爭搶1xnm代工商機 晶圓廠(chǎng)決戰FinFET制程

　　鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠(chǎng)新角力戰場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰策略，預計將于2014～2015年陸續投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場(chǎng)頓時(shí)硝煙彌漫。

　　FinFET制程將成晶圓廠(chǎng)新的角力戰場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢，臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開(kāi)戰時(shí)刻設定于2014?2015年;同時(shí)也各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰策略，期抗衡英特爾和三星等IDM的規模優(yōu)勢，讓整個(gè)晶圓代工市場(chǎng)頓時(shí)硝煙彌漫。

　　鰭式電晶體(FinFET)技術(shù)可有效控管電晶體閘極漏電流問(wèn)題，并提高電子移動(dòng)率，因而能大幅提升晶片運算效能同時(shí)降低功耗，現已成為全球晶圓廠(chǎng)邁向下一個(gè)制程節點(diǎn)的唯一途徑。一線(xiàn)大廠(chǎng)正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米FinFET量產(chǎn)腳步，搶先圈地市場(chǎng)商機。

　　其中，IBM授權技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14納米FinFET前段閘極結合20納米后段金屬導線(xiàn)(BEOL)制程的方式達成試量產(chǎn)目標;而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類(lèi)似的混搭技術(shù)，足見(jiàn)此設計方式已成為晶圓廠(chǎng)進(jìn)入FinFET世代的共通策略。

　　縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程　晶圓廠(chǎng)競逐FinFET混搭制程

　　由于各家廠(chǎng)商均將FinFET視為下一階段的制程布局重點(diǎn)，且邁入16/14納米的起跑點(diǎn)相當靠近，可望打破臺積電在28納米制程一支獨秀的局面，使晶圓廠(chǎng)之間的競爭態(tài)勢更加激烈且膠著(zhù)。

　　聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷(xiāo)處處長(cháng)黃克勤表示，14或16納米FinFET對晶圓代工廠(chǎng)而言系重大技術(shù)革新，無(wú)論是立體電晶體結構設計、材料摻雜比例、溫度和物理特性掌握的難度均大幅攀升;尤其在BEOL方面，要在短時(shí)間內將金屬導線(xiàn)制程微縮至1x納米的密度相當不容易，因此各家晶圓廠(chǎng)遂計劃在晶圓前段閘極制程(FEOL)先一步導入FinFET，并沿用20納米BEOL方案，以縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程和減輕投資負擔。

　　其中，聯(lián)電、格羅方德和三星已先后在2012年與IBM簽訂14納米FinFET合作計劃，并分別預定于2014年底~2015年，以14納米FinFET FEOL混搭20納米MEOL/BEOL的方式導入量產(chǎn)。

　　黃克勤認為，混搭方案將是推進(jìn)半導體制程提早1年演進(jìn)到1x納米FinFET的關(guān)鍵布局，不僅能加速設計與測試流程，亦有助控制成本，預估晶圓代工業(yè)者初期都將采用此一架構，待技術(shù)日益成熟后才會(huì )全面升級為純16或14納米制程?，F階段，聯(lián)電已授權引進(jìn)IBM在半導體材料研究方面的Know-how與技術(shù)支援，將用來(lái)優(yōu)化自行研發(fā)的14和20納米混搭制程，將于2015年正式投產(chǎn)。

　　格羅方德全球業(yè)務(wù)行銷(xiāo)暨設計品質(zhì)執行副總裁Mike Noonen也強調，該公司將于2014年底搶先業(yè)界推出14nm-XM制程，可充分利用現有20納米設備和技術(shù)資源，降低FinFET研發(fā)和制造成本，并簡(jiǎn)化客戶(hù)新一代處理器的設計難度，盡速實(shí)現以立體電晶體結構減輕閘極漏電流的目標，進(jìn)而延伸摩爾定律(Moore"s Law)至新境界。

