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領(lǐng)先與無(wú)界:我們熟悉與陌生的英特爾

  •   回看半導體產(chǎn)業(yè)過(guò)去幾十年發(fā)展歷程,英特爾的“霸主”地位是毋庸置疑的,這很大程度上基于英特爾持續不斷的創(chuàng )新和定義了半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展走勢,其中英特爾所遵循的摩爾定律自然功不可沒(méi)。然而近期關(guān)于“摩爾定律已死”的聲音不斷出現,半導體領(lǐng)域的“霸主”也終于坐不住了......   9月19日,“領(lǐng)先無(wú)界——英特爾精尖制造日”活動(dòng)在北京正式召開(kāi),出席本次活動(dòng)的嘉賓有英特爾公司全球副總裁兼中國區總
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英特爾左T右S 發(fā)布10nm和22FFL工藝 超越競爭對手三年

  •   2017年9月19日,“英特爾精尖制造日”活動(dòng)在北京舉行。本次活動(dòng)云集了英特爾制程、制造方面最權威的專(zhuān)家團,包括公司執行副總裁兼制造、運營(yíng)與銷(xiāo)售集團總裁Stacy Smith,高級院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構與集成總監Mark Bohr,公司技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁、晶圓代工業(yè)務(wù)聯(lián)席總經(jīng)理Zane Ball,并了主題演講。   英特爾公司全球副總裁兼中國區總裁楊旭登臺致辭,歡迎來(lái)自合作伙伴、客戶(hù)、政府部門(mén)和學(xué)術(shù)界的嘉賓以及新聞媒體出席2017年9月19日在北京舉行的&ldqu
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半導體制造新工藝層出不窮 數字飆升的背后

  •   對任何半導體產(chǎn)品來(lái)說(shuō),工藝永遠是繞不過(guò)去的檻。工藝基本上決定了處理器的性能檔次、性能功耗比水平——當然半導體架構設計和優(yōu)化也會(huì )起到很大的作用,但是工藝帶來(lái)的改善是根本的、具有決定性意義的,是任何優(yōu)化都難以企及的。目前,業(yè)內最重要的代工企業(yè)臺積電和三星在工藝的發(fā)展上越來(lái)越激進(jìn),10nm、7nm等新工藝層出不窮。那么,這些新工藝帶來(lái)了怎樣的優(yōu)勢?本文就帶你一探究竟。   說(shuō)起工藝,人們往往會(huì )想到英特爾。的確,英特爾擁有著(zhù)全球綜合性能最強悍的半導體制造能力,其工藝無(wú)論在頻率、功耗還
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晶圓廠(chǎng)沖量產(chǎn) 10nm芯片將如雨后春筍般涌現

  •   半導體2017年新一代制程技術(shù)將進(jìn)入量產(chǎn)階段,且多數針對消費應用設計,尤其是手機芯片。據ElectronicDesign報導,確定使用10納米制程生產(chǎn)的芯片包括三星電子(SamsungElectronics)和高通(Qualcomm)的Snapdragon835、聯(lián)發(fā)科HelioX30處理器和樂(lè )金電子(LGElectronics)新一代處理器。   英特爾(Intel)使用14納米先進(jìn)制程生產(chǎn)微處理器已有一段時(shí)間,執行長(cháng)BrianKrzanich在2017年消費性電子展(CES)上展示內含英特爾最新
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晶圓廠(chǎng)沖量產(chǎn) 10nm芯片將如雨后春筍般涌現

  • 半導體2017年新一代制程技術(shù)將進(jìn)入量產(chǎn)階段,且多數針對消費應用設計,尤其是手機芯片。
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英特爾10nm桌面產(chǎn)品再推遲?14nm依舊中流砥柱

  • 桌面產(chǎn)品方面暫時(shí)見(jiàn)不到10nm產(chǎn)品,所以14nm依舊中流砥柱,按照這樣的說(shuō)法來(lái)看,我們見(jiàn)到7nm處理器最快也要到2020年了。
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英特爾10nm制程進(jìn)展:Cannon Lake在路上

  •   根據路線(xiàn)圖,英特爾第一代10nm制程酷睿處理器Cannon Lake將于17年下半年面世,英特爾今日通過(guò)推特透露最新10nm進(jìn)程進(jìn)展,該公司稱(chēng)第一代10nm制程酷睿處理器Cannon Lake已經(jīng)在路上,而第二代10nm制程處理器Ice Lake也已經(jīng)完成最終設計,10nm制程達成新里程碑。   推文中的“在路上”或許是英特爾在強調Cannon Lake芯片將會(huì )遵守路線(xiàn)圖,于今年下半年開(kāi)始出貨,并且在明年上半年進(jìn)行大批量出貨,破除此前的跳票傳聞。10nm制程的Cannon L
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三星10nm以下封測乏力,制程外包誰(shuí)將受益?

