中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷

　　根據韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠(chǎng)三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續技術(shù)精進(jìn)下，加上美國對知識產(chǎn)權的嚴密保護，其目的將難以達成。

　　報導指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長(cháng)江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過(guò)64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠(chǎng)三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快閃存儲器產(chǎn)品，所以在過(guò)去在技術(shù)上至少有5年的領(lǐng)先差距。

　　只是，如果依照計劃，長(cháng)江存儲一旦真的能在2020年推出128層堆疊的產(chǎn)品，相較三星在2019年要量產(chǎn)96層堆疊的產(chǎn)品，并且預計在年底開(kāi)發(fā)出128層堆疊的產(chǎn)品，則三星在NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先長(cháng)江存儲就僅剩下一年的時(shí)間，其追趕的進(jìn)度令人驚訝。

　　由于在NANDFlash快閃存儲器技術(shù)發(fā)展，從32層堆疊到64層堆疊，再到96層堆疊，乃至于到目前最新的128層堆疊技術(shù)，其每一代的技術(shù)研發(fā)大概需要一年的時(shí)間。如此，長(cháng)江存儲雖然號稱(chēng)要在2020年推出128層堆疊的產(chǎn)品，但結果是在目前半導體市場(chǎng)低迷，再加上三星與SK海力士?jì)杉夜編缀鯄艛嗍袌?chǎng)，長(cháng)江存儲連32層堆疊的NANDFlash快閃存儲器大量量產(chǎn)都有問(wèn)題的狀況下，更遑論要開(kāi)發(fā)最新128層堆疊技術(shù)的產(chǎn)品，因此中國要發(fā)展NANDFlash快閃存儲器產(chǎn)業(yè)就此受阻。

　　再談到較NANDFlash快閃存儲器技術(shù)更為復雜的DRAM產(chǎn)業(yè)時(shí)，雖然中國也一直視為重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)，不過(guò)當前中國在這產(chǎn)業(yè)可說(shuō)是一團混亂。原因是自2018年開(kāi)始，原本積極布局服務(wù)器DRAM領(lǐng)域的廠(chǎng)商福建晉華，在受到美國禁售令的影響，目前已經(jīng)逐步退出市場(chǎng)。盡管福建晉華在2011年就已經(jīng)宣布推出32奈米制程的DRAM樣品，只是在美國積極保護DRAM知識產(chǎn)權，而且祭出禁售令的情況之下，福建晉華是不是能夠有機會(huì )推出這個(gè)規格的產(chǎn)品，目前還在未定之天。