EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
1.2
1.2 文章 進(jìn)入1.2技術(shù)社區
英特爾攜手生態(tài)伙伴重磅發(fā)布OPS 2.0,推動(dòng)智慧教育應用創(chuàng )新落地
- 近日,英特爾AI教育峰會(huì )暨OPS2.0全球發(fā)布活動(dòng)在第83屆中國教育裝備展示會(huì )期間順利舉行。峰會(huì )現場(chǎng),英特爾攜手視源股份、德晟達等合作伙伴正式發(fā)布新一代開(kāi)放式可插拔標準——OPS 2.0,并展示了基于該標準的多元化行業(yè)領(lǐng)先解決方案,以進(jìn)一步加速智慧教育終端與智能應用的創(chuàng )新與落地,開(kāi)創(chuàng )面向未來(lái)的智慧教育新生態(tài)。英特爾公司市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)集團副總裁、英特爾中國網(wǎng)絡(luò )與邊緣及渠道數據中心事業(yè)部總經(jīng)理郭威表示,“英特爾多年來(lái)始終致力于推動(dòng)智慧教育與視頻會(huì )議領(lǐng)域的數字化創(chuàng )新。作為英特爾精心打造的新一代計算模塊,OPS 2.0
- 關(guān)鍵字: 英特爾 OPS 2.0 智慧教育 開(kāi)放式可插拔標準
歐洲航天局利用MVG設備大幅增強新型Hertz 2.0測試設施靈活性
- 天線(xiàn)測量解決方案領(lǐng)導者M(jìn)icrowave Vision Group(MVG)近日宣布與歐洲航天局 (ESA) 簽訂兩份合同,位于荷蘭的歐洲航天研究和技術(shù)中心 (European Space Research and Technology Centre, ESTEC)將通過(guò)MVG天線(xiàn)測量技術(shù)為其新型改進(jìn)射頻測試設施Hertz 2.0提供補充。Hertz 2.0將受益于大型多軸定位器,使中型和重型被測設備 (DUT) 能夠在任何角度方向上進(jìn)行高精度測試。MVG 與 DUT 定位器一起為緊縮場(chǎng)(CATR)饋源提
- 關(guān)鍵字: 歐洲航天局 MVG Hertz 2.0 測試
大聯(lián)大詮鼎集團推出基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案
- 致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商—大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下詮鼎推出基于立锜科技(Richtek)RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案的展示板圖隨著(zhù)PD3.1快充協(xié)議的發(fā)布,USB充電技術(shù)迎來(lái)了重大突破。該協(xié)議將電源的輸出電壓提升至48V、充電功率同步提升至240W。在此背景下,傳統的反激方案以及適用于20V輸出的協(xié)議芯片已無(wú)法滿(mǎn)足當前的市場(chǎng)需求。設備制造商需要更新他們的
- 關(guān)鍵字: 大聯(lián)大詮鼎 立锜 PD3.1 快充
Meta 展示新款 MTIA 芯片:5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz
- 4 月 11 日消息,Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后,近日發(fā)布新聞稿,介紹了新款 MTIA 芯片的細節。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝,而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝,采用更大的物理設計(擁有更多的處理核心),功耗也從 25W 提升到了 90W,時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數據中心使用新款 MTIA 芯片,與 MTIA v1 相比,整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