　　此外，臺積電近期也宣布2014年量產(chǎn)20納米后，將提前1年至2015年發(fā)表16納米FinFET制程，業(yè)界也預估其第一個(gè)量產(chǎn)版本將導入20納米BEOL混搭方案，才能順利在短短1年內實(shí)現16納米。由此可見(jiàn)，一線(xiàn)晶圓代工業(yè)者在挺進(jìn)FinFET領(lǐng)域的時(shí)間和成本壓力下，采用混搭結構已成為一門(mén)顯學(xué)。

　　除了與同業(yè)互尬FinFET制程量產(chǎn)速度外，臺積電亦考量純晶圓代工廠(chǎng)進(jìn)入高投資、高技術(shù)門(mén)檻的FinFET世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導體設備/材料，以及電子設計自動(dòng)化(EDA)供應商等合作夥伴的力量，強化其在FinFET市場(chǎng)的競爭力。

　　臺積電董事長(cháng)暨總執行長(cháng)張忠謀提到，今年臺積電雖屢創(chuàng )季營(yíng)收新高，但第四季因客戶(hù)調整庫存可能出現微幅下滑的情形。

　　臺積電董事長(cháng)暨總執行長(cháng)張忠謀坦言，隨著(zhù)一線(xiàn)晶圓廠(chǎng)紛紛于2015年進(jìn)入14或16納米FinFET制程后，臺積電將面臨更大的競爭壓力，特別是來(lái)自三星、英特爾等IDM大廠(chǎng)的威脅力道最劇，必須提早發(fā)動(dòng)因應策略。

　　由于FinFET技術(shù)更復雜、投資金額也更巨大，晶圓代工廠(chǎng)很難再以孤軍奮戰的策略進(jìn)行研發(fā)，因此臺積電正如火如荼組織產(chǎn)業(yè)同盟，目前已與益華電腦(Cadence)、明導國際(Mentor Graphics)等EDA工具商，以及安謀國際(ARM)和Imagination等IP業(yè)者達成共識，未來(lái)將共同在臺積電開(kāi)放創(chuàng )新平臺(OIP)上挹注創(chuàng )新技術(shù)能量，加速優(yōu)化16納米FinFET制程。

　　張忠謀認為，產(chǎn)業(yè)大聯(lián)盟重要性在于相互融合不同廠(chǎng)商的長(cháng)處，以研制最出色的制程解決方案，這將是臺積電與IDM較勁最關(guān)鍵的優(yōu)勢。除聯(lián)合異業(yè)夥伴共同出擊外，臺積電在今明兩年都將以95?100億美元的高額資本支出，不斷擴充FinFET研發(fā)團隊和產(chǎn)能，現已與大客戶(hù)展開(kāi)合作，搶先掌握許多16納米FinFET設計定案(Tape Out)。

　　張忠謀也強調，在FinFET時(shí)代，臺積電以晶圓代工廠(chǎng)的定位與IDM角逐市場(chǎng)還算有競爭力，但比較辛苦;若以產(chǎn)業(yè)大聯(lián)盟的方式將非常有競爭力，有信心能提供更完整的制程服務(wù)和更高品質(zhì)的晶片。

　　確保與IBM合作有成　聯(lián)電緊握14/10nm主導權

　　至于聯(lián)電近期則進(jìn)一步擴大與IBM的合作計劃，全力沖刺14和10納米FinFET制程量產(chǎn)。不過(guò)，聯(lián)電也不忘記取當初發(fā)展0.13微米時(shí)，授權IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓;此次在14/10納米的合作僅將采用IBM基礎技術(shù)平臺與材料科技，并將主導大部分制程研發(fā)，以結合先進(jìn)科技和具成本效益的量產(chǎn)技術(shù)，避免重蹈覆轍。

　　聯(lián)電執行長(cháng)顏博文認為，聯(lián)電2013年第二季整體營(yíng)運表現優(yōu)于預期，而第三季也可望延續成長(cháng)動(dòng)能。

　　聯(lián)電執行長(cháng)顏博文表示，隨著(zhù)IC設計業(yè)者對于更新、更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增高，聯(lián)電日前已宣布加入IBM 10納米FinFET互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術(shù)聯(lián)盟，將與IBM協(xié)同努力，克服現階段的研發(fā)障礙。

