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海力士半導體放緩NAND Flash工藝轉換速度

  •   南韓半導體大廠(chǎng)海力士半導體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群,近期將從原本的30納米制程轉換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量,以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。   海力士相關(guān)人員表示,26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%,6月已超越50%,月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品,成為海力士主力產(chǎn)品。   NAND Flash為非揮發(fā)性?xún)却嫘酒?,即使中斷供電也能儲存信息,是智能型手機、平板計算機等行動(dòng)裝
  • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

臺DRAM產(chǎn)業(yè)集成是唯一之道

  •   存儲器模塊廠(chǎng)金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動(dòng),2010年全球獨立DRAM模塊廠(chǎng)市占率首度突破50%大關(guān),NAND Flash市場(chǎng)布局也成功跨足固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng),面對臺灣上游DRAM廠(chǎng)仍處于生存困境的當下,金士頓創(chuàng )辦人之一的杜紀川表示,認同孫大衛認為臺灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略,唯有計畫(huà)性地將各方力量做結合,才能讓臺灣DRAM廠(chǎng)免受全球經(jīng)濟、市場(chǎng)波動(dòng)沖擊?!?/li>
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

需求趨緩致NAND閃存芯片價(jià)格下降

  •   由于蘋(píng)果等大型企業(yè)的需求不夠強勁,導致5月的NAND閃存芯片合約價(jià)格“快速”降低。   今年5月的NAND芯片價(jià)格的降幅已經(jīng)超過(guò)15%,現貨市場(chǎng)的降幅則在20%左右。蘋(píng)果仍是NAND閃存芯片的最大買(mǎi)家,但需求提升不像往年的第二季度那么強勁?! ?/li>
  • 關(guān)鍵字: ipad  NAND  

終端需求疲軟 NAND Flash合約價(jià)大跌

  •   第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報價(jià)大跌超過(guò)10%,內存模塊廠(chǎng)表示,合計整個(gè)5月現貨報價(jià)跌幅達20%,合約價(jià)合計跌幅也超過(guò)15%,反映終端需求確實(shí)需要新刺激,目前市場(chǎng)是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場(chǎng)認同威剛董事長(cháng)陳立白的基調,預期第3季仍會(huì )比第2季好一些,但市場(chǎng)不至于會(huì )有缺貨或價(jià)格飆漲的情況發(fā)生。
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND Flash  

TMS320VC5410的BOOT設計與實(shí)現?

  • TMS320VC5410的BOOT設計與實(shí)現?,【摘 要】 闡述了TMS320VC5410芯片的2K程序空間的并行I/O串口的BOOT引導方法。
    關(guān)鍵詞:TMS320VC5410,BOOT,數字信號處理
      
      TMS320VC54X系列DSP芯片一般都在片內設置有BOOT程序。BOOT程序的主要作
  • 關(guān)鍵字: 實(shí)現  設計  BOOT  TMS320VC5410  

NAND Flash需求急凍 模組廠(chǎng)瀕臨警戒線(xiàn)

  •   全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期,不僅快閃記憶卡和隨身碟應用需求大幅降溫,甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠(chǎng)亦出現砍單情況,記憶體零售和系統端需求明顯降溫,市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現,使得記憶體模組廠(chǎng)營(yíng)收恐再次探底,部分廠(chǎng)商傳出力守2月?tīng)I收低點(diǎn)的警戒線(xiàn)。不過(guò),以毛利率角度來(lái)看,由于NANDFlash價(jià)格并沒(méi)有出現急跌,因此,模組廠(chǎng)5月毛利率仍可暫時(shí)守穩在水準之上。
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計,摘要:介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制,提供更好的讀寫(xiě)速度,以適應高清播放和高清監控等高存儲要求的應用。分析該新型閃存軟硬件接口的設計方法。
    關(guān)鍵詞:DDR NAN
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式  接口  設計  高性能  閃存  DDR  NAND  基于  

基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統設計

  • 摘要:為了解決目前記錄系統容量小、存儲速度低的問(wèn)題,采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質(zhì),大規模集成電路FPGA為控制核心,通過(guò)使用并行處理技術(shù)和流水線(xiàn)技術(shù)實(shí)現了多片低速FLASH時(shí)高速數據的存儲,提高了整
  • 關(guān)鍵字: FLASH  NAND  大容量  存儲    

存儲器思謀發(fā)展

  •   存儲器是隨著(zhù)計算機而發(fā)展起來(lái)的一種專(zhuān)用電子部件,用于保存數據和程序,傳統上計算機的主存儲器稱(chēng)Memory,外部設備用存儲器稱(chēng)Storage(常用磁盤(pán)、磁帶)。上世紀50年代中期,主存曾用磁芯存儲器,60年代中期以來(lái),半導體存儲器開(kāi)始取代磁芯存儲器。隨著(zhù)時(shí)間的前進(jìn),存儲器獲得了長(cháng)足的發(fā)展。   
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  201105  

Gartner認為SSD將在明年成為市場(chǎng)主流

  •   數年來(lái)固態(tài)硬盤(pán)正在變得越來(lái)越便宜和可靠,但相比大容量的硬盤(pán)而言,這種產(chǎn)品在容量和價(jià)格比上依然顯得有些奢侈,例如40GB的Intel SSD相當于1TB的西部數據硬盤(pán)的價(jià)格。盡管如此,Gartner依然對SSD市場(chǎng)的前景十分看好,并認為到2012年下半年,固態(tài)硬盤(pán)將成為市場(chǎng)的主流,并預期到時(shí)候的價(jià)格將會(huì )下降到每1美元1GB,這意味著(zhù)主流的SSD價(jià)格將下調到100美元以下,例如64GB64美元,從而開(kāi)始被大眾接受。
  • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  

NAND FLASH在儲存測試系統中的應用

  • 0 引言  計算機技術(shù)的高速發(fā)展,存儲系統容量從過(guò)去的幾KB存儲空間,到現在的T8;乃至不久的將來(lái)要達到的PB存儲空間,其數據存取的能力在飛速擴展。隨之而來(lái)產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數據生命周期管
  • 關(guān)鍵字: FLASH  NAND  儲存  測試系統    

三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

  •   5月13日消息,據國外媒體報道,全球最大的內存芯片廠(chǎng)商三星電子周四稱(chēng),它已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場(chǎng)上的任何其它NAND閃存芯片都要快。   
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

NAND Flash大廠(chǎng)積極制程轉換

  •   2011年全球NAND Flash中,全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場(chǎng)龍頭,市占率高達36.2%,緊追在后的是東芝(Toshiba),市占率達35.1%,兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場(chǎng);根據市調機構TrendForce最新統計,2011年第1季NAND Flash品牌供應商的位元出貨量為13%,營(yíng)收成長(cháng)9.9%,達53.63億美元。   2011年第1季全球NAND Flash市場(chǎng)變化相當多,最大影響當屬日本311東北強震,對
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  

三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

  •   據了解,由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。   
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND Flash  

三星、海力士擴大NAND Flash投資

  •   由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。   
  • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  移動(dòng)設備  
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