FinFET新技術(shù)對半導體制造產(chǎn)業(yè)的影響

　　FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場(chǎng)效晶體管的一項創(chuàng )新設計，變革了傳統晶體管結構，其控制電流通過(guò)的閘門(mén)被設計成類(lèi)似魚(yú)鰭的叉狀3D架構，將原來(lái)的單側控制電路接通與斷開(kāi)變革為兩側。

　　FinFET這樣創(chuàng )新設計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長(cháng)，對于制程流程、設備、電子設計自動(dòng)化、IP與設計方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導體業(yè)戰火重燃，尤其是以FinFET生產(chǎn)應用處理器的技術(shù)，成為了業(yè)內廠(chǎng)商大力競爭的新著(zhù)力點(diǎn)。

　　電晶體結構發(fā)展趨勢是越來(lái)越小，保證高效便宜的半導體晶片被研發(fā)。但是隨著(zhù)電晶體在空間上的線(xiàn)性微縮逐漸達到極限，各種問(wèn)題和挑戰也就顯現出來(lái)，尤其是通道閘極控制效果降低、漏電流增加、短通道效應出現等問(wèn)題。這些問(wèn)題會(huì )帶來(lái)嚴重的后果，如電晶體不當關(guān)閉、電子裝置待機耗電量增加等。這對于目前的半導體產(chǎn)業(yè)和電子產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是無(wú)法滿(mǎn)足需求的。

　　而鰭式電晶體(FinFET)技術(shù)正是在這樣的狀況下應運而生，能夠通過(guò)三層閘極來(lái)有效壓制關(guān)閉狀態(tài)漏電流，解決上述問(wèn)題。FinFET技術(shù)能夠通過(guò)驅動(dòng)電流轉化為低功耗和高效能，而且晶粒尺寸也被縮小。FinFET技術(shù)對移動(dòng)設備的來(lái)說(shuō)也變得日益重要。自2011年英特爾推出商業(yè)化的22納米節點(diǎn)工藝的FinFET,目前FinFET已經(jīng)在向20納米節點(diǎn)和14納米節點(diǎn)推進(jìn)發(fā)展，并帶動(dòng)整個(gè)半導體制造技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。