半導體廠(chǎng)擴產(chǎn) 力成進(jìn)補

　　不讓韓國三星專(zhuān)美于前，日本半導體大廠(chǎng)東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠(chǎng)，導入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠(chǎng)力成(6239)營(yíng)運挹注成長(cháng)動(dòng)能。

　　這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋(píng)果中低價(jià)手機和大陸手機的強勁需求。

　　研究機構統計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球之冠，市占率37%;東芝排名第二，市占率31%。據了解，受惠日圓貶值，以及蘋(píng)果和大陸品牌下單量攀升，加上先前調節性減產(chǎn)，讓東芝NAND Flash已無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，決定7月起開(kāi)始增產(chǎn)。

　　稍早東芝表示，為確保NAND Flash次世代制程產(chǎn)品及3D存儲器的生產(chǎn)空間，將于旗下位于三重縣四日市第三座12寸NAND Flash廠(chǎng)「Fab 5」的第二期工程興建新廠(chǎng)，8月底動(dòng)工興建，2014年夏天完工，但新廠(chǎng)工程的設備導入時(shí)間、量產(chǎn)時(shí)間、產(chǎn)能及生產(chǎn)計劃等細節，將視市場(chǎng)動(dòng)向決定。

　　東芝的Fab 5第一期工程廠(chǎng)房由東芝投資興建，包括東芝和美商新帝(SanDisk)合資的NAND Flash生產(chǎn)線(xiàn)。隨著(zhù)三星決定加碼擴產(chǎn)，將今年資本支出上修至24兆韓元，其中13兆韓元用于強化DRAM、NAND Flash及邏輯IC競爭力，讓東芝和晟碟決定加快建廠(chǎng)腳步。