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存儲技術(shù)變局為中國制造帶來(lái)了什么機遇？
- 縱觀(guān)半導體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現，影響的不只是個(gè)別公司的興衰，更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉型，新技術(shù)是變革者趕超傳統技術(shù)列強的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動(dòng)力源，當年的光盤(pán)存儲技術(shù)興起，就帶動(dòng)了中國整體光盤(pán)機產(chǎn)業(yè)，現在，我們又將迎來(lái)新一輪的存儲技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導體存儲技術(shù)會(huì )給我們的本土企業(yè)帶來(lái)了什么機遇?這里結合自己的體會(huì )聊做分析。
- 關(guān)鍵字： 泰勝微 存儲 NAND FLASH
TDK開(kāi)發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化
- TDK株式會(huì )社成功開(kāi)發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤(pán)eSSD系列，并從4月起開(kāi)始銷(xiāo)售。eSSD系列是通過(guò)多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。 該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實(shí)現了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進(jìn)行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
- 關(guān)鍵字： TDK NAND
U-Boot在LPC2210上的移植分析
- 摘要：在嵌入式系統中運行Linux變得越來(lái)越廣泛,而啟動(dòng)引導程序Bootloader的開(kāi)發(fā)是嵌入式操作系統移植的一個(gè)重 ...
- 關(guān)鍵字： Bootloader U-Boot LPC2210
NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
- 日本災害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續給日本民眾與經(jīng)濟留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線(xiàn)希望，即災害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災害一年后，由于平板電腦、智能手機和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等需要大量存儲的應用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續增長(cháng)。 受日本災害影響最大的NAND閃存供應商是東芝。它的兩家NAND芯片廠(chǎng)Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
- 關(guān)鍵字： NAND 晶圓
NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
- 日本災害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續給日本民眾與經(jīng)濟留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線(xiàn)希望，即災害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災害一年后，由于平板電腦、智能手機和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等需要大量存儲的應用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續增長(cháng)。 受日本災害影響最大的NAND閃存供應商是東芝。它的兩家NAND芯片廠(chǎng)Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%
- 據IHS iSuppli公司的移動(dòng)市場(chǎng)存儲報告，由于經(jīng)濟形勢糟糕和泰國洪災導致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%。 2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營(yíng)業(yè)收入略有增長(cháng)，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。 第四季度NOR營(yíng)業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國發(fā)生洪災導致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤(pán)工廠(chǎng)，造成硬盤(pán)短缺，導致PC銷(xiāo)量下降。NOR營(yíng)業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟黯
- 關(guān)鍵字： NOR NAND
蘋(píng)果轉單海力士 三星NAND營(yíng)收比重略減
- 市場(chǎng)研究機構DIGITIMESResearch專(zhuān)桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶(hù)蘋(píng)果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營(yíng)收較前季約減少5%，DRAM營(yíng)收則微增，使NANDFlash佔該公司記憶體營(yíng)收比重降至38%，佔全球NANDFlash營(yíng)收比重亦續降至34.6%。 反觀(guān)海力士，其N(xiāo)ANDFlash佔公司營(yíng)收比重則維持在30%，佔全球NANDFlash營(yíng)
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
固態(tài)硬盤(pán)每GB容量?jì)r(jià)格將跌破1美元
- 1GB 1美元——這很久以來(lái)就被視為固態(tài)硬盤(pán)真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門(mén)檻，而根據DRAMeXchange的最新報告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買(mǎi)到固態(tài)硬盤(pán)。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會(huì )進(jìn)一步降低，每 GB將會(huì )不足1美元。DRAMeXchange預計，在那之后超極本、超輕薄本都會(huì )從混合硬盤(pán)過(guò)渡到純粹的固態(tài)硬盤(pán)，而后者的主流容量也將升至 128GB。 隨著(zhù)Intel Ivy Bridge處
- 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤(pán) NAND
全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規模達到48.9億美元
- 據媒體報道，根據亞洲最大芯片現貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數據，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭，市場(chǎng)份額達到了34.6%。 集邦科技提供的數據顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長(cháng)了大約5%，而平均銷(xiāo)售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。 集邦科技指出，三星電子
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND
Hynix今年資本支出將上升20% 半數投入NAND
- 外電報導，全球第二大內存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續第2季繳出虧損成績(jì)單;營(yíng)收年減7.2%至2.55兆韓元;營(yíng)損達1,675億韓元，遜于去年同期的營(yíng)益2,940億韓元。根據彭博社調查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據Thomson Reuters調查，分析師原先預期Hynix Q4
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND
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