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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
全球半導體市況良好 韓廠(chǎng)火熱、日廠(chǎng)躊躇
- 全球半導體市場(chǎng)第3季，以870億美元創(chuàng )下史上最高營(yíng)收紀錄，景氣持續樂(lè )觀(guān)。其中亞太地區比前年增加12.0%成長(cháng)最多，南韓業(yè)者營(yíng)收屢創(chuàng )新高，然而日本地區卻出現成長(cháng)衰退跡象。 據Digital Times報導，日前美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SIA)宣布，第3季半導體產(chǎn)業(yè)全球營(yíng)收，與前年同期相比成長(cháng)8.0%，以870億美元創(chuàng )下史上單季最高紀錄。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半導體貿易統計組織(WSTS)在7月預測的年度成長(cháng)值6.5%。 SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半導
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM NAND
Spansion 推出面向消費電子、通信和工業(yè)嵌入式系統的工業(yè)級e.MMC 存儲產(chǎn)品
- 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng )新廠(chǎng)商Spansion公司今日宣布推出面向消費、通信和工業(yè)設備市場(chǎng)的工業(yè)級e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可滿(mǎn)足上述市場(chǎng)對可靠、更高密度存儲日益增長(cháng)的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領(lǐng)先業(yè)界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應用的SLC NAND閃存產(chǎn)品組合。 Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
- 關(guān)鍵字： Spansion NAND MMC
OEM需求拉貨動(dòng)能增溫，第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，eMMC/eMCP與SSD的成長(cháng)力道均高于上半年，NAND Flash價(jià)格表現也相對穩健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，有助于各家業(yè)者成本結構的改善，而隨著(zhù)蘋(píng)果第四季iPhone表現持續亮眼以及新產(chǎn)品的問(wèn)世，整體N
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD iPhone6
LED產(chǎn)業(yè)推動(dòng)中國半導體時(shí)代的來(lái)臨
- 過(guò)去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進(jìn)的半導體技術(shù)不會(huì )到中國投資，某些國家的政府對于輸出特定半導體技術(shù)到中國投資都有設定限制，因此過(guò)去國際半導體廠(chǎng)在中國投資半導體相關(guān)事業(yè)，以芯片封裝測試廠(chǎng)、8 寸以下晶圓廠(chǎng)為主。不過(guò)，這個(gè)局面在中國市場(chǎng)打開(kāi)，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來(lái)買(mǎi)技術(shù)、買(mǎi)設備與外資合作建立中國半導體產(chǎn)業(yè)的新局后，有了重大改變。 英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機芯片廠(chǎng)展訊聯(lián)合宣布，以 15 億美元入股紫光集團，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內存事
- 關(guān)鍵字： AMD Spansion NAND
中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程
- 中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶(hù)生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠(chǎng)。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿(mǎn)足特殊存儲器無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)對高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續增長(cháng)的需求，使中芯國際占據該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 NAND 閃存是近年來(lái)發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領(lǐng)域?？蛻?hù)也可利用此技術(shù)帶動(dòng)串行外設接
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 NAND
iPhone 6推升智能手機NAND搭載容量
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調查報告顯示，蘋(píng)果(Apple) 9月份推出大螢幕尺寸的 iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷(xiāo)，帶動(dòng) 2014全年 iPhone 銷(xiāo)售量提升至1.88支，年成長(cháng)率高達22%，成功扭轉過(guò)去一年來(lái)iPhone趨緩的銷(xiāo)售動(dòng)能，重新站穩高階智慧型手機領(lǐng)導廠(chǎng)商的地位;值得注意的是，蘋(píng)果這次的改變除了將螢幕尺寸從一直堅守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲存容量與價(jià)格上也開(kāi)始展現更積極的策略。 DRAMeXchange
- 關(guān)鍵字： 智能手機 NAND
新蘋(píng)效應 NAND下月涌急單
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠(chǎng)群聯(lián) (8299)董事長(cháng)潘健成表示，智慧手機市場(chǎng)本季需求不振，主要是受到市場(chǎng)上迷漫觀(guān)望氣氛影響，直到蘋(píng)果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規格之后，其它手機品牌廠(chǎng)出現搶零組件熱潮。 他說(shuō)，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。 潘健成表示，先前消費者期待iPhone 6上市，導致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷(xiāo)售不佳;其它品牌的Android系統也在第2季出現清庫存的情況，上游供應商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
- 關(guān)鍵字： NAND 控制晶片
東芝四日市新廠(chǎng)動(dòng)土2015年起量產(chǎn)3D NAND
