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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區

納米制程遇瓶頸 業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)

  • 　　隨著(zhù)存儲器容量越來(lái)越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后，也開(kāi)始遇到瓶頸，業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開(kāi)發(fā)。 　
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  NAND  

今年游戲主機NAND flash內存密度提高40%

  • 　　內存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環(huán)境。 　　今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長(cháng) 41.4%，達 123MB。 　　
  • 關(guān)鍵字： Sony  NAND  

LSI推出CacheVault Flash高速緩存保護技術(shù)

  • 　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術(shù)，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態(tài) NAND 閃存，能夠在電源發(fā)生故障的時(shí)候自動(dòng)將高速緩存中的數據轉移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數據提供強大的保護。CacheVault 技術(shù)避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節約相關(guān)的硬件維護成本，從而實(shí)現更環(huán)保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
  • 關(guān)鍵字： LSI  NAND  

2011年NAND閃存密度將增長(cháng)40%以上

  • 　　據IHS iSuppli公司的NAND閃存研究報告，盡管NAND閃存成本較高妨礙其進(jìn)入游戲硬件，但2011年家庭游戲機與手持游戲機中的NAND密度將增長(cháng)40%以上。 　　
  • 關(guān)鍵字： 索尼  NAND  

三星電子韓國新NAND廠(chǎng)預計9月投產(chǎn)

  • 　　三星電子一家新的存儲半導體制造廠(chǎng)將于9月投入運營(yíng)。消息人士說(shuō)，新廠(chǎng)編號為“Line-16”，主要生產(chǎn)NAND芯片。 　　2010年5月時(shí)，三星在韓國京畿道(Gyeonggi Province)華城(Hwaseong)破土動(dòng)工，建立新的工廠(chǎng)。此前三星曾透露說(shuō)，Line-16工廠(chǎng)月產(chǎn)20萬(wàn)片12寸圓晶。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

U-Boot在基于BF561的嵌入式Linux系統上的移植

  • U-Boot在基于BF561的嵌入式Linux系統上的移植, U-Boot是一個(gè)功能強大的Boot loader。前期移植工作是嵌入式系統開(kāi)發(fā)的首要環(huán)節。嵌入式開(kāi)發(fā)人員應該在了解U-Boot的工作機理、移植條件后，根據目標板和具體情況靈活裁減U -Boot以提高操作系統移植的穩定性，縮短移植周期，降低產(chǎn)品成本，為后續開(kāi)發(fā)奠定了良好的基礎。
  • 關(guān)鍵字： 系統  移植  Linux  嵌入式  基于  BF561  U-Boot  

東芝和SanDisk日本建第3個(gè)NAND半導體工廠(chǎng)

  • 　　日前東芝和SanDisk在日本建立了第三家半導體工廠(chǎng)，以應對智能手機和平板電腦的快速發(fā)展而帶來(lái)的對閃存芯片的大量需求。該工廠(chǎng)主要生產(chǎn)300毫米晶片NAND半導體，工廠(chǎng)名稱(chēng)為“Fab 5”。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

東芝與Sandisk共慶NAND閃存工廠(chǎng)Fab5正式投產(chǎn)

  • 　　東芝株式會(huì )社 與Sandisk公司日前共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠(chǎng)Fab 5正式投產(chǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

基于FPGA的NAND Flash ECC校驗

  • 摘要 基于Flash存儲器的Hamming編碼原理，在A(yíng)ltera QuartusⅡ7．0開(kāi)發(fā)環(huán)境下，實(shí)現ECC校驗功能。測試結果表明，該程序可實(shí)現每256 Byte數據生成3 Byte的ECC校驗數據，能夠檢測出1 bit錯誤和2 bit錯誤，對于1 bit錯誤
  • 關(guān)鍵字： Flash  FPGA  NAND  ECC    

蘋(píng)果三星風(fēng)波引發(fā)四大半導體廠(chǎng)商主演四角戀大戲

  • 　　最近舉辦的Semicon West2011半導體業(yè)界大會(huì )上，三星與蘋(píng)果之間的知識產(chǎn)權爭端事件顯然會(huì )是一個(gè)有趣的話(huà)題。目前，三星正準備于8月份開(kāi)始量產(chǎn)蘋(píng)果手機/平板電腦用 A5 SoC芯片。而且他們最近花費36億美元對奧斯汀芯片廠(chǎng)進(jìn)行了升級，使其產(chǎn)能能夠在NAND或邏輯芯片產(chǎn)品之間自由切換，不過(guò)三星顯然希望能夠在保住蘋(píng)果 芯片訂單的前提下繼續拓展自己的代工業(yè)務(wù)。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

東芝縮小與三星在NAND閃存差距

  • 　　據IHS iSuppli公司的研究，東芝在2011年第一季度NAND閃存市場(chǎng)大有要超過(guò)三星之兆，這兩家廠(chǎng)商的市場(chǎng)份額差距從2010年第四季度的1.1個(gè)百分點(diǎn)縮小到只有0.3個(gè)百分點(diǎn)。長(cháng)期以來(lái)，三星一直是最大的NAND閃存廠(chǎng)商?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

第一季度NAND閃存領(lǐng)域競爭加劇

  • 　　據IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND閃存領(lǐng)域爭奪頭號排名的競爭加劇，排名第二的東芝接近與三星電子平起平坐。長(cháng)期以來(lái)，三星一直是最大的NAND閃存廠(chǎng)商?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存  

Q2平板出貨恐拖累NAND Flash價(jià)格走勢

  • 　　根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm為止，由于大部分買(mǎi)方與賣(mài)方就六月上旬NAND Flash合約價(jià)格的談判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合約價(jià)將等到各家廠(chǎng)商價(jià)格談定后DRAMeXchange才會(huì )公布。
  • 關(guān)鍵字： 平板電腦  NAND  

Mobile RAM防線(xiàn)恐失守

  • 　　行動(dòng)裝置風(fēng)潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，儼然已成為DRAM廠(chǎng)最佳避風(fēng)港，然在各家存儲器大廠(chǎng)一窩蜂搶進(jìn)下，Mobile RAM已率先發(fā)難，出現供過(guò)于求警訊，日廠(chǎng)爾必達(Elpida)傳出原本爆滿(mǎn)的Mobile RAM產(chǎn)能將轉回作PC DRAM，加上近日PC DRAM價(jià)格再度崩跌至瀕臨1.5美元保衛戰，DRAM廠(chǎng)12寸廠(chǎng)產(chǎn)能陷入苦尋不到避風(fēng)港困境。 　　存儲器業(yè)者表示，PC市場(chǎng)成長(cháng)趨緩是 DRAM產(chǎn)業(yè)致命傷，而平板計算機崛起讓每臺系統DRAM
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

Hynix成功開(kāi)發(fā)出20nm制程64Gbit密度MLC NAND閃存芯片

  • 　　Hynix半導體公司在近日舉辦的2011VLSI研討上宣布成功研發(fā)出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND閃存芯片，Hynix稱(chēng)這款產(chǎn)品是業(yè)內首款基于20nm制程的大容量MLC NAND閃存芯片。 　　
  • 關(guān)鍵字： Hynix  NAND  
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