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英飛凌.麥克風(fēng)
英飛凌.麥克風(fēng) 文章 進(jìn)入英飛凌.麥克風(fēng)技術(shù)社區
英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列
- 英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數校正)級或PWM(脈寬調制)級等能源轉換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現代超結結構及包括超低單位面積導通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內的補償器件的優(yōu)勢，同時(shí)具有更低的電容開(kāi)關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)特性控制特性和更結實(shí)耐用的增強型體二極管。 C6系列是英飛凌推
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英飛凌爾必達和解專(zhuān)利糾紛 達成交叉授權協(xié)議
- 據國外媒體報道，歐洲第二大芯片廠(chǎng)商英飛凌日前宣布，公司已經(jīng)與日本爾必達就半導體技術(shù)專(zhuān)利糾紛達成和解。 英飛凌發(fā)言人Monika Sonntag今日在接受電話(huà)采訪(fǎng)時(shí)稱(chēng)，雙方已經(jīng)同意交叉授權半導體專(zhuān)利技術(shù)，公司不會(huì )公布和解協(xié)議的具體財務(wù)條款。 爾必達是日本最大的電腦內存芯片廠(chǎng)商，它與英飛凌就與微控制器有關(guān)的創(chuàng )新技術(shù)專(zhuān)利向美國地方法院和國際貿易委員會(huì )提出了訴訟。 英飛凌負責銷(xiāo)售、營(yíng)銷(xiāo)與技術(shù)的管理委員會(huì )成員Hermann Eul表示：“我們期待著(zhù)兩家公司能夠保持長(cháng)久的和平關(guān)系。
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英飛凌與爾必達就專(zhuān)利侵權訴訟達成和解
- 英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司與爾必達公司(Elpida Memory Icn.)就專(zhuān)利侵權訴訟達成和解。英飛凌與爾必達均同意撤消所有未決專(zhuān)利侵權訴訟。英飛凌于2010年2月向美國國際貿易委員會(huì )(ITC)遞交起訴書(shū)，起訴爾必達及其客戶(hù)。爾必達隨后在弗吉尼亞州東部地區法院針對英飛凌提起兩項訴訟。 英飛凌與爾必達通過(guò)半導體技術(shù)專(zhuān)利交叉許可，就專(zhuān)利侵權訴訟達成和解。具體許可條款未透露。 英飛凌公司董事會(huì )成員兼銷(xiāo)售、營(yíng)銷(xiāo)、技術(shù)和研發(fā)負責人Hermann Eul博士指出：“英飛凌很高
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英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡(jiǎn)易、可靠。 獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類(lèi)似。這要歸功于英飛凌已獲得專(zhuān)利的擴散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
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英飛凌推出第三代高速600V和1200V IGBT打破開(kāi)關(guān)和效率界限
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于高頻和硬開(kāi)關(guān)應用，在降低開(kāi)關(guān)損耗、實(shí)現出類(lèi)拔萃的效率方面，樹(shù)立了行業(yè)新標桿，并可滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)頻率高達100 kHz的應用需求。 近年來(lái)，各種產(chǎn)品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT，比如開(kāi)關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化，以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽(yáng)能逆變器、開(kāi)關(guān)電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應用，幫助最大
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英飛凌在汽車(chē)電子芯片領(lǐng)域獨占鰲頭
- 根據Strategy Analytics公布的最新研究結果，英飛凌科技股份公司成為當今世界頭號汽車(chē)電子芯片供應商。這家位于美國的市場(chǎng)研究機構稱(chēng)，2009年，英飛凌獲得9%的全球市場(chǎng)份額，總銷(xiāo)售額達到13.1億美元。盡管2009年汽車(chē)行業(yè)遭遇重創(chuàng )，但英飛凌卻進(jìn)一步鞏固了自己的市場(chǎng)地位。2009年，汽車(chē)芯片市場(chǎng)規?？s小21%，從2008的183億美元降至144億美元。 英飛凌公司汽車(chē)部總裁Jochen Hanebeck指出:“在行業(yè)困難時(shí)期，我們憑借廣泛的產(chǎn)品創(chuàng )新占據汽車(chē)電子芯片領(lǐng)域第一
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傳英飛凌計劃將無(wú)線(xiàn)芯片業(yè)務(wù)售予英特爾
- 據國外媒體報道，《金融時(shí)報》德國版(Financial Times Deutschland)周一援引消息人士的話(huà)稱(chēng)，德國芯片制造商英飛凌正在與英特爾進(jìn)行談判，考慮向后者出售自己的無(wú)線(xiàn)芯片業(yè)務(wù)。 英飛凌無(wú)線(xiàn)芯片業(yè)務(wù)的供貨對象包括了蘋(píng)果、諾基亞、三星電子和RIM。英飛凌目前尚不明確剝離無(wú)線(xiàn)芯片業(yè)務(wù)，是否會(huì )對自身有一定的意義。截至目前，上述兩家公司均對此未置可否。 一些分析師認為，英特爾收購英飛凌無(wú)線(xiàn)芯片業(yè)務(wù)有一定的意義。不過(guò)英飛凌首席執行官彼得•鮑爾(Peter Bauer)在今年3
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英飛凌在汽車(chē)電子芯片領(lǐng)域獨占鰲頭
