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3dic chiplet
3dic chiplet 文章 進(jìn)入3dic chiplet技術(shù)社區
封裝與晶粒接口技術(shù)雙管齊下 小芯片發(fā)展加速
- 當延續摩爾定律的開(kāi)發(fā)重點(diǎn)，也就是單一芯片晶體管數量的世代更迭仍因技術(shù)受阻而放緩，未來(lái)芯片市場(chǎng)逐漸開(kāi)始擁抱小芯片的設計思維，透過(guò)廣納目前供應鏈成熟且靈活的先進(jìn)制程技術(shù)，刺激多方廠(chǎng)商展開(kāi)更多合作，進(jìn)一步加速從設計、制造、測試到上市的流程，讓更多高效節能的芯片與物聯(lián)網(wǎng)成真。要說(shuō)目前市場(chǎng)上最主流的芯片設計，必非「系統單芯片（SoC）」莫屬。就這點(diǎn)，近年最廣為熱論的焦點(diǎn)就鎖定蘋(píng)果2020年推出基于A(yíng)rm架構的自制芯片M1，而日前盛大舉行的蘋(píng)果2021年首場(chǎng)全球新品發(fā)布會(huì )中，最新一代iMac更揭曉為繼MacBook之
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小芯片Chiplet夯什么？挑戰摩爾定律天花板
- 大人物(大數據、人工智能、物聯(lián)網(wǎng))時(shí)代來(lái)臨，高效能、低功耗、多功能高階制程芯片扮演重要角色，隨著(zhù)功能增加，芯片面積也越來(lái)越大，想降低芯片成本，先進(jìn)封裝技術(shù)不可或缺。棘手的是，先進(jìn)封裝技術(shù)導入過(guò)程中，很可能因為良率不穩定導致成本墊高。另一方面，新功能芯片模塊在面積變大之余也要克服摩爾定律(Moore’s Law)物理極限，在晶體管密度與效能間找到新的平衡。前述兩個(gè)問(wèn)題，小芯片(Chiplet)有解！實(shí)驗研究院臺灣半導體研究中心(簡(jiǎn)稱(chēng)國研院半導體中心)副主任謝嘉民指出，過(guò)去的芯片效能提升多仰賴(lài)半導體制程改進(jìn)，
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Imagination CEO：在逆境中創(chuàng )新，向更好未來(lái)邁進(jìn)
- 由于疫情不斷蔓延，加上大國之間的關(guān)系變得冷淡，過(guò)去一年對個(gè)人和企業(yè)來(lái)說(shuō)都是動(dòng)蕩不安的。在2019年底時(shí)，沒(méi)人能預知我們現在的處境，因此未來(lái)的12個(gè)月及之后的時(shí)間同樣難以預測和規劃。然而，在目睹整個(gè)世界特別是半導體產(chǎn)業(yè)如何因應疫情的發(fā)展之后，也讓我們意識到更多積極的事情將不斷到來(lái)。受益者和受損者半導體產(chǎn)業(yè)規模龐大，許多領(lǐng)域受到了影響，其中一些領(lǐng)域出現了發(fā)展放緩的現象。例如，由于政府將時(shí)間和資金都集中用于抗擊疫情，因此大型基礎設施和智慧城市的部署速度有所減慢。但另一方面，?自疫情爆發(fā)以來(lái)，消費類(lèi)市場(chǎng)
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新思科技推出業(yè)界首個(gè)統一平臺3DIC Compiler，以加速多裸晶芯片系統設計和集成
- 重點(diǎn)：3DIC Compiler基于新思科技的Fusion Design Platform、世界級引擎和數據模型，在單一用戶(hù)環(huán)境下提供一個(gè)綜合性的端到端解決方案，具有針對先進(jìn)多裸晶芯片系統設計的全套功能提供強大的三維視圖功能，為2.5D/3D封裝可視化提供直觀(guān)的環(huán)境，顯著(zhù)減少設計到分析的迭代次數，并最大限度地縮短整體集成時(shí)間提供與Ansys硅-封裝-印刷電路板技術(shù)的緊密集成，以進(jìn)行系統級信號、功率和熱量分析新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日推出其3DIC Co
