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三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內存什么的都要堆起來(lái)。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內部采用三星獨有的垂直單元結構，通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。 三星稱(chēng)，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫(xiě)入性能也可達到1xnm N
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半導體廠(chǎng)擴產(chǎn) 力成進(jìn)補
- 不讓韓國三星專(zhuān)美于前，日本半導體大廠(chǎng)東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠(chǎng)，導入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠(chǎng)力成(6239)營(yíng)運挹注成長(cháng)動(dòng)能。 這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋(píng)果中低價(jià)手機和大陸手機的強勁需求。 研究機構統計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
芯片制造設備行業(yè)2014年前景看好
- 據國外媒體報道，芯片廠(chǎng)商尚未打破增長(cháng)-衰退交替出現的規律。周一從芯片行業(yè)展會(huì )SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是，盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長(cháng)的預期落空，但明年的前景要光明得多。 SEMI(半導體設備暨材料協(xié)會(huì ))預計，2013年芯片制造設備營(yíng)收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測，2014年芯片制造設備營(yíng)收將猛增21%。 當然，SEMI以往曾對芯片制造設備營(yíng)收作出過(guò)高的預期。1年前，SEMI曾預計2013年芯片制造設備營(yíng)收將增長(cháng)約1
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2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會(huì )變好
- 根據國外媒體的報道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現衰退，預計芯片制造設備的全年營(yíng)收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預計2013年芯片制造設備營(yíng)收會(huì )增長(cháng)10%。 這次衰退預計同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂(lè )觀(guān)預計已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開(kāi)始，以NAND閃存為首的芯片廠(chǎng)商對芯片制造設備的訂單就已經(jīng)開(kāi)始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩定，主要是因為消費類(lèi)電子產(chǎn)品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動(dòng)的統治地位。 不過(guò)SEMI依然對2014年的發(fā)展
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中國廠(chǎng)商成全球芯片行業(yè)增長(cháng)新引擎
- 導語(yǔ)：路透社今天撰文指出，近年來(lái)高端手機市場(chǎng)的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋(píng)果公司的增長(cháng)也開(kāi)始放緩，但隨著(zhù)華為、聯(lián)想等中國移動(dòng)廠(chǎng)商的強勢崛起，以及中國移動(dòng)市場(chǎng)的火爆，中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長(cháng)的新引擎。 以下為文章全文： 重新掌握主動(dòng) 隨著(zhù)中國低端智能手機和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動(dòng)設備廠(chǎng)商的強勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠(chǎng)商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
內存芯片商揚眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢(qián)了
- 7月5日消息，由于中國廉價(jià)平板、智能手機需求增長(cháng)，由于中國移動(dòng)設備商的出現，東芝、海力士等內存商終于擺脫了倒霉運，開(kāi)始收獲金錢(qián)了。 在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場(chǎng)增速沒(méi)過(guò)去那么快了，但是，這些設備渴望裝上更大的內存，也會(huì )刺激內存銷(xiāo)售的增長(cháng)。 兩種趨勢之下，加上2011年以來(lái)內存商縮減投資，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器)和NAND內存芯片價(jià)格已經(jīng)開(kāi)始回升，在廠(chǎng)商面前，內存制造商抬起頭來(lái)，它們有了更高的議價(jià)能力。 I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
- 關(guān)鍵字： 內存芯片 NAND
NAND需求旺盛 模塊廠(chǎng)Q3將迎來(lái)火爆場(chǎng)面
- 存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)昨(20)日召開(kāi)法說(shuō)會(huì )，執行長(cháng)MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季，并指出未來(lái)12個(gè)月，NAND市場(chǎng)產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強勁，幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來(lái)形容，因此對下半年NAND市場(chǎng)抱持樂(lè )觀(guān)正面看法。 根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，由于全球4大供應商近一年來(lái)沒(méi)有擴產(chǎn)動(dòng)作，加上制程微縮難度太高導致速度放緩，第3季NANDFlash位元成長(cháng)率恐低于10%，但因行動(dòng)裝置及固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)進(jìn)入
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
NAND在2012年第四季度表現強勁
- 據IHS iSuppli公司的數據閃存市場(chǎng)追蹤報告，低端平板電腦市場(chǎng)相對強健，幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現，提升了全年營(yíng)業(yè)收入水平，并縮減了2012年虧損程度。 2012年第四季度NAND營(yíng)業(yè)收入為58億美元，比第三季度的48億美元增長(cháng)17%，這是當年表現最好的一個(gè)季度，如圖3所示。在最后一個(gè)季度的強力推動(dòng)下，2012年全年NAND營(yíng)業(yè)收入達到200億美元，比2011年只下降4.6%，降幅小于最初擔憂(yōu)的水平。 圖3：2012年各季度全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入預估(以百
- 關(guān)鍵字： NAND 平板電腦
日系半導體公司一季度恢復盈利
- 根據Digitimes的研究報告顯示，日本前三大半導體公司，東芝，瑞薩電子和索尼，盡管2012財年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續降低，但利潤已經(jīng)提高。 其中，東芝今年第一季度NAND閃存營(yíng)業(yè)收入達到了1730億日元(17.1億美元)，達到2010年第一季度以來(lái)的最高水平。NAND閃存營(yíng)業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價(jià)格穩定。東芝已經(jīng)看到半導體營(yíng)業(yè)收入和營(yíng)業(yè)利潤連續三個(gè)季度增長(cháng)。 瑞薩電子今年第一季度營(yíng)業(yè)收入，環(huán)比下降1.9%，達到1739億日元。然而，在連續七個(gè)季度的經(jīng)營(yíng)虧
- 關(guān)鍵字： 瑞薩電子 閃存 NAND
DRAM看漲 類(lèi)股營(yíng)運走俏
- 由于韓國三星半導體將七成存儲器供自家手機、平板及電視使用下，加上大陸白牌平板計算機、智能手機備貨潮重新啟動(dòng)，存儲器近期報價(jià)緩步上揚，DDR32Gb均價(jià)每顆站上1.74美元，站上二年多來(lái)新高，相關(guān)DRAM族群營(yíng)運看俏。 ? 此外，NANDFlash應用大廠(chǎng)群聯(lián)預期，今年7、8月，NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境，擁有強力貨源為后盾的廠(chǎng)商將受惠。 市場(chǎng)得知，三星將把七成行動(dòng)存儲器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后，市場(chǎng)備貨潮5月中旬再度啟動(dòng)，讓標準型DRAM現貨報價(jià)再度揚升，站上
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