EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
美光出貨全球首款232層NAND，進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng )新技術(shù)，從而為存儲解決方案帶來(lái)前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶(hù)端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過(guò) 200 層，
- 關(guān)鍵字： 美光 232層 NAND
SSD價(jià)格還將要大降價(jià)：NAND供應過(guò)剩
- 芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢(xún)表示，需求未見(jiàn)好轉，NAND Flash產(chǎn)出及制程轉進(jìn)持續，下半年市場(chǎng)供過(guò)于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場(chǎng)共識，物料庫存水位持續攀升成為供應鏈風(fēng)險。因渠道庫存去化緩慢，客戶(hù)拉貨態(tài)度保守，造成庫存問(wèn)題漫溢至上游供應端，賣(mài)方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢(xún)預估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價(jià)格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續至第四季。按照供應鏈的說(shuō)法，雖然仍
- 關(guān)鍵字： NAND SSD 存儲
鎧俠為實(shí)現超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
- NAND Flash制造商一直試圖通過(guò)增加每個(gè)單元存儲的位數來(lái)提高其存儲設備的存儲密度，據外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個(gè)單元中存儲更多比特數的NAND Flash閃存。據報道，近日鎧俠表示，已設法在每個(gè)單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實(shí)驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數量將隨著(zhù)每個(gè)單元存儲Bits的增加呈指數增長(cháng)。例如，要存儲4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數字會(huì )增長(cháng)到64(2^6)。而鎧俠實(shí)現的每個(gè)單元
- 關(guān)鍵字： SSD NAND Flash 鎧俠
潛力無(wú)限的汽車(chē)存儲芯片
- 隨著(zhù)智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車(chē)芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車(chē)半導體含量約為燃油車(chē)2倍，智能車(chē)為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車(chē)芯片，2035年增長(cháng)為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車(chē)芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢?jiàn)芯片將成為汽車(chē)新利潤增長(cháng)點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導體發(fā)展新驅動(dòng)力?！ ∑?chē)芯片從應用環(huán)節可以分為5類(lèi)：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模約52億美元，國內汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模
- 關(guān)鍵字： 北京君正 兆易創(chuàng )新 DRAM NAND
盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？
- 5月30日兆易創(chuàng )新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過(guò)190億顆，年出貨量超過(guò)28億顆，目前兆易創(chuàng )新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng )新NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng )新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過(guò)去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng )新的營(yíng)收與凈利潤均實(shí)現大幅增長(cháng)，2021年和2022年一季度公司營(yíng)收分別增長(cháng)89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長(cháng)39.25%和127.65%。目前芯片行
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng )新 NAND Flash
中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?
- 近日，韓國進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長(cháng)鑫存儲2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過(guò)5年。據該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長(cháng)江存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
長(cháng)江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲升級
- 近日，長(cháng)江存儲科技有限責任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(cháng)江存儲為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿(mǎn)足AIoT、機器學(xué)習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫(xiě)性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著(zhù)長(cháng)江存儲嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長(cháng)江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著(zhù)5G通信、大數據、AIoT的加速
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 3D NAND
中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場(chǎng)規模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場(chǎng)規模約占56%，NAND Flash市場(chǎng)規模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場(chǎng)預計，2021年全球存儲市場(chǎng)規模將達1620億美元，增長(cháng)29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場(chǎng)主要被韓國、歐美以及
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 DRAM NAND Flash
長(cháng)江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年，長(cháng)江存儲無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(cháng)江存儲有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長(cháng)江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規格
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 3D NAND
存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠(chǎng)商只花了6年
- 近日，有消息稱(chēng)，國內存儲芯片大廠(chǎng)長(cháng)江存儲已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會(huì )實(shí)現232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著(zhù)國內存儲芯片廠(chǎng)商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了?？梢?jiàn)，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 3D NAND
中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷
- 中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預計年底實(shí)現大規模量產(chǎn)交付。長(cháng)江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著(zhù)高速穩定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(cháng)江存儲直接越級跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 3D NAND
國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長(cháng)江存儲192層閃存送樣，預計年底量產(chǎn)
- 頭一段時(shí)間，有媒體報道稱(chēng)，長(cháng)江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實(shí)現量產(chǎn)。長(cháng)江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠(chǎng)的差距，長(cháng)江存儲跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內首款128層QLC規格的3D N
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 3D NAND
美光針對數據中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD
- 內存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專(zhuān)為數據中心工作負載設計的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進(jìn)的數據中心 SATA SSD產(chǎn)品，采用久經(jīng)考驗的第 11 代 SATA 架構，支持廣范的應用場(chǎng)景，提供相比傳統機械硬盤(pán) (HDD) 顯著(zhù)提升的性能，并延長(cháng)了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數據中心存儲產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
- 關(guān)鍵字： 美光 數據中心 176 層 NAND SATA SSD
SK海力士首次公開(kāi)與Solidigm的“合作產(chǎn)品”
- “獨立子公司成立僅三個(gè)月，兩家公司在事業(yè)上的合作全面開(kāi)始”SK海力士和Solidigm首次公開(kāi)了結合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續優(yōu)化兩家公司的運營(yíng)，以創(chuàng )造協(xié)同效應和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開(kāi)了兩家公司共同開(kāi)發(fā)的新企業(yè)級SSD（eSSD）產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
- 關(guān)鍵字： SK海力士 Solidigm eSSD NAND
針對勒索軟件與網(wǎng)絡(luò )攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品
- IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品，瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò )攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò )攻擊并從中恢復；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境，旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡(luò )復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品，瞄準勒索軟件及其他網(wǎng)絡(luò )攻擊根據IBM網(wǎng)絡(luò )彈性機構的研究，46%的受訪(fǎng)者表示在過(guò)去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著(zhù)網(wǎng)絡(luò )攻
- 關(guān)鍵字： NAND Flash IBM 閃存
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)電路
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)相關(guān)帖子
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)資料下載
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473