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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
SK加碼投資NAND新廠(chǎng)，總金額上看178億美元
- 根據《韓聯(lián)社》報導，這所新的M15新產(chǎn)線(xiàn)位于清州，SK海力士從2016年12月宣布興建，并且于2017年4月動(dòng)工，并已在今日完工啟用，新廠(chǎng)將加強韓國存儲器產(chǎn)業(yè)中的競爭力。SK計劃持續擴大這條產(chǎn)線(xiàn)，不過(guò)詳細內容將會(huì )視市場(chǎng)狀況來(lái)決定。該廠(chǎng)將會(huì )在2019年第1季開(kāi)始生產(chǎn)96層NANDFlash快閃存儲器，將會(huì )有月產(chǎn)20萬(wàn)片的程度，類(lèi)似于位于首爾以南80公里的利川M14生產(chǎn)線(xiàn)?！ K海力士會(huì )長(cháng)崔泰源宣示，身為國家的關(guān)鍵企業(yè)，SK海力士將會(huì )持續維持在市場(chǎng)的競爭力。韓國大統領(lǐng)文在寅也出席了啟用儀式，并在致詞表示
- 關(guān)鍵字： SK NAND
不怕虧錢(qián)，未來(lái)十年長(cháng)江存儲持續增加研發(fā)投入
- 對于一個(gè)多月前在美國圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì )上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長(cháng)江存儲執行董事長(cháng)高啟全接受中國證券報記者專(zhuān)訪(fǎng)表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來(lái)十年，長(cháng)江存儲將持續增加研發(fā)投入?！ ≈瞥痰膬纱箅y點(diǎn) 中國證券報：3D NAND制造工藝的難點(diǎn)在哪些地方? 高啟全：3D NAND的困難點(diǎn)在于一層層疊上去的時(shí)候需要打洞把每一層連接起來(lái)，層數越多需要打的洞就越多，每一個(gè)單位都要打洞，數量可達幾百萬(wàn)個(gè)。必須保證做到垂直地
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲，NAND
慧榮科技將于2018中國閃存峰會(huì )上展出最新存儲主控芯片解決方案
- 全球NAND閃存主控芯片設計與營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)導品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)，將于9月19日在深圳舉辦的 “2018中國閃存市場(chǎng)峰會(huì )(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解決方案來(lái)滿(mǎn)足全方位巿場(chǎng)需求，其包括專(zhuān)為數據中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場(chǎng)帶來(lái)最完整的解決方案，此外支持高速移動(dòng)存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控
- 關(guān)鍵字： 慧榮科技 NAND
NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀(guān)念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或寫(xiě)入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng )新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì )表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著(zhù)PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀(guān)念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)寫(xiě)入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或寫(xiě)入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng )新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì )表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！ ‰S著(zhù)PCIe銷(xiāo)售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
- 關(guān)鍵字： NAND UFS
晶圓廠(chǎng)、DRAM和3D NAND投資驅動(dòng)，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額
- 近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統報告，報告顯示，中國前端晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能今年將增長(cháng)至全球半導體晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動(dòng)，中國將在2020年的晶圓廠(chǎng)投資將以超過(guò)200億美元的支出，超越世界其他地區，占據首位?！ ?014年中國成立大基金以來(lái)，促進(jìn)了中國集成電路供應鏈的迅速增長(cháng)，目前已成為全球半導體進(jìn)口最大的國家市場(chǎng)。SEMI指出，目前中國正在進(jìn)行或計劃開(kāi)展25個(gè)新的晶圓廠(chǎng)建設項目，代工廠(chǎng)、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM 3D NAND
中國產(chǎn)能逐漸開(kāi)出 內存價(jià)格2019將下滑
- 內存價(jià)格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠(chǎng)商產(chǎn)能陸續開(kāi)出，因此資策會(huì )MIC預測內存價(jià)格將于開(kāi)始下滑?！ ≠Y策會(huì )MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)洪春暉表示，2018年的半導體市場(chǎng)概況是近5年來(lái)難得的樂(lè )觀(guān)，盡管2018年內存價(jià)格成長(cháng)空間有限，但NAND Flash需求仍然持續增加。 因此，預估2018年全球半導體市場(chǎng)規模將成長(cháng)10.1%，其中最大的原因是各應用終端內存需求持續增加，以及車(chē)用電子等新興應用帶動(dòng)?！ 『榇簳熯M(jìn)一步指出，內存受惠于市場(chǎng)價(jià)格上揚，2018年全年臺灣內存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長(cháng)25%，產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND
IHS公布二季度半導體銷(xiāo)售排行榜：三星又當第一
- 由于持續受益于存儲器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩坐半導體銷(xiāo)售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)?！ 「鶕袌?chǎng)研究機構IHS Markit的統計，三星在今年第二季全球芯片市場(chǎng)占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著(zhù)NAND快閃存儲器(flash)市場(chǎng)顯著(zhù)降溫，英特爾已自本季開(kāi)始縮小與三星的差距，其季成長(cháng)較三星更高3%?！ ∫园雽w銷(xiāo)售額來(lái)看，三星在第二季的銷(xiāo)售額為192億美元，較第一季成長(cháng)3.4%，并較2017年第二季成長(cháng)了33.7
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 英特爾
基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動(dòng)方法
- 1. 引言 NAND FLASH被廣泛應用于電子系統中作為數據存儲。在各種高端電子系統中現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現對NAND FLASH的讀寫(xiě)操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動(dòng)方法?！ ?. VDNF2T16VP193EE4V25簡(jiǎn)介 歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下： 其主要特性如下： ? 總容量
- 關(guān)鍵字： NAND NIOS II FPGA
全球前15大半導體廠(chǎng)商排名：7家年增20%以上，中國大陸無(wú)一上榜
- 8月20日，研究機構ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過(guò)遺憾的是，中國大陸暫時(shí)沒(méi)有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?！ 「鶕l(fā)布的數據顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長(cháng)，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達數據最為搶眼，相較于去年同期，英偉
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
如何基于A(yíng)M5728進(jìn)行U-Boot編譯
- 操作環(huán)境： Ubuntu 14.04.364bit 本文基于廣州創(chuàng )龍TL5728F-EVM開(kāi)發(fā)板進(jìn)行測試?！ L5728F-EVM開(kāi)發(fā)板平臺簡(jiǎn)介： ? 基于TI Sitara AM5728(浮點(diǎn)雙DSPC66x+雙ARMCortex-A15)+Xilinx Artix-7FPGA工業(yè)控制及高性能音視頻處理器; ? TI AM5728為多核異構CPU，集成雙核Cortex-A15、雙核C66x浮點(diǎn)DSP、雙核PRU-ICSS、雙核IPU Cortex-M4、雙核GPU等處理單元，支持OpenC
- 關(guān)鍵字： AM5728 U-Boot
IC Insights預測：全球IC增長(cháng)和全球GDP增長(cháng)關(guān)聯(lián)日益密切
- 在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(cháng)與IC市場(chǎng)增長(cháng)之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預測?！ ∪鐖D所示，在2010-2017年的時(shí)間段內，全球GDP增長(cháng)與IC市場(chǎng)增長(cháng)的相關(guān)系數為0.88，這是一個(gè)強勁的數字，因為完全相關(guān)為1.0。在此期間之前的3
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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