　　事實(shí)上，格羅方德和三星在14納米FinFET制程發(fā)展方面，亦與IBM有相當密切的合作往來(lái)，因而引發(fā)業(yè)界對聯(lián)電難以突顯制程差異性的疑慮。此外，法人也憂(yōu)心聯(lián)電和IBM共同推動(dòng)0.13微米制程的失敗情形重演，更對IBM的前瞻制程科技抱持“中看不重用”的懷疑，擔心聯(lián)電無(wú)法在2015年的1x納米FinFET市場(chǎng)爭取有利位置。

　　對此，顏博文回應，過(guò)去聯(lián)電在0.13微米落后對手肇因于未與IBM明確分工，因此，未來(lái)發(fā)展14和10納米制程，聯(lián)電將導入IBM的FinFET基礎制程平臺與材料科技，加速復雜立體結構的FinFET技術(shù)成形，同時(shí)根據客戶(hù)需求自行開(kāi)發(fā)衍生性的量產(chǎn)方案，以結合兩家公司各自的技術(shù)能量，加快產(chǎn)品上市時(shí)程，并提高制程獨特性與市場(chǎng)競爭力。

　　據悉，聯(lián)電將積極爭取14/10納米FinFET制程主導權，除持續擴充相關(guān)制程設備與驗證分析解決方案的第三方合作夥伴陣容外，今年規畫(huà)15億美元資本支出中，亦將投入三分之二建置28納米以下制程，可見(jiàn)其高度看重FinFET技術(shù)投資。 顏博文強調，相較于其他對手投注大量資源發(fā)展20納米，聯(lián)電將跳過(guò)此一制程節點(diǎn)，集中火力搶攻14納米FinFET技術(shù)，并將同步啟動(dòng)10納米FinFET研究計劃，讓資本支出與研發(fā)資源發(fā)揮最大效益。

　　確定不玩20納米聯(lián)電集中火力攻FinFET

　　由于20納米研發(fā)所費不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián)電已計劃跨過(guò)20納米節點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺積電、格羅方德和三星一較高下。

　　黃克勤分析，20納米制程帶來(lái)的效益將不如從40納米演進(jìn)至28納米的水準，且須導入雙重曝光(Double-patterning)方案，勢將增加一筆可觀(guān)花費，已使處理器業(yè)者的導入意愿開(kāi)始動(dòng)搖;再加上主要晶圓代工業(yè)者皆規畫(huà)在2015年推出16或14納米FinFET制程，在多方權衡之下，聯(lián)電遂決定放緩20納米投資，專(zhuān)心克服14納米FinFET牽涉的材料摻雜、測試驗證和晶圓前后段混搭制程等技術(shù)挑戰，以因應即將到來(lái)的FinFET市場(chǎng)卡位戰。

　　黃克勤強調，英特爾(Intel)率先投入FinFET制程量產(chǎn)，大幅提高處理器效能并降低功耗，近來(lái)在行動(dòng)裝置品牌市場(chǎng)已有不錯成績(jì);一旦其市占持續攀升，勢將影響高通(Qualcomm)與相關(guān)晶圓代工供應鏈的投資計劃，并加速制程研發(fā)步調，以免技術(shù)差距持續被拉大。因應此一趨勢，聯(lián)電遂傾向將資源集中在FinFET技術(shù)上，并跳過(guò)20奈米制程發(fā)展。

　　除聯(lián)電縮手20奈米以確保將錢(qián)用在刀口上，三星和格羅方德也未提出明確的20奈米發(fā)展計劃，唯獨臺積電仍?xún)A力發(fā)展，因而引發(fā)業(yè)界對其未來(lái)產(chǎn)能將過(guò)剩的疑慮。