- 根據Strategy Analytics公布的最新研究結果，英飛凌科技股份公成為當今世界頭號汽車(chē)電子芯片供應商。這家位于美國的市場(chǎng)研究機構稱(chēng)，2009年，英飛凌獲得9%的全球市場(chǎng)份額，總銷(xiāo)售額達到13.1億美元。盡管2009年汽車(chē)行業(yè)遭遇重創(chuàng )，但英飛凌卻進(jìn)一步鞏固了自己的市場(chǎng)地位。2009年，汽車(chē)芯片市場(chǎng)規?？s小21%，從2008的183億美元降至144億美元。 英飛凌公司汽車(chē)部總裁Jochen Hanebeck指出:“在行業(yè)困難時(shí)期，我們憑借廣泛的產(chǎn)品創(chuàng )新占據汽車(chē)電子芯片領(lǐng)域第一的
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英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3
- 英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì )(2010年5月4日至6日)上，推出了專(zhuān)為實(shí)現最高功率密度和可靠性而設計的新款I(lǐng)GBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。 英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過(guò)推出這兩款新產(chǎn)品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
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英飛凌攜手三菱電機服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運動(dòng)控制與驅動(dòng)市場(chǎng)，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開(kāi)發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導廠(chǎng)商將會(huì )采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據協(xié)議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng )造者
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英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無(wú)管腳SMD
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統解決方案尺寸。 全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無(wú)管腳封裝內，貼裝業(yè)界標準TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤(pán)，便于內部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼，滿(mǎn)足當今市場(chǎng)對時(shí)
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英飛凌預計2010財年營(yíng)收增幅將高達30%
- 英飛凌科技股份公司近日公布2010財年(截至2010年3月31日)第二季度的財務(wù)結果。 英飛凌第二季度的營(yíng)收為10.35億歐元，相對于第一季度大幅提高10%，同比提高55%。各業(yè)務(wù)部的合并財務(wù)結果1為1.1億歐元，較上一季度增長(cháng)25%。凈收入為7,900萬(wàn)歐元，而上一季度的凈收入為6,600萬(wàn)歐元。 2010財年第三季度，英飛凌預計公司銷(xiāo)售額的增長(cháng)百分比將會(huì )達到較高的個(gè)位數，相對于第二季度，各業(yè)務(wù)部的合并利益率將提高兩至四個(gè)百分點(diǎn)。 2010財年，英飛凌調整了對本年度的展望，因為20
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英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(cháng)IGBT模塊使用壽命，
- 英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì )(2010年5月4日至6日)上，推出創(chuàng )新的IGBT內部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(cháng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿(mǎn)足具備更高功率循環(huán)的新興應用的需求，并為提高功率密度和實(shí)現更高工作結溫鋪平道路。 英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過(guò)推出全新的.XT技術(shù)，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設計和制造領(lǐng)域的技術(shù)
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英飛凌攜手三菱電機服務(wù)全球功率電子行業(yè)
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議，針對全球工業(yè)運動(dòng)控制與驅動(dòng)市場(chǎng)，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開(kāi)發(fā)的這種革命性封裝概念，兩大領(lǐng)導廠(chǎng)商將會(huì )采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。 根據協(xié)議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng )造者
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英飛凌第二財季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元
- 據國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬(wàn)歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營(yíng)收為 10億歐元，同比增長(cháng)55%。 第二財季凈利潤好于分析師預期，營(yíng)收與分析師預期相當。據彭博社調查的分析師此前曾預計，該公司第二季度經(jīng)調整凈利潤7130萬(wàn)歐元。第二財季為英飛凌連續第三季度實(shí)現盈利，而在那之前10個(gè)季度該公司累計虧損額高達39億歐元。 英飛凌上調了
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英飛凌.麥克風(fēng)介紹
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