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10nm
10nm 文章 進(jìn)入10nm技術(shù)社區
三星全力投入10nm存儲器制程 拉大競爭差距
- 三星電子(SamsungElectronics)半導體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部旗下半導體總括兼系統LSI事業(yè)部長(cháng)金奇南，將以10奈米級記憶體晶片量產(chǎn)一決勝負。DS事業(yè)部的技術(shù)研發(fā)和投資焦點(diǎn)，也從設計技術(shù)轉移到制程技術(shù)。 自1993年起，三星在記憶體市場(chǎng)上維持超過(guò)20年的霸主地位，秘訣就在于提升制程技術(shù)，拉大與競爭對手的差距。 據南韓經(jīng)濟日報報導，金奇南在2014年2月接任記憶體事業(yè)部長(cháng)職務(wù)后曾指示，將全力投注在平面記憶體晶片電路精細化。截至2013年，三星記憶體事業(yè)部仍致力于研發(fā)系
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FD-SOI：芯片制造工藝向10nm技術(shù)節點(diǎn)發(fā)展的最佳選擇
- 按照摩爾定律，芯片可容納的晶體管數量每?jì)赡晏岣咭槐?。然而，摩爾定律不只是在同一顆芯片上將晶體管數量增加一倍的技術(shù)問(wèn)題。摩爾定律暗示，隨著(zhù)芯片集成密度翻倍，功耗和性能都將會(huì )實(shí)現大幅度改進(jìn)。在過(guò)去50年里，半導體工業(yè)一直按照摩爾定律發(fā)展，因為芯片的三個(gè)要素——價(jià)格、功耗和性能始終是在聯(lián)動(dòng)。 在可預見(jiàn)的未來(lái)，半導體工業(yè)雖然能夠繼續證明摩爾定律的正確性，但是，當發(fā)展到當今最先進(jìn)的28納米技術(shù)節點(diǎn)以下時(shí)，卻遭遇逆風(fēng)阻擋前進(jìn)步伐，因為在28納米以后，技術(shù)復雜程度和制造成本都將大幅
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為量產(chǎn)10nm制程鋪路 ASML攜手IMEC建置APC
- 艾司摩爾(ASML)與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設立先進(jìn)曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進(jìn)奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡，讓微影(Lithography)技術(shù)及其設備更臻成熟，加速制程微縮技術(shù)的商用化。 ASML總裁暨執行長(cháng)Martin van den Brink表示，長(cháng)期以來(lái)，該公司與IMEC的合作，已促成半導體制程發(fā)展不斷突破;而此次的合作案，預期將進(jìn)一步加快先進(jìn)奈米制程技術(shù)及其相關(guān)設備
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攻新材料/互連技術(shù) IMEC力克10nm設計難關(guān)
- 比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)正全速開(kāi)發(fā)下世代10奈米制程技術(shù)。為協(xié)助半導體產(chǎn)業(yè)跨越10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)門(mén)檻，IMEC已啟動(dòng)新一代電晶體通道材料和電路互連(Interconnect)研究計劃，將以矽鍺/三五族材料替代矽方案，并透過(guò)奈米線(xiàn)(Nanowire)或石墨烯技術(shù)實(shí)現更細致的電路成型與布局，加速10奈米以下制程問(wèn)世。 IMEC制程科技副總裁An Steegen提到，除了10奈米以下制程技術(shù)外，IMEC亦全力推動(dòng)18寸晶圓的發(fā)展，目前已有相關(guān)設備進(jìn)入驗證階段。 I
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Globalfoundries稱(chēng)2015推10nm晶圓
- 晶圓代工廠(chǎng)格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長(cháng)蘇比(SubiKengeri)日前來(lái)臺，喊出兩年內將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。 格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年并購前特許半導體，蘇比表示，2009年剛獨立時(shí)，公司僅是全球第四大晶圓代工廠(chǎng)，但憑著(zhù)超微在處理器技術(shù)的設計能力，加上先前新加坡特許半導體在晶圓代工服務(wù)客戶(hù)經(jīng)驗，ICInsights統計，2012年公司躍進(jìn)晶
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應材最新缺陷檢測與分類(lèi)技術(shù)提高10nm設計良率
- 應用材料公司(Applied Materials)為其SEMVision系列推出一套最新缺陷檢測及分類(lèi)技術(shù)，加速達成10奈米及以下的先進(jìn)晶片生產(chǎn)良率。Applied SEMVision G6 缺陷分析系統結合前所未有高解析度、多維影像分析功能，及革命性創(chuàng )新的 Purity 自動(dòng)化缺陷分類(lèi)(Automatic Defect Classification;ADC)系統高智慧的機器學(xué)習演算法，樹(shù)立全新的效能標竿，同時(shí)為半導體產(chǎn)業(yè)引進(jìn)首創(chuàng )缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DR SEM)技術(shù)。 應用材料公司企業(yè)副總
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聯(lián)電加入IBM技術(shù)聯(lián)盟 攜手奔向10nm工藝