- 關(guān)鍵字: Meta MTIA 芯片 5nm 工藝 90W 功耗 1.35GHz
iPhone 17 Pro將首發(fā)!曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定
- 4月11日消息,根據產(chǎn)業(yè)鏈消息,臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據了解,臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開(kāi)始,而小規模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是,臺積電在亞利桑那州的工廠(chǎng)也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年,臺積電將開(kāi)始推進(jìn)1.4納米工藝節點(diǎn),這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況,臺積電最新的工藝制程很可能會(huì )由蘋(píng)果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時(shí)間表,iPhone 17 Pro將成為首批
- 關(guān)鍵字: iPhone 17 Pro 臺積電 2nm 1.4nm 工藝
臺積電CoWoS供不應求,三星搶下英偉達2.5D先進(jìn)封裝訂單
- 4月8日消息,據韓國媒體TheElec報導,三星電子已經(jīng)成功拿下了GPU大廠(chǎng)英偉達(NVIDIA)的2.5D封裝訂單。據市場(chǎng)人士的說(shuō)法,三星的先進(jìn)封裝(AVP)團隊將為英偉達提供Interposer(中間層)和I-Cube先進(jìn)封裝產(chǎn)能。I-Cube為三星自主研發(fā)的2.5D封裝技術(shù),但是當中的高帶寬內存(HBM)和GPU晶圓的生產(chǎn)將由其他公司負責?,F階段通過(guò)2.5D封裝技術(shù)可以將多個(gè)芯片,例如CPU、GPU、I / O界面、HBM等,平均放置在中間層上完整封裝在單一系統芯片當中。臺積電將這種封裝技術(shù)
- 關(guān)鍵字: 臺積電 CoWoS 三星 英偉達 2.5D先進(jìn)封裝
特斯拉平價(jià)款Model 2沒(méi)了? 馬斯克怒駁斥
- 美國電動(dòng)車(chē)大廠(chǎng)特斯拉可能推出入門(mén)平價(jià)車(chē)款「Model 2」的消息早已流傳有一段時(shí)間。投資人莫不希望這款據傳定價(jià)2.5萬(wàn)美元的平價(jià)電動(dòng)車(chē)能夠帶動(dòng)陷入成長(cháng)困境的特斯拉業(yè)績(jì)??墒峭饷铰吠干缛涨皡s驚曝,這款特斯拉承諾以久的平價(jià)車(chē)款計劃已經(jīng)告吹。消息曝光后,特斯拉執行長(cháng)馬斯克在旗下社群平臺X上怒批,「路透社(又)在說(shuō)謊」!馬斯克杠上媒體已經(jīng)不是新聞?!度A爾街日報》、《紐約時(shí)報》、彭博社等美國權威媒體都曾領(lǐng)教過(guò)馬斯克的怨懟發(fā)言。這次惹毛馬斯克的導火線(xiàn)是路透社5日爆出的獨家消息。報導中引述消息人士發(fā)言,指稱(chēng)特斯拉已經(jīng)取
- 關(guān)鍵字: 特斯拉 Model 2 馬斯克
三星獲得英偉達2.5D封裝訂單,將采用I-Cube封裝技術(shù)
- 目前英偉達的H100等數據中心GPU都是由臺積電(TSMC)負責制造及封裝,SK海力士則供應HBM3芯片。不過(guò)人工智能(AI)的火熱程度顯然超出了大家的預期,導致臺積電的先進(jìn)封裝產(chǎn)能吃緊。雖然臺積電不斷擴大2.5D封裝產(chǎn)能,以滿(mǎn)足英偉達不斷增長(cháng)的需求,但是英偉達在過(guò)去數個(gè)月里,與多個(gè)供應商就2.5D封裝產(chǎn)能和價(jià)格進(jìn)行談判,希望能夠分擔部分工作量。據The Elec報道,三星已經(jīng)獲得了英偉達的2.5D封裝訂單。其高級封裝(AVP)團隊將向英偉達提供中間層,以及I-Cube封裝。I-Cube屬于三星自己開(kāi)發(fā)的
- 關(guān)鍵字: 三星 英偉達 封裝 2.5D
2.5D EDA工具中還缺少什么?
