Globalfoundries稱(chēng)2015推10nm晶圓

　　晶圓代工廠(chǎng)格羅方德(Globalfoundries)技術(shù)長(cháng)蘇比(SubiKengeri)日前來(lái)臺，喊出兩年內將拿下晶圓代工技術(shù)龍頭，繼14納米XM明年量產(chǎn)，10納米2015年推出，此進(jìn)度比臺積電領(lǐng)先兩年，也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。

　　格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年并購前特許半導體，蘇比表示，2009年剛獨立時(shí)，公司僅是全球第四大晶圓代工廠(chǎng)，但憑著(zhù)超微在處理器技術(shù)的設計能力，加上先前新加坡特許半導體在晶圓代工服務(wù)客戶(hù)經(jīng)驗，ICInsights統計，2012年公司躍進(jìn)晶圓二哥，與臺積電同列晶圓雙雄。

　　公司企圖不只于此，蘇比看好行動(dòng)裝置電子產(chǎn)品內建芯片對晶圓先進(jìn)制程的需求有高度成長(cháng)，2011年到2016年，40納米以下先進(jìn)制程的晶圓復合成長(cháng)率有37%，到2016年產(chǎn)值將占全球晶圓代工比重高達60%。

　　為了搶攻這波行動(dòng)商機，格羅方德去年推出14納米XM制程、2014年量產(chǎn)后，10納米2015年量產(chǎn)，兩種制程都導入鰭式晶體管(Finfet).

　　格羅方德的10納米與14納米XM都是所謂的混合制程，例如14納米就是采用20納米的設備與設計工具做出線(xiàn)寬14納米的芯片，10納米就是運用14納米的設備與設計工具，制造線(xiàn)寬約當10納米的芯片。

　　相較于臺積電不做14納米制程，而是推出16納米Finfet，蘇比說(shuō)明，公司之所以作14納米，因為英特爾不斷進(jìn)軍行動(dòng)市場(chǎng)，公司的客戶(hù)感受到壓力。

　　格羅方德預計20納米下半年推出，與臺積電幾乎同步，公司12寸產(chǎn)能有德國德勒斯登的晶圓一廠(chǎng)(Fab1)與紐約八廠(chǎng)(Fab8)，各有4萬(wàn)片與6萬(wàn)片月產(chǎn)能，其中，Fab8將導入28納米以下最先進(jìn)制程。