  • 10納米以下的芯片封裝不能采取傳統的加熱回焊,必須改用熱壓法,三星沒(méi)有熱壓法封裝的經(jīng)驗,也缺乏設備,外包廠(chǎng)則有相關(guān)技術(shù)。有鑒于10nm以下芯片生產(chǎn)在即,迫于時(shí)間壓力,可能會(huì )選擇外包。
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10nm工藝麒麟970芯片曝光 驍龍835要被秒的節奏

  •   隨著(zhù)10nm工藝的驍龍835處理器新機陸續問(wèn)世,華為何時(shí)推出全新麒麟處理器來(lái)應對,自然也成了不少關(guān)心的話(huà)題。而根據網(wǎng)友在微博的最新爆料稱(chēng),華為下代麒麟970處理器將采用10nm FinFET工藝,并在處理器架構方面使用ARM公版的Cortex-A73核心,至于GPU則或將首發(fā)ARM Heimdallr MP,以及5載波聚合的全球全網(wǎng)通基帶,預計將在今年十月份聯(lián)袂華為Mate 10與我們正式見(jiàn)面。     10nm FinFET工藝   根據網(wǎng)友@草Grass草在微博上的最新爆料稱(chēng),華為
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手機芯片也擠牙膏 10nm升級換代其實(shí)很雞肋?

  • 以前高通每次的升級換代,性能都是成倍地上漲,然而這次的835采用最新的10nm制程,效果提升卻不是那么高呢?
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三星VS臺積電 10nm之后聽(tīng)誰(shuí)的

  •   2017年3月,三星和臺積電分別就其半導體制程工藝的現狀和未來(lái)發(fā)展情況發(fā)布了幾份非常重要的公告。三星表示,該公司有超過(guò)7萬(wàn)個(gè)晶圓加工過(guò)程都采用了第一代10nm FinFET工藝,未來(lái)這一數量還會(huì )繼續增加,同時(shí),三星還公布了未來(lái)的即將采用的工藝路線(xiàn)圖。特別是,三星計劃在未來(lái)將公布三個(gè)工藝,目前為止,我們對于這三個(gè)工藝均一無(wú)所知。   另一方面,臺積電表示,采用其第一代10nm工藝的芯片將會(huì )很快實(shí)現量產(chǎn),同時(shí),臺積電也表示,在未來(lái)幾年,臺積電將會(huì )陸續推出幾項全新的工藝,這其中就包括將在2019年推出的首
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精測:10nm為今年主力,7nm需求明年浮現

  •   臺股股后精測今日舉行在線(xiàn)法說(shuō)會(huì ),公司預期10奈米應用處理器(AP)產(chǎn)品將是今年主力,7奈米應用需求明年才會(huì )浮現。 而為因應未來(lái)7奈米以下測試需求,公司研發(fā)費用及整體營(yíng)業(yè)費用率預期將維持一定比例,以維持整體競爭力。   至于營(yíng)運總部建置規畫(huà)部分,精測預期7月底、8月初將正式動(dòng)土,興建時(shí)間需花費2年,啟用時(shí)間估落于2019年中。 為充實(shí)營(yíng)運資金及建廠(chǎng)投資需求,公司規畫(huà)辦理現增發(fā)行2000張普通股,將提請6月8日股東常會(huì )表決通過(guò)后,再向主管機關(guān)遞交申請。   精測目前營(yíng)業(yè)費用率約25%,財務(wù)長(cháng)許憶萍說(shuō)明
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如虎添翼 三星第二代10nm制程開(kāi)發(fā)完成!

  •   三星周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成,未來(lái)爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。   三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導入量產(chǎn),目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。   據三星表示,第二代10納米FinFET制程與第一代做比較,運算效能提升10%,用電效率則提高15%。   三星為確保10納米制程長(cháng)期供貨穩定,其位在首爾西南方華城市的最新晶圓廠(chǎng)已增添新設備,預計第四季可就定位開(kāi)始生產(chǎn)。   雖然三星未透露第二代10納米制程的
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三星宣布10nm制程新進(jìn)展:已完成二代10nm工藝LPP驗證工作

  •   三星今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗證工作,即將量產(chǎn)。   按照三星的說(shuō)法,此前的10nm采用的是LPE(low-power early),比如驍龍835和Exynos 8895,而第二代是LPP(Low Power Plus),事實(shí)上更加先進(jìn),可以滿(mǎn)足更高的性能指標要求。   據悉,三星已經(jīng)在位于韓國華城的S3產(chǎn)線(xiàn)部署安裝相關(guān)設備,定于Q4開(kāi)始量產(chǎn)工作。   另外,此前韓國巨頭還表示,它們10nm的內部研發(fā)進(jìn)度已經(jīng)到了第三代LP
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突破技術(shù)“無(wú)人區” 中國半導體設備或打破外企壟斷

  • 不鳴則已一鳴必驚人!揚眉吐氣、創(chuàng )造歷史!中國再一次在核心領(lǐng)域突破技術(shù)“無(wú)人區”,彎道超車(chē),率先掌握5 nm半導體技術(shù)!
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