英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(cháng)IGBT模塊使用壽命，

　　英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì )(2010年5月4日至6日)上，推出創(chuàng )新的IGBT內部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(cháng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿(mǎn)足具備更高功率循環(huán)的新興應用的需求，并為提高功率密度和實(shí)現更高工作結溫鋪平道路。

　　英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出：“通過(guò)推出全新的.XT技術(shù)，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設計和制造領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。英飛凌在功率循環(huán)周次方面，樹(shù)立了行業(yè)新標桿，可實(shí)現更高的工作結溫。這些全新技術(shù)可滿(mǎn)足各種要求苛刻的應用的需求，例如商用車(chē)、工程車(chē)和農用車(chē)或風(fēng)力發(fā)電。”

　　全新.XT技術(shù)相對于現有技術(shù)，可使IGBT模塊的使用壽命延長(cháng)10倍，或者使輸出功率提高25%。這種新技術(shù)可支持高達200°C的結溫。

　　功率循環(huán)會(huì )造成溫度變化，并導致IGBT模塊內部連接部位產(chǎn)生機械應力。芯片各層的熱膨脹系數不同，會(huì )造成熱應力，導致材料疲勞和損壞。全新.XT技術(shù)涵蓋IGBT模塊內部有關(guān)功率循環(huán)功能的所有關(guān)鍵點(diǎn)：芯片正面的鍵合線(xiàn)、芯片背面的焊接(芯片至DCB)和DCB(直接鍵合銅)至基板的焊接。

　　這種全新的連接技術(shù)經(jīng)過(guò)精心開(kāi)發(fā)，可滿(mǎn)足英飛凌現有的多數封裝和全新的模塊封裝的要求。全部三種新連接技術(shù)都可是基于標準工藝，十分適用于批量生產(chǎn)。

　　供貨

　　采用全新.XT技術(shù)的第一款產(chǎn)品是PrimePACK 2模塊FF900R12IP4LD。該模塊采用半橋配置，具備900Arms的電流，基于IGBT4芯片，最大工作結溫為150°C。