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三星新設內存研發(fā)機構：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢
- 三星稱(chēng)其已經(jīng)在美國硅谷開(kāi)設了一個(gè)新的內存研發(fā)（R&D）機構，專(zhuān)注于下一代3D DRAM芯片的開(kāi)發(fā)。該機構將在設備解決方案部門(mén)美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營(yíng)，由三星設備解決方案部門(mén)首席技術(shù)官、半導體研發(fā)機構的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場(chǎng)份額超過(guò)東芝以來(lái)，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場(chǎng)份額要明顯高于其他廠(chǎng)商，但仍需要不斷開(kāi)發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
- 關(guān)鍵字： 三星 內存 DRAM 芯片 美光
存儲器廠(chǎng)憂(yōu)DRAM漲勢受阻
- 韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士透露，因市況好轉，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場(chǎng)擔心稼動(dòng)率回升，破壞以往存儲器大廠(chǎng)減產(chǎn)提價(jià)共識，恐不利后續DRAM漲勢。觀(guān)察16日存儲器族群股價(jià)，包括鈺創(chuàng )、華邦電、南亞科、點(diǎn)序、十銓、品安、晶豪科等，股價(jià)跌幅逾2％，表現較大盤(pán)弱勢。惟業(yè)界人士認為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠(chǎng)產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進(jìn)制程升級，以滿(mǎn)足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執行長(cháng)郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM TrendForce
漲勢延續，預估2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅13~18%
- TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續領(lǐng)漲。目前觀(guān)察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠(chǎng)認為持續性減產(chǎn)仍有其必要，以維持存儲器產(chǎn)業(yè)的供需平衡。PC DRAM方面，由于DDR5訂單需求尚未被滿(mǎn)足，同時(shí)買(mǎi)方預期DDR4價(jià)格會(huì )持續上漲，帶動(dòng)買(mǎi)方拉貨動(dòng)能延續，然受到機種逐漸升級至DDR5影響，對DDR4的位元采購量不一定會(huì )擴大。不過(guò)，由于DDR4及DDR5的售價(jià)均尚未達到原廠(chǎng)目標，加上買(mǎi)方仍可接受第一季續漲，故預估整體PC
- 關(guān)鍵字： 存儲廠(chǎng)商 DRAM TrendForce
SSD九個(gè)季度以來(lái)首次上漲 廠(chǎng)商們要持續漲價(jià)：漲幅55%只是開(kāi)始
- 1月1日消息，據供應鏈最新消息稱(chēng)，SSD產(chǎn)品九個(gè)季度以來(lái)首次上漲，而廠(chǎng)商擬2024年1-3月后持續要求漲價(jià)。數據顯示，2023年10-12月期間SSD代表性產(chǎn)品TLC 256GB批發(fā)價(jià)為每臺25.5美元左右、容量較大的512GB價(jià)格為每臺48.5美元，皆較前一季度（2023年7-9月）上漲9%，也都是九個(gè)季度以來(lái)（2021年7-9月以來(lái)）首度上漲。自2023下半年以來(lái)，存儲芯片價(jià)格一直在上漲。雖然DRAM價(jià)格上漲較為溫和，約20%，但NAND閃存價(jià)格在過(guò)去兩個(gè)月飆升了60%-70%。調研機構TrendFo
- 關(guān)鍵字： SSD 漲價(jià) DRAM
全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)
- 12月22日消息，據報道，Adroit Market Research預計，全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長(cháng)率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(cháng)到2028年的$84.3B，復合年增長(cháng)率高達11.9%。目前的市場(chǎng)表明，到2022年，每輛汽車(chē)的半導體器件價(jià)值約為540美元，在A(yíng)DAS、電氣化等汽車(chē)行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數字將增長(cháng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電子 半導體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬(wàn)億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長(cháng) 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標。報道稱(chēng)三星將 DRAM 和 NAND
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長(cháng) 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢(xún)近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長(cháng) 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢(xún)表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產(chǎn)規劃依然穩健，由于存儲器價(jià)格漲勢明確，帶動(dòng)買(mǎi)方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價(jià)的庫存水位。集邦咨詢(xún)認為買(mǎi)賣(mài)雙方庫存降低，加上原廠(chǎng)減產(chǎn)效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價(jià)格的強勁漲勢。集邦咨詢(xún)認為明年第 1 季
- 關(guān)鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用
- 處理器，無(wú)論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運行，都離不開(kāi) RAM，特別是 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器），它已經(jīng)成為各種系統（PC，手機，數據中心等）中內存的代名詞。根據應用不同，系統對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標準 DDR（雙倍數據速率）、LPDDR、GDDR 等，當然，主要就是這三類(lèi)。其中，DDR 是相對于 SDR（單數據速率）而言的，將 I/O 時(shí)鐘加倍了，主要為 PC 和數據中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
