供應過(guò)剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

　　美國iSuppli調研結果顯示，由于供應過(guò)剩與價(jià)格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內進(jìn)一步惡化。

　　NAND閃存方面，預計512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著(zhù)價(jià)格下跌，行情出現惡化，短期內很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價(jià)格下跌的主要原因韓國內存廠(chǎng)商將生產(chǎn)能力從DRAM轉移至NAND閃存，從而導致了供應過(guò)剩。

　　DRAM的行情方面，受到預計之外的2007年第三季度的收益下降及2007年11月的季節需求低迷的影響，預計將進(jìn)一步惡化。2007年9月以后DRAM市場(chǎng)價(jià)格已跌至生產(chǎn)成本以下，512M容量DDR2產(chǎn)品的價(jià)格已經(jīng)崩潰。在亞洲市場(chǎng)上，現貨價(jià)格已經(jīng)跌破1美元。受到此次價(jià)格下跌的影響，2007年第四季度DRAM廠(chǎng)商的業(yè)績(jì)預計將趨于惡化，DRAM市場(chǎng)整體收益的惡化將持續至2008年第一季度。

　　不過(guò)，iSuppli預測，在今后幾個(gè)季度內，內存市場(chǎng)將會(huì )逐漸恢復。在庫存減少及產(chǎn)量(按bit換算)減少的推動(dòng)下，DRAM市場(chǎng)將首先恢復，多數廠(chǎng)商將在2008年第二季度實(shí)現盈利。另一方面，NAND閃存的行情在第二季度仍將惡化，到第三季度將開(kāi)始反彈。但是，這一預測的前提是內存廠(chǎng)商不進(jìn)行會(huì )導致DRAM價(jià)格進(jìn)一步下跌的增產(chǎn)，市場(chǎng)的恢復也可能會(huì )因廠(chǎng)商的動(dòng)向而推遲。