格羅方德展示基于先進(jìn)14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長(cháng)距離SerDes

　　格羅方德公司今天宣布，已證實(shí)運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現真正長(cháng)距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，FX-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶(hù)需求而生，亦為應對最嚴苛的長(cháng)距離高性能應用需求而準備。

　　格羅方德56Gbps SerDes 內核同時(shí)支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導，可補償超過(guò)35dB的插入損耗，因而無(wú)須在目前極具挑戰性的系統環(huán)境中部署昂貴的高功耗中繼器。56Gbps SerDes采用突破性的創(chuàng )新架構，實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的長(cháng)距離傳輸性能，甚至超越了OIF CEI-56G-LR 和 IEEE 802.3cd等新興的50Gbps行業(yè)標準。

　　FX-14產(chǎn)品可提供多種高速SerDes (HSS) 解決方案，其制造基礎是位于紐約州馬耳他市Fab 8工廠(chǎng)內的成熟且經(jīng)生產(chǎn)驗證的14納米FinFET (14LPP)平臺。一流的高性能56Gbps架構可提供業(yè)界領(lǐng)先的抖動(dòng)性能和均衡支持，可在多種高速接口標準下強化系統性能，并可為當前及未來(lái)的頂尖網(wǎng)絡(luò )、計算和存儲應用構建高速連接和低功耗的解決方案。

　　“這一里程碑彰顯出我們能夠設計出最佳的ASIC解決方案，并以極具競爭力的功率和芯片面積為最為嚴苛的網(wǎng)絡(luò )和數據中心應用提供業(yè)內頂尖的56Gbps性能?！备窳_方德全球銷(xiāo)售和業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)部高級副總裁Mike Cadigan先生表示：“憑借成功且歷經(jīng)考驗的SerDes開(kāi)發(fā)和ASIC技術(shù)經(jīng)驗，并與格羅方德的14LPP技術(shù)完美結合，我們將助力客戶(hù)通過(guò)集成且高性能的內核將新應用經(jīng)濟高效地推向市場(chǎng)?！?/p>

　　“網(wǎng)絡(luò )帶寬的爆發(fā)式提升，持續推動(dòng)著(zhù)具有業(yè)界領(lǐng)先的接口速度和密度的ASIC解決方案的需求，”林利集團(Linley Group)首席分析師Bob Wheeler先生指出：“格羅方德可提供尖端SerDes 內核，實(shí)現一流ASIC解決方案的快速上市，同時(shí)提高下一代網(wǎng)絡(luò )設備的帶寬容量、可擴展性和能效?！?/p>

　　憑借眾多領(lǐng)先優(yōu)勢，諸如具有超高性能56Gbps SerDes、PCI Express和多個(gè)30Gbps SerDes設計，亦支持多種外置內存接口，格羅方德FX-14設計系統進(jìn)一步鞏固了公司在HSS方面的領(lǐng)導地位。格羅方德的嵌入式內存解決方案包括行業(yè)最快和功耗最低的嵌入式TCAM，與前代產(chǎn)品相比，其性能提高60%，漏電率降低80%，而SRAM的密度和性能也有所優(yōu)化。

　　目前，客戶(hù)正在設計基于14LPP工藝技術(shù)的高級ASIC解決方案，該方案使用56Gbps和其他FX-14 SerDes內核。56Gbps SerDes技術(shù)目前正在客戶(hù)渠道中展示，而開(kāi)發(fā)板將于2017年第一季度初投放市場(chǎng)。針對下一代數據通信網(wǎng)絡(luò )，格羅方德正在開(kāi)發(fā)易于遷移的先進(jìn)電氣解決方案和光學(xué)替代解決方案，以便讓多種技術(shù)實(shí)現112Gbps及以上的通信能力。

　　如需了解格羅方德高性能ASIC解決方案的詳細信息，請訪(fǎng)問(wèn)：www.globalfoundries.com/ASICs。