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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
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采用NAND和NOR門(mén)的SR觸發(fā)器
- 在本教程中，我們將討論數字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門(mén)的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時(shí)鐘 SR 觸發(fā)器以及一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)時(shí)應用。電路簡(jiǎn)介我們迄今為止看到的電路，即多路復用器、解復用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等，都被稱(chēng)為組合邏輯電路。在這類(lèi)電路中，輸出只取決于輸入的當前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過(guò)去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當輸入發(fā)生變化時(shí)，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類(lèi)電路，其輸出不僅取決于當前的輸入，還取決
- 關(guān)鍵字： NAND NOR門(mén) SR觸發(fā)器
三星明年將升級NAND核心設備供應鏈
- 據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其N(xiāo)AND核心設備供應鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設備運行測試。?三星平澤P1工廠(chǎng)未來(lái)大部分產(chǎn)線(xiàn)將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線(xiàn)，此次采購的TEL設備是用于整個(gè)半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時(shí)，三星旗下設備解決方案部門(mén)的庫存已增至
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
基于FPGA的NAND Flash的分區續存的功能設計實(shí)現
- 傳統的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開(kāi)始存儲數據，會(huì )覆蓋上次存儲的數據，無(wú)法進(jìn)行數據的連續存儲。針對該問(wèn)題，本文設計了一種基于FPGA的簡(jiǎn)單方便的NAND Flash分區管理的方法。該方法在NAND Flash上開(kāi)辟專(zhuān)用的存儲空間，記錄最新分區信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個(gè)分區。本文給出了分區工作機理以及分區控制的狀態(tài)機圖，并進(jìn)行了驗證。
- 關(guān)鍵字： 202308 NAND Flash FPGA 分區 起始地址
因業(yè)務(wù)低迷，消息稱(chēng)三星計劃暫停部分工廠(chǎng) NAND 閃存生產(chǎn)
- IT之家 8 月 16 日消息，據韓國電子時(shí)報報道，為了克服低迷的存儲器市場(chǎng)狀況，三星電子計劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠(chǎng)的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設備。業(yè)內人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠(chǎng) NAND Flash 生產(chǎn)線(xiàn)部分設備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區主要負責生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設備將停產(chǎn)至少一個(gè)月。外媒表示，鑒于市場(chǎng)持續低迷，業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會(huì )減少 10% 左右，而三星在近來(lái) 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財報中也正式
- 關(guān)鍵字： 三星電子 V-NAND
基于NAND門(mén)的行李安全警報
- 在乘坐火車(chē)和公共汽車(chē)的旅途中，我們會(huì )攜帶許多重要的物品，而且總是擔心有人會(huì )偷走我們的行李。因此，為了保護我們的行李，我們通常會(huì )用老辦法，借助鏈條和鎖來(lái)鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會(huì )擔心有人會(huì )割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個(gè)基于 NAND 門(mén)的簡(jiǎn)易電路。在這個(gè)電路中，當有人試圖提起你的行李時(shí)，它就會(huì )發(fā)出警報，這在你乘坐公共汽車(chē)或火車(chē)時(shí)非常有用，即使在夜間也是如此，因為它還能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個(gè)用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報警電路的幫助
- 關(guān)鍵字： NAND 邏輯門(mén)
6月中國市場(chǎng)NAND Flash Wafer部分容量合約價(jià)有望小幅翻揚
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)調查，5月起美、韓系廠(chǎng)商大幅減產(chǎn)后，已見(jiàn)到部分供應商開(kāi)始調高wafer報價(jià)，對于中國市場(chǎng)報價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此，TrendForce集邦咨詢(xún)預估6月在模組廠(chǎng)啟動(dòng)備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結束自2022年5月以來(lái)的猛烈跌勢，預期今年第三季起將轉為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷(xiāo)去化，現階段價(jià)格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Wafer TrendForce
傳鎧俠/西數合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營(yíng)收或超三星？
- 近日，據日本共同社消息，日本存儲器大廠(chǎng)鎧俠與合作方美國西部數據的合并經(jīng)營(yíng)已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調整階段。目前，作為全球知名的存儲器廠(chǎng)商，鎧俠和西部數據既是競爭對手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運營(yíng)巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠(chǎng)。報道引用相關(guān)人士消息稱(chēng)，鎧俠和西部數據正在探討出資設立新公司、統一開(kāi)展半導體生產(chǎn)及營(yíng)銷(xiāo)的方案等，未來(lái)雙方將進(jìn)行經(jīng)營(yíng)合并，擬由鎧俠掌握主導權，關(guān)于出資比率等將繼續探討。報道稱(chēng)，由于面向智能手機等的半導體行情疲軟、業(yè)績(jì)低迷，鎧俠和西部數據此舉意在提升經(jīng)營(yíng)效率并提高競爭力。資料顯示，鎧俠
- 關(guān)鍵字： 鎧俠 西數 NAND Flash 三星
DDR5 重新下跌，內存現貨價(jià)格未見(jiàn)回暖
- 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場(chǎng)預期不太樂(lè )觀(guān)。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash NAND DDR5
需求持續下修，第一季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌16.1%
- 據TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，第一季NAND Flash買(mǎi)方采購動(dòng)能保守，供應商持續透過(guò)降價(jià)求售，但第一季NAND Flash位元出貨量?jì)H微幅環(huán)比增長(cháng)2.1%，平均銷(xiāo)售（ASP）單價(jià)季減15%，合計NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團（SK hynix & Solidigm）及西部數據（WDC）量?jì)r(jià)齊跌，沖擊營(yíng)收表現，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團受淡季及削價(jià)競爭影響，第一季NAND Flash營(yíng)收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
- 關(guān)鍵字： 集邦 NAND Flash
NAND閃存主控芯片供應商2023年第1季財報出爐
- 據中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道，全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財報，營(yíng)收1億2407萬(wàn)美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬(wàn)美元。報道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠(chǎng)在內的主要客戶(hù)，目前一致認為市況仍極具挑戰。PC和智能手機終端市場(chǎng)持續呈現疲弱，上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商，因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認為，見(jiàn)到一些客戶(hù)的下單模式從第2季開(kāi)始有所改善，再加
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 主控芯片
3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過(guò) 300 條字線(xiàn)的 3D NAND IC。根據其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導側向
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品
- 4月27日，上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線(xiàn)上發(fā)布會(huì )，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車(chē)規FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿(mǎn)足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數和數據保存10年的高可靠性要求，應用于工規、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
- 關(guān)鍵字： 復旦微電 NAND Flash EEPROM 存儲器
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
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