存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現DRAM、NAND Flash雙好行情

　　DRAM價(jià)格趨于穩定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠(chǎng)面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔心三星電子(Samsung Electronics)會(huì )從中作梗，破壞DRAM價(jià)格漲勢，然現在蘋(píng)果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單，且隨著(zhù)智能型手機價(jià)格平民化的趨勢，未來(lái)內建高容量存儲器普及，都讓各界相當看好2010年NAND Flash市場(chǎng)前景，三星在喜迎蘋(píng)果大單之余，也無(wú)暇與臺系DRAM廠(chǎng)廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現。

　　2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸底反彈的步調相當健康，年初由NAND Flash領(lǐng)漲，之后再由DRAM接棒，但NAND Flash價(jià)格雖然漲勢熄火，但也未回檔太多，而DRAM價(jià)格在9月初提前攻上1.7美元之時(shí)，NAND Flash市場(chǎng)也傳出捷報，在蘋(píng)果追加訂單的情況下，NAND Flash在供給短缺的情況下，價(jià)格可望穩步攀堅，也讓驚驚漲的DRAM吃下定心丸，未來(lái)DRAM和NAND Flash輪流表現的態(tài)勢，可望讓整個(gè)存儲器價(jià)格走向正循環(huán)。

　　9月上旬的DRAM價(jià)格再度大漲7~8%，現貨價(jià)格更是提前攻上1.7美元，讓臺系DRAM廠(chǎng)再度嘗到逐漸走出產(chǎn)業(yè)春燕來(lái)臨的滋味，但這樣驚驚漲的格局，最擔心的是三星從中作梗，以目前三星超過(guò)30%的市占率，隨時(shí)可以左右市場(chǎng)價(jià)格，具有喊水會(huì )結凍的能力。

　　然日前蘋(píng)果送給NAND Flash市場(chǎng)一大禮，向三星、美光(Micron)和海力士(Hynix)等大廠(chǎng)追加訂單之余，也等于送給DRAM市場(chǎng)一個(gè)大禮，三星忙著(zhù)喜迎蘋(píng)果大單，專(zhuān)心將產(chǎn)能好好伺候這位大客戶(hù)，因此無(wú)暇廝殺DRAM市場(chǎng)，臺廠(chǎng)可大大松了一口氣，專(zhuān)心朝轉虧為盈之路打拼。

　　業(yè)界指出，三星未來(lái)的產(chǎn)能配置會(huì )以NAND Flash為優(yōu)先，而過(guò)去DRAM和NAND Flash技術(shù)相近之故，雙方產(chǎn)能可隨時(shí)依照市場(chǎng)需求而互換，但這次受到制程限制因素，新增的NAND Flash制程無(wú)法轉回DRAM產(chǎn)能，更讓DRAM廠(chǎng)寬心，短期內三星對于DRAM市場(chǎng)的干擾程度會(huì )降低。

　　在終端需求方面，手機已成為 NAND Flash市場(chǎng)眾望所歸的最大應用，主要是受惠智能型手機價(jià)格逐漸平民化，過(guò)去內建8GB和16GB存儲器容量的技術(shù)和應用，只會(huì )用在1支動(dòng)輒數萬(wàn)元的智能型手機，但未來(lái)智能型手機價(jià)格下降，將取代一般手機掀起換機潮，在競爭激烈下，內建存儲器容量可望朝32GB和64GB移動(dòng)，對NAND Flash產(chǎn)業(yè)是大利多。