下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm

　　在一場(chǎng)近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì )上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現在直接跳過(guò)了20nm節點(diǎn)，直接往14nm、接著(zhù)是10nm發(fā)展。

　　根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì )議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，FD-SOI的成本則應該會(huì )比FinFET低得多。

　　而意法半導體(STMicroelectronics，ST )前段制程部門(mén)執行副總裁Joel Hartmann則在同一場(chǎng)由SOI Consortium舉辦的研討會(huì )上，展示該公司FD-SOI制程將由28nm──2012下半年量產(chǎn)──跳過(guò)20nm，直接前進(jìn)至14nm、然后10nm的技術(shù)藍圖。先前ST曾指出，該公司將在2012年7月推出28nmFD-SOI制程原型，然后會(huì )在2013年第三季推出20nmFD-SOI制程原型。

　　這意味著(zhù)FD-SOI技術(shù)陣營(yíng)已經(jīng)改變了對20nm節點(diǎn)的策略，因此下一代的FD-SOI技術(shù)將與英特爾的14nmFinFET制程，以及包括臺積電(TSMC)、Globalfoundries等晶圓代工廠(chǎng)所提供的其他FinFET制程，在同一節點(diǎn)上競爭。

　　Hartmann也提供了以ST的28nmFD-SOI制程與ST-Ericsson多核心ModAp NovaThor處理器搭配，所量測到的最新性能結果;宣稱(chēng)ST的28nm閘極優(yōu)先(gate-first) FD -SOI制程與28nmbulk CMOS制程相較，更能達到低功耗以及高性能。

　　SOI Consortium 的Mendez展示的技術(shù)藍圖顯示，FD-SOI現在包括預計2016年問(wèn)世的10nm制程節點(diǎn);而這也會(huì )是FD-SOI技術(shù)被引介為FinFET制程解決方案選項之一的節點(diǎn)。