- 在半導體行業(yè)，聯(lián)電(UMC)算不上往往與最先進(jìn)的技術(shù)搭不上邊，不過(guò)這一次，臺灣代工廠(chǎng)準備走在世界前列了。IBM、聯(lián)電今天共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟，共同參與10nm CMOS工藝的開(kāi)發(fā)。IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟是一個(gè)由IBM領(lǐng)導的半導體行業(yè)組織，成立已有數十年，成員包括GlobalFoundries(原AMD)、特許半導體(已被GF收購)、英飛凌、三星電子、意法半導體等赫赫有名的巨頭，共同致力于先進(jìn)半導體制造工藝的開(kāi)發(fā)。相比于Intel、臺積電、三星電子的單打獨斗，這些廠(chǎng)商都是共享資源、聯(lián)合開(kāi)發(fā)
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半導體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素
- 半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導體大廠(chǎng)已相繼投入研發(fā)更穩定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與省電效益，已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。 應用材料半導體事業(yè)群EpitaxyKPU全球產(chǎn)品經(jīng)理SaurabhChopra提到，除了制程演進(jìn)以外，材料技術(shù)更迭也是影響半導體科技持續突破的關(guān)鍵。 應用材料(Applied
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HGST融合分子自組裝與納米印刷技術(shù) 可令硬盤(pán)單碟容量提升一倍
- Western Digital 旗下 HGST 1 日宣布，已通過(guò)將融合 self-assembling molecules ( 分子自組裝 ) 和 nanoimprinting ( 納米印刷 ) 技術(shù)，成功創(chuàng )造出大面積高密度存儲介質(zhì)，其 magnetic islands 磁島寬度只有 10nm ，是目前硬盤(pán)技術(shù)的兩倍，可望于未來(lái)數年內大幅提高機械硬盤(pán)的存儲密度，讓單碟容量可望提升。 據 HGST 表示，新技術(shù)能夠讓 magnetic islands 磁島寬度只相當于大約 50 個(gè)原子寬，或者人
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Intel以色列：跨越發(fā)展沖向10nm
- 我們說(shuō)過(guò)很多次，先進(jìn)的制造工藝始終都是Intel面對任何競爭最強有力的武器，Intel也在矢志不渝地維護和擴大這種領(lǐng)先優(yōu)勢，比如在以色列南 部城市水牛城(Kiryat Gat)的晶圓廠(chǎng)Fab 28，目前就正在生產(chǎn)22nm Ivy Bridge，而在未來(lái)數年，這里將跳過(guò)14nm，直奔更高級的10nm。 Fab 28的擴建和22nm的投產(chǎn)不但讓Intel受益無(wú)窮，同樣刺激了以色列的經(jīng)濟發(fā)展，帶動(dòng)其出口額從2011年的22億美元猛增至2012年的46億美 元，其中Intel一家就占了高科技出口額的20
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SoC已有眉目微細化至10nm無(wú)需3D晶體管
- SoC(systemonachip)是智能手機及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導體(ST)已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術(shù)。 如果采用FDSOI技術(shù)，無(wú)需使晶體管立體化便可繼續推進(jìn)SoC微細化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導體制造技術(shù)和設計技術(shù)，因此無(wú)需很多成本即可繼續推進(jìn)微細化(圖1)。對于希望今后仍長(cháng)期享受SoC微細化恩惠的
- 關(guān)鍵字： 意法 10nm 晶體管
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm
- 在一場(chǎng)近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì )上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現在直接跳過(guò)了20nm節點(diǎn)，直接往14nm、接著(zhù)是10nm發(fā)展。 根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì )議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
- 關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm
IMEC探討10nm以下制程變異
- 在可預見(jiàn)的未來(lái)，CMOS技術(shù)仍將持續微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節點(diǎn)后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。 明天的智慧系統將會(huì )需要更多的運算能力和儲存容量，這些都遠遠超過(guò)今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對晶片微縮技術(shù)的需求。 在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后，或許還
- 關(guān)鍵字： IMEC CMOS 10nm
10nm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條10nm!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對10nm的理解，并與今后在此搜索10nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對10nm的理解，并與今后在此搜索10nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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