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金升陽(yáng)新的DC-DC定壓R4電源：涅槃重生，創(chuàng )“芯”未來(lái)
- 1 “芯片級”模塊電源的誕生DC-DC定電壓電源模塊是金升陽(yáng)公司的拳頭產(chǎn)品，在全球有數十萬(wàn)用戶(hù)，可謂世界級的產(chǎn)品。2020年，金升陽(yáng)歷經(jīng)多年技術(shù)沉淀，推出第四代定壓產(chǎn)品（簡(jiǎn)稱(chēng)“定壓R4”），可謂具有突破性的“芯片級”的模塊電源（如圖1）。實(shí)際上，金升陽(yáng)的定壓系列產(chǎn)品從R1升級到R2，再到R3代，每次更迭換代，產(chǎn)品都進(jìn)行了非常多的電路和工藝技術(shù)突破；但是封裝工藝上還是一樣，仍沿用傳統的灌封/塑封工藝，產(chǎn)品結構和外觀(guān)沒(méi)有顯著(zhù)變化。不過(guò)，此次推出的新的定壓R4代電源模塊，最大的技術(shù)創(chuàng )新點(diǎn)就是在封裝工藝上取得了重
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硅通孔3DIC工藝顯著(zhù)減小傳感器的外形尺寸
- 引言 更小的外形尺寸、卓越的功能、更出色的性能和更低的BOM(物料成本)是系統工程師在開(kāi)發(fā)傳感器和傳感器接口應用等復雜電子產(chǎn)品時(shí)面臨的主要挑戰?？s小芯片尺寸可以通過(guò)使用集成密度更高的小型制程節點(diǎn)實(shí)現，而系統的小型化則可以通過(guò)使用先進(jìn)的封裝技術(shù)來(lái)達成。如今，對更高系統集成度的需求與日俱增，這也促使那些傳統的封裝服務(wù)供應商和半導體公司著(zhù)手開(kāi)發(fā)更具創(chuàng )新性、更為先進(jìn)的封裝技術(shù)。其中前景廣闊，同時(shí)也具有挑戰性的當屬采用硅通孔(TSV)的3D集成電路(3DIC)。3DIC技術(shù)現已被廣泛應用于數字集成電路(例如存
- 關(guān)鍵字： 3DIC 傳感器
半導體展買(mǎi)氣勝往年 臺灣半導體業(yè)看好
- 國內年度半導體業(yè)展會(huì )盛事「SEMICONTaiwan2014」九月三日至五日舉行。主辦單位「國際半導體設備材料協(xié)會(huì )」(SEMI)臺灣區副總裁何玫玲表示，此次展覽規模，創(chuàng )下歷年最高紀錄，總計超過(guò)六百五十家廠(chǎng)商、一千四百一十個(gè)攤位，參展廠(chǎng)商和參觀(guān)人數則突破四萬(wàn)。比起去年，何玫玲直言，今年展覽買(mǎi)氣強旺，買(mǎi)主洽談會(huì )共約六十場(chǎng)，這是往年沒(méi)有發(fā)生的現象。 2014年半導體展概念股臺廠(chǎng)營(yíng)運情形 何玫玲分析并解釋說(shuō)，買(mǎi)氣旺盛，應是國內龍頭廠(chǎng)商臺積電(2330)、聯(lián)電(2303)等，近年大力扶持國內
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手機芯片加速整合 3D IC是重要武器
- 3D IC將是半導體業(yè)者站穩手機晶片市場(chǎng)的必備武器。平價(jià)高規智慧型手機興起，已加速驅動(dòng)內部晶片整合與制程演進(jìn);然而，20奈米以下先進(jìn)制程研發(fā)成本極高，但所帶來(lái)的尺寸與功耗縮減效益卻相對有限，因此半導體廠(chǎng)已同步展開(kāi)3D IC技術(shù)研發(fā)，以實(shí)現更高的晶片整合度，其中，三星已率先宣布將于2014年導入量產(chǎn)。 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導體中心研究員蔡宗廷認為，MEMS技術(shù)將是手機設計差異化的關(guān)鍵，包括MEMS自動(dòng)對焦和振蕩器的出貨成長(cháng)均極具潛力。 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導體中心研究員蔡宗廷表示，2013～2015
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SEMI中國封測委員會(huì )第五次會(huì )議聚焦3DIC標準