　　對此，分析師認為，臺積電強推20奈米，系維持先進(jìn)制程Time to Market的領(lǐng)先腳步，且因20奈米能沿用部分28奈米設備，并與下一階段16奈米FinFET互補，就長(cháng)期發(fā)展來(lái)看有其投資必要性;而且從晶片商的投片計劃來(lái)看，大多會(huì )與晶圓廠(chǎng)合作好幾代的產(chǎn)品，臺積電只要取得1?2家處理器廠(chǎng)大量投片，對其未來(lái)鞏固市占率和營(yíng)收都相當有幫助。

　　搶先臺積電/聯(lián)電　格羅方德沖刺10奈米制程

　　不僅臺積電和聯(lián)電兩大晶圓代工元老正以迥異的營(yíng)運策略，加緊部署FinFET產(chǎn)線(xiàn)，甫成軍4年的格羅方德亦全力推動(dòng)FinFET量產(chǎn)方案，并計劃在2014年推出14奈米FinFET，緊接著(zhù)再花1年時(shí)間在2015年搶先進(jìn)入10奈米世代，揭開(kāi)晶圓代工產(chǎn)業(yè)競爭新局。

　　格羅方德先進(jìn)技術(shù)架構副總裁Subramani Kengeri表示，20及14奈米技術(shù)對晶圓代工產(chǎn)業(yè)有舉足輕重的影響，因為20奈米首次使用雙重曝光，而14奈米則率先轉搭FinFET架構，因此格羅方德特別設計一連串可降低模具成本的制程方案，進(jìn)而使兩世代節點(diǎn)無(wú)縫接軌，加速半導體制程演進(jìn)腳步。

　　Kengeri更強調，格羅方德自尚未從超微(AMD)分拆時(shí)，就已投入FinFET基礎研究，近10年來(lái)已累積龐大的專(zhuān)利陣容，目前正緊鑼密鼓研擬第二代10奈米FinFET電晶體架構，以及相應的三重曝光技術(shù)，并已定義完成10奈米制程，預計2015年即可進(jìn)入量產(chǎn)，可望領(lǐng)先業(yè)界在晶圓前后段制程均實(shí)現FinFET架構。此外，該公司近期也啟動(dòng)7奈米早期研發(fā)，將更進(jìn)一步增強產(chǎn)品效能并縮減尺寸及功耗。

　　Kengeri透露，格羅方德預計于2013年投入約45億美元資本支出，并將于未來(lái)2年持續投資，以加速擴充14和10奈米FinFET制程產(chǎn)能，爭取更高的晶圓代工市占率。

　　因應格羅方德的猛烈攻勢，臺積電亦緊鑼密鼓投入10奈米布局，避免在任何新技術(shù)節點(diǎn)的發(fā)展被對手超前。據悉，該公司與艾司摩爾(ASML)共同研發(fā)次世代極紫外光(EUV)微影技術(shù)，已進(jìn)入收割階段，可望在2017年用于10奈米晶圓，大幅提高吞吐量與生產(chǎn)效率，打造兼具效能和成本優(yōu)勢的商用制程。

　　盡管格羅方德信誓旦旦將于2015年搶先發(fā)表10奈米FinFET制程，然而業(yè)界認為該制程節點(diǎn)將面對極為復雜的技術(shù)挑戰，要在2015年正式量產(chǎn)將有一定的困難度。包括電晶體通道大幅微縮將影響電子移動(dòng)性，須導入新的電晶體通道材料取代傳統的矽方案;且電晶體密度大增亦將墊高電路布局(Layout)難度，牽動(dòng)晶圓廠(chǎng)進(jìn)行大幅度的設計規范(Design Rule)和制程設計套件(PDK)修改。

　　為協(xié)助半導體產(chǎn)業(yè)跨越10奈米FinFET技術(shù)門(mén)檻，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)正快馬加鞭研發(fā)下世代電晶體材料與電路互連技術(shù)，將以矽鍺(SiGe)或三五族(III-V)材料替代矽方案，并透過(guò)奈米線(xiàn)(Nanowire)或石墨烯技術(shù)實(shí)現更細致的電路成型與布局。

　　IMEC制程科技副總裁An Steegen提到，除了10奈米以下制程技術(shù)外，IMEC亦全力推動(dòng)18寸晶圓的發(fā)展，目前已有相關(guān)設備進(jìn)入驗證階段。

