日本佳能:我們能造2nm芯片!不需要ASML光刻機
日本光刻機大廠(chǎng)佳能(Canon)在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓?。∟anoprinted lithography,NIL)設備FPA-1200NZ2C之后,佳能首席執行官御手洗富士夫近日在接受采訪(fǎng)時(shí)再度表示,該公司新的納米壓印技術(shù)將為小型半導體制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟一條道路,使得生產(chǎn)先進(jìn)芯片的技術(shù)不再只有少數大型半導體制造商所獨享。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202312/454270.htm納米壓印技術(shù)并不利用光學(xué)圖像投影的原理將集成電路的微觀(guān)結構轉移到硅晶圓上,而是更類(lèi)似于印刷技術(shù),直接通過(guò)壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次,就可以在特定的位置形成復雜的2D或3D電路圖。
當下的5nm制程的先進(jìn)半導體制造設備市場(chǎng),則由ASML的EUV光刻機所壟斷,單臺價(jià)格約1.5億美元。
對于接下來(lái)更為先進(jìn)的2nm及以下制程的芯片,ASML也推出了成本更為高昂的High-NA EUV光刻機,單臺價(jià)格或將超過(guò)3億美元,這也使得尖端制程所需的成本越來(lái)越高。
相比之下,佳能的目前納米壓印技術(shù)將可以使得芯片制造商不依賴(lài)于EUV光刻機就能生產(chǎn)最小5nm制程節點(diǎn)的邏輯半導體。
佳能半導體設備業(yè)務(wù)部長(cháng)巖本和德還表示,如果改進(jìn)光罩,納米壓印甚至可以生產(chǎn)2nm先進(jìn)制程的芯片。
佳能的納米壓印技術(shù)或許將有機會(huì )幫助佳能縮小其與ASML的差距。
更為關(guān)鍵的是,佳能的納米壓印設備成本和制造成本都遠低于A(yíng)SML的EUV光刻機。巖本和德表示,客戶(hù)的成本因條件而異,據估算1次壓印工序所需要的成本,有時(shí)能降至傳統曝光設備工序的一半。而且,因為納米壓印設備的規模較小,在研發(fā)等用途方面也更容易引進(jìn)。
佳能CEO御手洗富士夫此前曾表示,該公司的納米壓印設備的“價(jià)格將比ASML的EUV光刻機低一位數(即僅有10%)”。
在客戶(hù)方面,佳能表示目前收到了半導體廠(chǎng)商、大學(xué)、研究所的很多咨詢(xún),以期待作為EUV設備的替代產(chǎn)品,使納米壓印設備備受期待。預計,該設備將可用于閃存、個(gè)人電腦用DRAM,以及邏輯等多種半導體生產(chǎn)用途上。
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