- 盡管如今可以創(chuàng )建基于中間層的系統,但工具和方法論尚不完善,且與組織存在不匹配問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字: 2.5D先進(jìn)封裝
消息稱(chēng)三星獲英偉達 AI 芯片 2.5D 封裝訂單
- 月 8 日消息,據韓國電子行業(yè)媒體 TheElec 報道,三星電子成功拿下了英偉達的 2.5D 封裝訂單。消息人士透露,三星的先進(jìn)封裝 (AVP) 團隊將為英偉達提供 Interposer(中間層)和 I-Cube,這是其自主研發(fā)的 2.5D 封裝技術(shù),高帶寬內存 (HBM) 和 GPU 晶圓的生產(chǎn)將由其他公司負責。據IT之家了解,2.5D 封裝技術(shù)可以將多個(gè)芯片,例如 CPU、GPU、I / O 接口、HBM 等,水平放置于中間層上。臺積電將這種封裝技術(shù)稱(chēng)為 CoWoS,而三星則稱(chēng)之為
- 關(guān)鍵字: 三星 英偉達 AI 芯片 2.5D 封裝 訂單
One UI 6.1 導致 Galaxy S23 系列手機指紋識別出問(wèn)題
- 4 月 8 日消息,近日,三星為 Galaxy S23 系列機型推送的 One UI 6.1 更新意外導致了手機的指紋識別功能出現故障。有用戶(hù)反映,使用指紋識別解鎖手機時(shí),會(huì )出現第一次識別失敗,手指離開(kāi)后再重新識別才能解鎖的情況。還有用戶(hù)表示,每次使用指紋識別解鎖手機時(shí),系統都會(huì )崩潰,需要連續嘗試兩次才能成功。據 AndroidAuthority 報道,三星韓國社區論壇的一位社區經(jīng)理已經(jīng)確認了該問(wèn)題的存在。他表示:“對于設備使用過(guò)程中出現的不便,我們深表歉意。我們已經(jīng)確認,部分情況下鎖屏的指紋識別功能
- 關(guān)鍵字: One UI 6.1 Galaxy S23 手機指紋 識別
三星組建 HBM 產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊,加速 AI 推理芯片 Mach-2 開(kāi)發(fā)
- 4 月 1 日消息,三星電子 DS 部門(mén)負責人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內部正采取雙軌 AI 半導體策略,同步提高在 AI 用存儲芯片和 AI 算力芯片領(lǐng)域的競爭力。在 AI 用存儲芯片部分,三星組建了由 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負責人 Hwang Sang-joon 領(lǐng)導 HBM 內存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊,這是其今年建立的第二個(gè) HBM 專(zhuān)門(mén)團隊。三星近期在 HBM 內存上進(jìn)行了大規模的人才投入,旨在贏(yíng)回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內存市場(chǎng)領(lǐng)軍地位:2019 年,三星因對未來(lái)市場(chǎng)的錯誤預測
- 關(guān)鍵字: 三星 HBM AI Mach-2
三星計劃推出Mach-1:輕量級AI芯片,搭配LPDDR內存
- 三星電子DS部門(mén)負責人慶桂顯(Kye Hyun Kyung)在第55屆股東大會(huì )上宣布,將于2025年初推出人工智能(AI)芯片Mach-1,正式進(jìn)軍AI芯片市場(chǎng)。三星希望,能夠在快速增長(cháng)的人工智能硬件領(lǐng)域與其他公司進(jìn)行競爭,比如英偉達。據SeDaily報道,Mach-1屬于A(yíng)SIC設計,被定為為輕量級人工智能芯片,搭配LPDDR內存產(chǎn)品。其擁有一項突破性的功能,與現有的設計相比,能顯著(zhù)降低了推理應用的內存帶寬需求,僅為原來(lái)的八分之一,降低了87.5%。三星認為,這一創(chuàng )新設計將使Mach-1在效率和成本效益
- 關(guān)鍵字: 三星 Mach-1 AI芯片 LPDDR內存
xAI宣布開(kāi)源大語(yǔ)言模型Grok-1并開(kāi)放下載
- 3月18日消息,美國當地時(shí)間周日,埃隆·馬斯克(Elon Musk)旗下的人工智能初創(chuàng )企業(yè)xAI宣布,其大語(yǔ)言模型Grok-1已實(shí)現開(kāi)源,并向公眾開(kāi)放下載。感興趣的用戶(hù)可通過(guò)訪(fǎng)問(wèn)GitHub頁(yè)面github.com/xai-org/grok來(lái)使用該模型。xAI介紹稱(chēng),Grok-1是一款基于混合專(zhuān)家系統(Mixture-of-Experts,MoE)技術(shù)構建的大語(yǔ)言模型,擁有3140億參數。近期,公司發(fā)布了Grok-1的基本模型權重和網(wǎng)絡(luò )架構詳情。該公司表示,Grok-1始終由xAI自行訓練,其預訓練階段于
- 關(guān)鍵字: xAI 開(kāi)源大語(yǔ)言模型 Grok-1
貿澤開(kāi)售加快工業(yè)IoT設備開(kāi)發(fā)的Boundary Devices Nitrogen8M Plus SMARC
- 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售Boundary Devices的Nitrogen8M Plus?SMARC。Nitrogren8M Plus SMARC是一款符合SMARC 2.1行業(yè)標準的高性能系統級模塊?(SoM),與SMARC載板相結合可組成單板計算機,大大加快產(chǎn)品上市速度。Nitrogen8M Plus SMARC是各種工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)?(IIoT)?應用的
- 關(guān)鍵字: 貿澤 工業(yè)IoT設備 Boundary SMARC 2.1
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