- 關(guān)鍵字： DRAM 封裝技術(shù) HBM
DRAM的范式轉變歷程
- 本文總結和更新了 DRAM 的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
- 關(guān)鍵字： DRAM
集邦咨詢(xún)稱(chēng) 2023Q3 全球 DRAM 規模 134.8 億美元，環(huán)比增長(cháng) 18%
- IT之家 12 月 5 日消息，根據市場(chǎng)調查機構集邦咨詢(xún)公布的最新報告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)規模合計營(yíng)收 134.8 億美元，環(huán)比增長(cháng) 18.0%。集邦咨詢(xún)表示由于下半年需求緩步回溫，買(mǎi)方重啟備貨動(dòng)能，讓各原廠(chǎng)營(yíng)收皆有所增長(cháng)。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠(chǎng)漲價(jià)態(tài)度明確，預估第四季 DRAM 合約價(jià)上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過(guò)往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長(cháng)幅度有限。三家主流廠(chǎng)商情況細分到各家品牌，三大原廠(chǎng)營(yíng)收皆有所成長(cháng)
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存
消息稱(chēng) SK 海力士與三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額差距已縮小至 4.4%
- 11 月 28 日消息，上周就有研究機構的數據顯示，在人工智能聊天機器人 ChatGPT 大火帶動(dòng)的人工智能領(lǐng)域應用需求增加的推動(dòng)下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額達到了 35%，是他們自成立以來(lái)市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。而從最新報告來(lái)看，DRAM 市場(chǎng)份額在三季度創(chuàng )下新高的 SK 海力士，也縮小了同競爭對手三星電子在這一產(chǎn)品領(lǐng)域的市場(chǎng)份額差距。研究機構的報告顯示，SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品在三季度的銷(xiāo)售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長(cháng) 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷(xiāo)售額則是
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 海力士
三季度全球 DRAM 銷(xiāo)售額達 132.4 億美元，連續兩個(gè)季度環(huán)比增長(cháng)
- 11 月 30 日消息，據外媒報道，從去年下半年開(kāi)始，受消費電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠(chǎng)商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下，DRAM 這一類(lèi)存儲產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷(xiāo)售額環(huán)比也在增加。研究機構最新的數據就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷(xiāo)售額達到了 132.4 億美元，環(huán)比增長(cháng) 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續兩個(gè)季度環(huán)比增長(cháng)。全球 DRAM 的銷(xiāo)售額在三季度明顯增長(cháng)，也就意味著(zhù)主要廠(chǎng)商的銷(xiāo)售額，環(huán)
- 關(guān)鍵字： DRAM 閃存 三星 海力士
AI推動(dòng)SK海力士DRAM市場(chǎng)份額達到有史以來(lái)最高水平
- 據外媒報道，在OpenAI訓練的人工智能聊天機器人ChatGPT大火，谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語(yǔ)言模型的賽道之后，外媒就預計對AI服務(wù)器的需求將大幅增加，高性能GPU、高帶寬存儲器的需求也將隨之增加，半導體行業(yè)的多家廠(chǎng)商，將迎來(lái)新的發(fā)展機遇。市場(chǎng)研究公司Omdia的最新分析顯示，存儲芯片廠(chǎng)商SK海力士就已從人工智能應用需求增加中獲益，他們三季度在全球DRAM市場(chǎng)的份額達到了35%，占據了超過(guò)三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來(lái)，在全球DRAM市場(chǎng)份額最高的一個(gè)季度。由于生成式人工
- 關(guān)鍵字： AI SK海力士 DRAM
存儲市場(chǎng)前瞻：DDR5 需求顯著(zhù)增長(cháng)、AI 崛起讓手機內存邁入 20GB 時(shí)代
- IT之家?11 月 24 日消息，由于廠(chǎng)商減產(chǎn)的效果逐漸顯現，以及特定應用市場(chǎng)的持續強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價(jià)格在 2023 年第 4 季度呈現全面上漲，并有望持續到明年第 1 季度。集邦咨詢(xún)分析預估，2023 年第 4 季度移動(dòng) DRAM 合約價(jià)格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會(huì )持續到 2024 年第 1 季度。移動(dòng) DRAM：根據國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個(gè)明顯變化是
- 關(guān)鍵字： 閃存 DRAM NAND
美光率先為業(yè)界伙伴提供基于32Gb單裸片DRAM的高速率、低延遲128GB大容量RDIMM內存
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于?32Gb?單裸片的128GB DDR5 RDIMM?內存，具有高達?8,000 MT/s?速率的一流性能，可支持當前及未來(lái)的數據中心工作負載。該款大容量、高速率內存模塊特別針對數據中心和云環(huán)境中廣泛的任務(wù)關(guān)鍵型應用，例如人工智能?(AI)、內存數據庫?(IMDB)?以及需要對多線(xiàn)程、多核通用計算工作負載進(jìn)行高效處理的場(chǎng)景，滿(mǎn)足它們對
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 128GB RDIMM內存
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