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ROHM開(kāi)發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結構※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)的充電站等。此次新開(kāi)發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設備的功耗。另外，羅姆也已開(kāi)始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
科銳宣布與德?tīng)柛？萍奸_(kāi)展汽車(chē)SiC器件合作
- 近日，科銳宣布與德?tīng)柛？萍迹―elphi Technologies PLC）開(kāi)展汽車(chē)碳化硅（SiC）器件合作。
- 關(guān)鍵字： 科銳 德?tīng)柛？萍?/a> SiC
SiC: 為何被稱(chēng)為是新一代功率半導體？
- 王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036） SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。據SiC廠(chǎng)商羅姆基于IHS的調查顯示，2025年整個(gè)市場(chǎng)規模將達到約23億美元。在應用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē)）。隨著(zhù)SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì )得到更多的應用?！ 〔贿^(guò)，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì )相應地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
- 關(guān)鍵字： 201909 新一代功率半導體 SiC
SiC將達23億美元規模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向
- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車(chē)）。隨著(zhù)SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì )得到更多的應用。? ? ? 不過(guò)，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì )相應地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠(chǎng)商競爭
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機型， 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車(chē)載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機型，該系列產(chǎn)品支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機型?！ OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)體制構建。在需求不斷擴大的車(chē)載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車(chē)載品質(zhì)，并于2012年開(kāi)始供應車(chē)載充電器用的SiC肖特
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET
安森美半導體將在A(yíng)PEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案
- 2019年3月14日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開(kāi)發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡(jiǎn)易評估應用廣泛的電源方案，使用戶(hù)能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心?！ trata Developer S
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
集邦咨詢(xún)：需求持續擴張，2019年中國功率半導體市場(chǎng)規模逾2,900億元
- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機構集邦咨詢(xún)在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國功率半導體市場(chǎng)規模大幅成長(cháng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長(cháng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規模為717億元人民幣，較2017年同比增長(cháng)8%?！ 〖钭稍?xún)分析師謝瑞峰指出，功率半導體作為需求驅動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年
- 關(guān)鍵字： IGBT SiC
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(SCT)表現。具體而言，該實(shí)驗的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗室測量，并借助一個(gè)穩健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 熱模型
Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性
- 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級。新品件經(jīng)過(guò)設定后可支持不同的門(mén)極驅動(dòng)電壓，來(lái)滿(mǎn)足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動(dòng)器、電焊機和電源?！ IC1182K可在125°C結溫下提供8
- 關(guān)鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET
第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們在未來(lái)的大功率、高溫、高壓應用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統的硅器件無(wú)法實(shí)現的作用。特別是在未來(lái)三大新興應用領(lǐng)域(汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車(chē)方面，會(huì )有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)?！ ?shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
- 關(guān)鍵字： 半導體 SiC GaN
北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體，推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
- 11月30日，北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室。北汽新能源執行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書(shū)，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗室揭牌?！ ≡撀?lián)合實(shí)驗室的成立，是北汽新能源在新能源汽車(chē)領(lǐng)域不斷加強自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措，聯(lián)合實(shí)驗室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開(kāi)發(fā)?！ 〗陙?lái)，以SiC為代表的第三代功率半導體材料，已經(jīng)被廣泛應用在新能源
- 關(guān)鍵字： 北汽新能源 羅姆半導體 SiC
使用SiC技術(shù)攻克汽車(chē)挑戰
- 摘要 – 在未來(lái)幾年投入使用SiC技術(shù)來(lái)應對汽車(chē)電子技術(shù)挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實(shí)現具有重大經(jīng)濟和社會(huì )影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動(dòng)。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭，20個(gè)項目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測試和應用方面展開(kāi)為期36個(gè)月的開(kāi)發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車(chē)相關(guān)的內容，重點(diǎn)介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
- 關(guān)鍵字： SiC WInSiC4AP
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