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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
預估第二季NAND Flash均價(jià)續跌5~10%，能否止跌端看下半年需求
- 即便原廠(chǎng)持續進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機、筆電等需求仍未見(jiàn)起色，NAND Flash市場(chǎng)仍處在供給過(guò)剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢(xún)預估，第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續恢復供需平衡的關(guān)鍵在于原廠(chǎng)是否有更大規模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢(xún)認為若目前需求端未再持續下修，NAND Flash均價(jià)有機會(huì )在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續疲弱，均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見(jiàn)成
- 關(guān)鍵字： 集邦 NAND Flash
NAND Flash 大降價(jià)，固態(tài)硬盤(pán)取代機械硬盤(pán)指日可待
- 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤(pán)所需的 NAND 芯片降價(jià)導致的。根據集邦咨詢(xún)的數據顯示，NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)并不是什么好消息，但對于普通消費者來(lái)說(shuō)，我們確實(shí)能買(mǎi)到更便宜的固態(tài)
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
(2023.3.20)半導體周要聞－莫大康
- 半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開(kāi)發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話(huà)，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開(kāi)發(fā)等，直到現在電路板才穩定下來(lái)，因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示，華為現在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步。
- 關(guān)鍵字： 莫大康 半導體 華為 光刻機 NAND
存儲器廠(chǎng)商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續跌，加上庫存水位過(guò)高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導致?tīng)I收及毛利率持續下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng )下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導
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存儲大廠(chǎng)展示300層NAND Flash，預計最快2024年問(wèn)世
- 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
- 關(guān)鍵字： 300層 NAND Flash SK海力士
(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康
- 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開(kāi)發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話(huà)，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開(kāi)發(fā)等，直到現在電路板才穩定下來(lái)，因為有了國產(chǎn)的零部件供應。任正非表示，華為現在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步
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均價(jià)跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%
- TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠(chǎng)積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶(hù)為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(cháng)僅5.3%，平均銷(xiāo)售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%，達
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
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西部數據宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%
- IT之家 2 月 7 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，在內存半導體行業(yè)持續低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數據宣布將進(jìn)一步縮減設備投資和生產(chǎn)。西部數據 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jì)電話(huà)會(huì )議上表示，2023 財年設備投資總額將達到 23 億美元（當前約 156.17 億元人民幣）。據IT之家了解，這一數字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
- 關(guān)鍵字： NAND 內存 西部數據
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態(tài)硬盤(pán)（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(cháng)的要角，市調機構集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導致消費性電子需求急凍，未來(lái)消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(cháng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報價(jià)相近，甚至
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實(shí)現
- 在現代電子設備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數據存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態(tài)機電路，靈活地實(shí)現壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進(jìn)行測試驗證。
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
全球首款！美光232層NAND客戶(hù)端SSD正式出貨
- 12月15日，美光宣布，已開(kāi)始向PC OEM客戶(hù)出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。據官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶(hù)端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構，采用美光232層NAND技術(shù)，加強了散熱架構和低功耗設計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶(hù)端等主流PC平臺上提升應用程序的運行速度和響應靈敏度。與競品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應用運行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內容創(chuàng )
- 關(guān)鍵字： 美光 232層 NAND SSD
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
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