海力士：2010年DRAM供不應求

　　據華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠(chǎng)海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場(chǎng)表現，將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。

　　海力士執行長(cháng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個(gè)人計算機(PC)市場(chǎng)需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場(chǎng)已走出過(guò)去3年的谷底，前景相當穩定。

　　隨著(zhù)景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴張目前的NAND Flash芯片產(chǎn)能。此外，金鐘甲表示，2010年海力士在全球DRAM及NAND Flash芯片市場(chǎng)市占率均可望些微提升，然不愿透露具體數字。