　靜電放電會(huì )給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著(zhù)集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿(mǎn)足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設計者主要考慮的問(wèn)題。　　2　ESD保護原理　　ESD保護電路的設計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
關(guān)鍵字： CMOS ESD MOS

LED驅動(dòng)設計小Tips：不可不知的5大關(guān)鍵點(diǎn)

　　1、芯片發(fā)熱　　這主要針對內置電源調制器的高壓驅動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會(huì )引起芯片的發(fā)熱。驅動(dòng)芯片的最大電流來(lái)自于驅動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的
關(guān)鍵字： LED MOS 變壓器

基于場(chǎng)效應管的功率放大器設計

摘要：用場(chǎng)效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類(lèi)，后級采用甲乙類(lèi)推挽放大技術(shù)。實(shí)驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽(tīng)音效果來(lái)看，末級電流200mA是理想值。前后級間耦合電容對聽(tīng)音影響較大，要求質(zhì)量高些。對于音頻功率放大器而言，最好聽(tīng)的莫過(guò)于甲類(lèi)放大器。根據頻率分析的結果，由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類(lèi)放大器，后級采用甲乙類(lèi)功率放大器?這樣既兼顧聽(tīng)音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據
關(guān)鍵字： FET 場(chǎng)效應管功率放大器

一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡(jiǎn)介

因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設備。由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì )遠低于現有標準，于是采用襯底驅動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開(kāi)。襯底驅動(dòng)MOS晶體管的原理類(lèi)似于結型場(chǎng)效應晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
關(guān)鍵字： MOS CMOS

用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設計的幾種方法

隨著(zhù)城市快節奏的發(fā)展，大多數人擁有自己的車(chē)，這也使得交通變得擁堵，而汽車(chē)在高峰期的走走停停會(huì )耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進(jìn)了汽車(chē)系統中的“啟停”功能，但是這種系統也給汽車(chē)電子帶來(lái)了一些獨特的工程技術(shù)挑戰，汽車(chē)啟停系統中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車(chē)啟停的低耗能電源設計。為了控制燃油消耗，許多汽車(chē)制造商在下一代汽車(chē)中實(shí)現了“啟停”功能，而且為數眾多的這種汽車(chē)已經(jīng)開(kāi)始上路。這些系統會(huì )在汽車(chē)停下來(lái)時(shí)關(guān)閉發(fā)動(dòng)機，當腳從剎車(chē)踏板移動(dòng)
關(guān)鍵字： P-FET MOSFET

一種可程控調制脈沖電源模塊的研制

脈沖電源是脈沖制式供電方式裝備必不可少的供電電源。本文對脈沖電源特點(diǎn)及主要參數的影響原因進(jìn)行分析，給出了一種脈沖電源的電路方案。重點(diǎn)分析輸出脈沖電壓跌落幅度產(chǎn)生原因及解決方法，總結了實(shí)用的脈沖電源工程設計方法。
關(guān)鍵字：電源 MOS 脈沖電壓跌落幅度脈沖電源 201405

一種抗機載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案

　　為了解決現有浪涌保護電路可靠性差、專(zhuān)用模塊體積龐大以及效率低的問(wèn)題，提出一種抗機載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案。其設計思路從以下幾個(gè)方面考慮：(1)能夠承受航空供電系統中80V/50ms過(guò)壓浪涌且能正常工作;(2)外圍電路較為簡(jiǎn)單，通過(guò)分離元器件可實(shí)現抗浪涌功能;(3)構建的電路占用體積僅為專(zhuān)用模塊的50%～60%左右;(4)正常工作時(shí)，電路轉換效率能達到90%以上;80V/50ms的高壓浪涌電壓時(shí)，電路轉換效率能達到80%以上
關(guān)鍵字： PCB MOS 恒流源

新電源模塊如何解決關(guān)鍵設計問(wèn)題

新型靈活應用的高密度電源模塊現在能夠以易于使用的集成封裝提供先進(jìn)的電熱性能。系統性能的提升促進(jìn)了對更高功率電源的要求，以及由于需要快速實(shí)現收入的壓力迫使設計人員縮短開(kāi)發(fā)周期，從而對全功能、快速實(shí)現電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問(wèn)題，并提供系統設計人員所需的靈活性和性能，幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
關(guān)鍵字：新電源 FET ISL8225

移動(dòng)電源方案技術(shù)深度剖析連載一：小米10400

　　引言：　　鑒于目前網(wǎng)絡(luò )上移動(dòng)電源方案知識甚少，而移動(dòng)電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開(kāi)始特在移動(dòng)電源網(wǎng)開(kāi)設移動(dòng)電源方案技術(shù)篇連載，對目前市面主流品牌，暢銷(xiāo)產(chǎn)品等移動(dòng)電源方案一一深度剖析，與移動(dòng)電源設計師和技術(shù)迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門(mén)的小米10400mAh移動(dòng)電源吧?！　≌模骸　∫苿?dòng)電源網(wǎng)獨家撰稿，轉載請保留出處鏈接?！　〈蠹液?我是來(lái)福，移動(dòng)電源資深技術(shù)愛(ài)好者，鑒于目前網(wǎng)絡(luò )上移動(dòng)電源方案知識甚少，而移動(dòng)電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開(kāi)始特在移動(dòng)電源網(wǎng)開(kāi)設移動(dòng)電源方案技術(shù)篇連載，
關(guān)鍵字：小米 10400 BQ24195 ABOV MOS

Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開(kāi)關(guān)

　　2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開(kāi)關(guān)每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來(lái)實(shí)現低導通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高?！　LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
關(guān)鍵字： Silego FET SLG59M1527V