專(zhuān)家聚首談FinFET趨勢下3D工藝升級挑戰

　　日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導體設計與制造的專(zhuān)家齊聚一堂，共同探討未來(lái)晶體管、工藝和制造方面的挑戰，專(zhuān)家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術(shù)架構副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure，Intermolecular半導體事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。

　　SMD ：從你們的角度來(lái)看，工藝升級短期內的挑戰是什么?

　　Kengeri ：眼下，我們正在談?wù)摰?8nm到20nm轉移。如果你回去看歷史，每一代產(chǎn)品過(guò)渡都會(huì )有挑戰。當我在A(yíng)SMC上做主題演講時(shí)，我曾問(wèn)與會(huì )者，技術(shù)挑戰和經(jīng)濟成本的挑戰，哪一個(gè)是當今最大的威脅?大家紛紛表示每個(gè)節點(diǎn)的過(guò)渡最大的問(wèn)題其實(shí)還是經(jīng)濟因素。眼下，這種過(guò)渡包括四個(gè)方面：電氣性能縮放、物理尺寸縮放、成本縮放以及可靠性。我們知道目前除了英特爾，其他家的20nm仍采用平面工藝，這就要求我們利用雙重光刻技術(shù)，因此盡管尺寸縮放了，但成本并不一定縮放，因此所有這一切因素需要權衡與組合。我們可能在20nm只采取單一平臺，以實(shí)現不同的應用。另外一點(diǎn)就是附屬開(kāi)發(fā)的準備，包括EDA、也包括整個(gè)生態(tài)系統，也許你的技術(shù)實(shí)現了，但缺乏相對應的設備以及設計軟件，同樣是會(huì )失敗的。

　　Dixit：從設備商的角度來(lái)看，越來(lái)越多的客戶(hù)需要定制化，這次是非常具體的集合形狀和類(lèi)型的布局，如果你看10年前，可能有一兩個(gè)不同標準，但現在，至少有10種以上測試標準，這本身就說(shuō)明每個(gè)客戶(hù)都在關(guān)注不同的性能指標。一個(gè)東西可能用在這地合適，但其他應用則不一定合適。

　　SMD ：說(shuō)到3D ，從平面晶體管到FinFET的挑戰是什么?

　　Jammy：正如剛剛所說(shuō)，我們絕大部分公司都在16nm或14nm制程上才考慮FinFET，我們目前確實(shí)有很多工具都是面向平面世界的，因此Metrology等是不一樣的，此外我們需要提供3D架構下的EDA工具。

　　Kengeri ：FinFET是具有挑戰性的，但我并不認為這是個(gè)不可逾越的鴻溝，比如當時(shí)的HKMG問(wèn)題也得到了解決，而現在雙重光刻是個(gè)難題，此外還有包括Metrology等其他挑戰，另外AC-DC、缺陷密度一及良率等，不過(guò)我們早已提前進(jìn)行研發(fā)布局，所以，我認為目前FinFET的量產(chǎn)沒(méi)有任何無(wú)法解決的問(wèn)題。

　　SMD ：對于起初的FinFET元件，為何GlobalFoundries要結合14nm FinFET與20nm-LPM的技術(shù)?

　　Kengeri ：FinFET是一項新的且有風(fēng)險的技術(shù)，但這并不意味著(zhù)我們就要去冒險，因此我們需要在現有平臺上開(kāi)發(fā)，雙光刻技術(shù)在20nm時(shí)的投入是巨大的，因此我們從平面成熟做起，可以將風(fēng)險降到最低。

　　SMD ： FD-SOI始于28nm，并且還可以擴展三代產(chǎn)品，你們是如何看的?

　　Mazure：從器件角度來(lái)說(shuō)， FinFET與SOI在未來(lái)是可以共存的，并沒(méi)有取代這么一說(shuō)，今天隨著(zhù)意法半導體以及GlobalFoundrie在FDSOI上的準備已就緒。

　　Kengeri ：所以我們?yōu)榭蛻?hù)提供FinFET與FDSOI兩種制程，無(wú)論客戶(hù)想繼續平面工藝還是進(jìn)入3D，兩者都有自己的獨特優(yōu)勢，應該由客戶(hù)自己選擇。

　　SMD：讓我們探討下7nm和5nm節點(diǎn)，未來(lái)被稱(chēng)為高遷移率的FinFET的挑戰是什么?

　　Jammy：工藝永遠是變化的，但好在我們知道如何應對變化，其中最主要的是確保我們所走的路線(xiàn)是正確的?，F在，我們有將近61種周期表元素進(jìn)入到芯片設計上，我們未來(lái)也許利用鍺制作PFET或者三五族化合物制作NFET器件。但潛在的問(wèn)題是，如何確保低的漏電，如何確保結晶質(zhì)量，如何獲得正確的工具，如何控制污染，控制外延質(zhì)量等等。所有這些問(wèn)題基本都是制造問(wèn)題。另外一點(diǎn)，如果你一旦移動(dòng)到鍺元素上，柵極堆疊、閘極堆疊以及刻蝕等都會(huì )成為問(wèn)題。我們要像剝洋蔥一樣將所有問(wèn)題層層剝離，其中大部分并不是無(wú)法解決的問(wèn)題，更多是工程上的挑戰。

　　Kengeri：我們現在已經(jīng)進(jìn)入到3D FinFET中，未來(lái)我們可不可以做更大的鰭，可不可以有新的材料做前端，但實(shí)際上，只有前端是不夠的，我們仍要考慮后端縮放，實(shí)際上相對于前端，源漏的縮放進(jìn)程已經(jīng)放緩了，但我們還是去尋找更新的材料，或者利用空氣間隙。

　　Mazure：鍺或者三五族元素都有可能稱(chēng)為FinFET的重要材料，未來(lái)我們一定要實(shí)現450mm晶圓，而據我所致，現在沒(méi)有辦法在450mm晶圓上批量生長(cháng)鍺，因此外延技術(shù)還需要進(jìn)一步升級。

　　SMD ：對于未來(lái)內存市場(chǎng)，您有何感覺(jué)?

　　Jammy：內存市場(chǎng)上3D已經(jīng)發(fā)生了，我們正在遠離電子儲存，尋找新的電阻特性材料，但問(wèn)題是如何去處理新材料，物理特性如何?如何轉化為有效的集成電路?

　　SMD：我認為7nm和5nm的節點(diǎn)將需要更多晶圓廠(chǎng)的工藝步驟，對嗎?哪些進(jìn)程將需要的大部分步驟?

　　Dixit：清理將是非常大一部分，畢竟把所有不同類(lèi)型材料結合在一起，有溫度和污染的限制。

　　SMD ：從設備的角度來(lái)看，你看到什么?

　　Dixit：必須看到誤差，這是一個(gè)巨大的因素。比如一個(gè)10nm的線(xiàn)，如何獲得相同尺寸和相同的高度，以相同的角度構成相同的幾何布局將是一個(gè)巨大的挑戰。