　　IMEC制程科技副總裁An Steegen表示，目前16/14奈米FinFET技術(shù)成熟度已達到一定水準，全球主要晶圓代工廠(chǎng)均預計在2014?2015年投入量產(chǎn);然而，下一階段的10奈米技術(shù)則尚未明朗，原因在于電晶體通道大幅微縮后，傳統矽材料將面臨物理極限，使晶圓廠(chǎng)無(wú)法顯著(zhù)提升晶片效能;加上電晶體密度激增，相關(guān)業(yè)者亦須改良制造工具，以及電路布局的設計規范和PDK，勢將增添量產(chǎn)制程發(fā)展的不確定性。

　　Steegen強調，為繼續往下延伸摩爾定律，半導體供應鏈業(yè)者和技術(shù)研究單位正密切投入開(kāi)發(fā)新一代半導體材料、設備、電路成型及布局方案。其中，IMEC已將電子移動(dòng)性較佳的矽鍺、鍺、鎵(Ga)或三五族化合物列為矽材料的優(yōu)先替代選項，從而在電晶體通道愈趨緊密的前提下，持續提升電子驅動(dòng)性能。

　　據悉，10奈米FinFET制程對設備、材料和臨界尺度(Critical Dimension)控制等各方面都將帶來(lái)新的要求，但尤以新材料研究較難掌握、耗時(shí)且影響層面大;因此IMEC遂將其視為布局重點(diǎn)，并于日前在日本舉行的2013年超大型積體電路(VLSI)國際會(huì )議中，發(fā)表可應用于10奈米以下制程的鍺/矽鍺淺溝槽隔離(STI)方案，進(jìn)而改善矽通道效能及可靠度不佳的問(wèn)題。

　　此外，FinFET轉向立體架構，晶圓廠(chǎng)為確保良率，亦須嚴格掌控離子擴散狀況;對此，IMEC則以特殊探針(Probe)，開(kāi)發(fā)類(lèi)似電子顯微鏡的SSRM(Scanning Spreading Resistance Microscopy)方案，并提供相關(guān)機臺設計支援與代測服務(wù)，讓晶圓廠(chǎng)更精確掌握離子擴散時(shí)的細微變化與不良情形。

　　與此同時(shí)，IMEC亦從微影、電路成型和布局方案著(zhù)手，期協(xié)助晶圓廠(chǎng)克服10奈米以下制程極其緊密的布線(xiàn)挑戰。Steegen透露，針對10或7奈米制程方案，IMEC將采用奈米線(xiàn)或石墨烯電路互連技術(shù)，實(shí)現更細致的電路布局;目前正與晶圓廠(chǎng)合作夥伴攜手定義新的設計規范和PDK，最快可望在7奈米制程導入奈米線(xiàn)，開(kāi)啟半導體技術(shù)發(fā)展新頁(yè)。

　　至于微影技術(shù)方面，IMEC正與ASML致力于新世代EUV機臺的驗證，從而以單次曝光的形式，協(xié)助晶圓廠(chǎng)減輕多重曝光的繁復流程與昂貴成本，使10奈米以下量產(chǎn)制程更具經(jīng)濟效益。

　　Steegen指出，ASML每一版研發(fā)型EUV機臺都會(huì )優(yōu)先提供予IMEC測試，該公司預計于今年底推出的最新型設備亦將在近期進(jìn)駐IMEC無(wú)塵室，進(jìn)行細部調整與優(yōu)化，以配合IDM和晶圓代工廠(chǎng)商的10奈米制程研發(fā)腳步。

　　顯而易見(jiàn)，先進(jìn)制程的演進(jìn)已吸引整個(gè)半導體制造業(yè)的關(guān)注，并引來(lái)更多設備與新技術(shù)發(fā)展商機;然而，相關(guān)業(yè)者亦須配合終端產(chǎn)品發(fā)展方向，動(dòng)態(tài)調整投資布局策略，才能順利掌握IC設計客戶(hù)的需求。

