三星全力投入10nm存儲器制程 拉大競爭差距

　　三星電子(SamsungElectronics)半導體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部旗下半導體總括兼系統LSI事業(yè)部長(cháng)金奇南，將以10奈米級記憶體晶片量產(chǎn)一決勝負。DS事業(yè)部的技術(shù)研發(fā)和投資焦點(diǎn)，也從設計技術(shù)轉移到制程技術(shù)。

　　自1993年起，三星在記憶體市場(chǎng)上維持超過(guò)20年的霸主地位，秘訣就在于提升制程技術(shù)，拉大與競爭對手的差距。

　　據南韓經(jīng)濟日報報導，金奇南在2014年2月接任記憶體事業(yè)部長(cháng)職務(wù)后曾指示，將全力投注在平面記憶體晶片電路精細化。截至2013年，三星記憶體事業(yè)部仍致力于研發(fā)系統晶片控制器和40奈米級NAND垂直堆疊3D技術(shù)，但進(jìn)入2014年后依照金奇南的指示，將轉換重心到平面記憶體微細制程。

　　三星內部人員透露，美國等海外半導體廠(chǎng)進(jìn)行技術(shù)投資，加強研發(fā)電路微細化制程和材料技術(shù)，并致力推動(dòng)四重微影(QPT)等制程技術(shù)商用化。三星仍持續研發(fā)3D技術(shù)，但目前將把重心放在平面NANDFlash制程微細化上。

　　記憶體晶片可分為DRAM和NANDFlash兩大類(lèi)。主要DRAM廠(chǎng)三星、SK海力士(SKHynix)、美光(Micron)等都以20奈米級制程生產(chǎn)。NAND方面，三星和東芝(Toshiba)的制程發(fā)展到19奈米后，轉往3D技術(shù)，SK海力士則準備以16奈米級制程生產(chǎn)。

　　電路線(xiàn)幅越縮減，可使電子更容易移動(dòng)，耗電量越小，驅動(dòng)速度更快。一片晶圓可制造的半導體數量增加，價(jià)格也越低。問(wèn)題在于微細制程在進(jìn)入20奈米級后，自2012年起陷入電路微細化的瓶頸。

　　南韓業(yè)界認為，想要制造電路線(xiàn)幅在20奈米以下的記憶體晶片，形成電路圖樣的曝光機需改用極紫外線(xiàn)(EUV)設備。荷蘭業(yè)者ASML自主研發(fā)的EUV設備，每臺價(jià)格超過(guò)1,000億韓元(約9,885萬(wàn)美元)，價(jià)格昂貴。

　　三星、英特爾(Intel)等半導體大廠(chǎng)2012年對ASML投資64億美元，也是期望ASML能持續研發(fā)EUV曝光設備。然經(jīng)過(guò)2年后，EUV設備的性能并沒(méi)有大幅改善，這也是三星改以3D或研發(fā)控制器技術(shù)取代微細化制成的背景因素。

　　盡管如此，金奇南接手記憶體事業(yè)部后，仍致力于電路微細化的研發(fā)作業(yè)，改變了原本的事業(yè)方向。三星內部人員透露，三星的目標在不使用EUV設備的前提下，確?？缮a(chǎn)15奈米以下DRAM和NANDFlash產(chǎn)品的技術(shù)。

　　NAND控制器或3D技術(shù)是相對容易被競爭對手趕上的技術(shù)，但若實(shí)現10奈米級以下微細制程，將可與競爭對手拉開(kāi)更大的差距