- 在西安市高新開(kāi)發(fā)區管委會(huì )大力支持下，SEMI中國封測委員會(huì )第五次會(huì )議近日在西安成功召開(kāi)。SEMI全球副總裁、中國區總裁陸郝安與西安高新開(kāi)發(fā)區安主任共同為會(huì )議致辭，吳凱代表SEMI中國同與會(huì )者分享了中國半導體及封測市場(chǎng)現況、SEMI標準制定流程和重要意義、SEMI標準在北美的成功案例等主題報告。經(jīng)過(guò)熱烈討論，代表們就3DIC標準的制訂在以下幾個(gè)方面達成共識： 一是臺灣和北美對3DIC發(fā)展方向也不明確，中國半導體投資巨大且貼近應用市場(chǎng)，有機會(huì )趕上歐美先進(jìn)水平，甚至在特定領(lǐng)域可實(shí)現"彎道
- 關(guān)鍵字： 封測 3DIC
中芯國際成立視覺(jué)、傳感器以及3DIC中心
- 中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)宣布成立視覺(jué)、傳感器和3DIC中心(簡(jiǎn)稱(chēng)CVS3D)。中芯國際CVS3D整合、強化了中芯國際在硅傳感器、通過(guò)硅通孔(TSV)技術(shù)和其他中端晶圓制程技術(shù)(MEWP)的上的研發(fā)和生產(chǎn)制造能力。而MEWP技術(shù)帶動(dòng)了在CMOS圖像傳感器、MEMS傳感器、三維堆疊設備，和基于TSV2.5D和3D的高性能系統級封裝(SiP)方面的顯著(zhù)進(jìn)步。 半導體行業(yè)正快速采用基于TSV2.5D和3DIC的技術(shù)，使系統芯片進(jìn)一步小型化，同時(shí)降低功耗、提高設備和系統性能。根據201
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 3DIC
美商Altera公司與TSMC采用CoWoS生產(chǎn)技術(shù)
- 美商Altera公司與TSMC22日宣布，采用TSMC CoWoS生產(chǎn)技術(shù)共同開(kāi)發(fā)全球首顆能夠整合多元芯片技術(shù)的三維集成電路(Heterogeneous 3DIC)測試芯片，此項創(chuàng )新技術(shù)系將模擬、邏輯及內存等各種不同芯片技術(shù)堆棧于單一芯片上組合而成，可協(xié)助半導體產(chǎn)業(yè)超越摩爾定律的發(fā)展規范，而TSMC的CoWoS整合生產(chǎn)技術(shù)能夠提供開(kāi)發(fā)3DIC技術(shù)的半導體公司一套完整的解決方案，包括從前端晶圓制造到后端封裝測試的整合服務(wù)。
- 關(guān)鍵字： Altera 測試芯片 3DIC
半導體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
- 時(shí)序即將進(jìn)入2012年，半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續進(jìn)行變革，其中3D IC便為未來(lái)芯片發(fā)展趨勢，將促使供應鏈加速投入3D IC研發(fā)，其中英特爾(Intel)在認為制程技術(shù)將邁入3D下，勢必激勵其本身的制程創(chuàng )新。另外在半導體業(yè)者預期3D IC有機會(huì )于2013年出現大量生產(chǎn)的情況下，預估2013年也可視為是3D IC量產(chǎn)元年。 3D IC為未來(lái)芯片發(fā)展趨勢，其全新架構帶來(lái)極大改變，英特爾即認為，制程技術(shù)將邁入3D，未來(lái)勢必激勵技術(shù)創(chuàng )新。英特爾實(shí)驗室日前便宣布與工研院合作，共同合作開(kāi)發(fā)3D IC架構且具低功耗
- 關(guān)鍵字： 半導體制程 3DIC
3dic chiplet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3dic chiplet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3dic chiplet的理解，并與今后在此搜索3dic chiplet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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