- 核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠(chǎng)，主持采用更高精度制程NAND Flash廠(chǎng)、第五工廠(chǎng)第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠(chǎng)、第二工廠(chǎng)新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場(chǎng)的積極作為。 東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠(chǎng)，主持采用更高精度制程NAND Flash廠(chǎng)、第五工廠(chǎng)第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠(chǎng)、第二工廠(chǎng)新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場(chǎng)的積極作為。 由于智能型手
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了
- 雖然規模和技術(shù)遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現在他們準備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶(hù)推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤(pán)以及消費電子上所用的存儲器多數都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 NAND
東芝在閃存峰會(huì )上展示最新NAND和存儲產(chǎn)品
- 東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(huì )(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。閃存峰會(huì )是全球最大的閃存討論會(huì )，于8月5至7日在美國加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì )議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。 閃存峰會(huì )的展覽環(huán)節在會(huì )議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號展位布展。 主要展品 ??? 1、企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)(eSSD)： ??? 企業(yè)級讀密集型
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 固態(tài)硬盤(pán)
匯聚中國移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統領(lǐng)導廠(chǎng)商 第二屆閃迪年度客戶(hù)研討會(huì )圓滿(mǎn)舉行
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司今日宣布，來(lái)自移動(dòng)設備、平板電腦和消費類(lèi)電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統的300多位領(lǐng)導廠(chǎng)商本周齊聚中國深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì )。本次活動(dòng)于8月26日舉行，囊括了中國及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應商的代表)，共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的新技術(shù)、新應用、新趨勢和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì )邀請了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導者擔任演講嘉賓
- 關(guān)鍵字： 閃迪 智能手機 NAND
終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩健增長(cháng)
- TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，由于智能手機、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩健增長(cháng)，固態(tài)硬盤(pán)在筆記本電腦以及服務(wù)器與數據中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應用也將逐漸導入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規模將提升至266億美元，年增長(cháng)9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2014年NANDFlash需求位增長(cháng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開(kāi)始導入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(cháng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢觀(guān)察的重
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置
三星、東芝競擴產(chǎn)NAND Flash報價(jià)恐跌三成
- 全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長(cháng)持續大于需求，預估NANDFlash今年底報價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續至2018年。 市調機構IHSiSuppli最新報告預測，NANDFlash今年底報價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠低于去年的0.71美元，預估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復合成長(cháng)率為負的28%。 NANDFlash產(chǎn)出過(guò)多是導致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計算，IHSiSuppl估計，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
Spansion全新閃存設備不懼熱力來(lái)襲
- 并非所有的嵌入式應用都“生而平等”。在設計者們繼續尋求途徑改善用戶(hù)體驗和性能等方面的過(guò)程中，一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應用的運行環(huán)境。從北極地區冰冷刺骨的戶(hù)外天線(xiàn)，到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機，嵌入式應用所需支持的環(huán)境千差萬(wàn)別。嵌入式系統及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運作，還必須保持其交流和直流參數以及其它規格要求。如果在極端溫度范圍內無(wú)法滿(mǎn)足所有規格要求，必須做出得失權衡，就必須記錄下這一信息，并在設計過(guò)程中進(jìn)行共享。在汽車(chē)、消費、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò )或通信應用中，
- 關(guān)鍵字： Spansion NAND FL1-K
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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