　　中低階行動(dòng)裝置竄紅　半導體業(yè)投資策略轉彎

　　隨著(zhù)中國大陸中低價(jià)行動(dòng)裝置市場(chǎng)增溫，高單價(jià)的高階行動(dòng)裝置買(mǎi)氣已明顯趨緩，因而牽動(dòng)半導體產(chǎn)業(yè)的投資策略轉變。由于處理器廠(chǎng)紛紛將火力轉向平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)較低的中低階行動(dòng)裝置市場(chǎng);因應此一趨勢，晶圓代工業(yè)者也啟動(dòng)新的設備采購計劃或提高自制比重，并利用已攤提完畢的八寸廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)部署高毛利的高壓特殊制程，以發(fā)揮更大的投資效益。

　　SEMI產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，英特爾在行動(dòng)處理器市場(chǎng)的表現將牽動(dòng)整個(gè)半導體供應鏈的變化，系后續產(chǎn)業(yè)觀(guān)察重點(diǎn)。

　　國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆表示，中低階行動(dòng)裝置市場(chǎng)售價(jià)不斷下探，已為晶片商和半導體供應鏈業(yè)者帶來(lái)沉重的降價(jià)壓力。以目前中低階手機應用處理器的平均價(jià)格來(lái)說(shuō)，大多須低于30美元，或甚至壓至10幾美元的水準，才能取得中國大陸二線(xiàn)品牌廠(chǎng)或白牌業(yè)者青睞;而晶片商承受的價(jià)格壓力勢將轉嫁一部分至半導體上游供應鏈肩上，因而驅動(dòng)相關(guān)晶圓代工業(yè)者更加嚴格控管設備和材料采購成本。

　　舉例而言，臺積電近來(lái)積極推動(dòng)設備及材料國產(chǎn)化，透過(guò)技術(shù)合作或政府科專(zhuān)計劃，全力扶植臺灣半導體設備和材料商，期進(jìn)一步縮減從歐美、日本進(jìn)口昂貴設備的成本;至于聯(lián)電則活用八寸廠(chǎng)的產(chǎn)能，加緊開(kāi)發(fā)高度客制化、毛利表現較佳的特殊制程，目前在行動(dòng)裝置液晶顯示(LCD)驅動(dòng)IC和電源管理晶片(PMIC)高壓制程方面，產(chǎn)能幾近滿(mǎn)載，有助其提高獲利。

　　至于三星亦善用其兼具邏輯、記憶體晶圓制造能力，以及面板和行動(dòng)裝置周邊零組件的一條龍供應優(yōu)勢，更進(jìn)一步祭出設備自制策略。曾瑞榆指出，韓國政府扶植國內半導體設備和材料供應商的政策相當明確，且已有不錯成果，近來(lái)韓商在蝕刻(Etching)和化學(xué)機械研磨(CMP)設備技術(shù)迭有突破，配合三星投入發(fā)展三維晶片(3D IC)的腳步，可望加速商用，并協(xié)助三星進(jìn)一步降低晶片生產(chǎn)成本。

　　曾瑞榆提到，在中低階行動(dòng)裝置銷(xiāo)售走強、高階產(chǎn)品需求轉淡一正一負的抵銷(xiāo)下，今年半導體設備支出恐將較去年微幅下滑。就區域來(lái)看，除了中國大陸、臺灣和日本地區的投資金額相對增加外，其他區域不是維持平盤(pán)就是短縮，足見(jiàn)中低階行動(dòng)裝置熱潮，已促使半導體產(chǎn)業(yè)投資重心傾向亞洲，尤以大中華區晶圓代工業(yè)者投資力道最強。

　　整體而言，晶圓代工產(chǎn)業(yè)將邁向兩極化的發(fā)展，主要廠(chǎng)商將同時(shí)兼顧高階先進(jìn)制程投資布建，以及具成本效益且適用于中低價(jià)行動(dòng)裝置的特殊制程布局，啟動(dòng)一連串的資本支出調整策略，藉以在市場(chǎng)上尋求較佳的戰略位置。