英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無(wú)管腳SMD

　　英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統解決方案尺寸。

　　全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無(wú)管腳封裝內，貼裝業(yè)界標準TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤(pán)，便于內部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼，滿(mǎn)足當今市場(chǎng)對時(shí)尚纖巧新品的需求。目前有兩家公司可推出這種新封裝：英飛凌和意法半導體將推出采用這種創(chuàng )新封裝的MOSFET，分別為ThinPAK 8x8(英飛凌)和PowerFLAT™ 8x8 HV(意法半導體)，為客戶(hù)提供不同的優(yōu)質(zhì)選擇。

　　英飛凌高壓MOS產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理Jan-Willem Reynaerts指出：“今天我們與意法半導體合作推出的新型封裝，為高壓MOSFET的無(wú)管腳SMD封裝樹(shù)立了行業(yè)新標桿。CoolMOS™ 等硅技術(shù)已發(fā)展到可高效快速開(kāi)關(guān)的高級階段。在該階段，傳統的標準過(guò)孔封裝逐漸成為限制能效和功率密度進(jìn)一步提升的因素。”

　　ThinPAK 8x8封裝不僅具備2nH的極低寄生電感(D2PAK的寄生電感為6nH)、與D2PAK類(lèi)似的散熱性能，而且其獨立的驅動(dòng)源連接點(diǎn)可以保證干凈的柵極信號。因此，ThinPAK 8x8封裝可使功率MOSFET實(shí)現更快速、高效的開(kāi)關(guān)，更輕松地處理開(kāi)關(guān)行為和電磁干擾。

　　初期，英飛凌將推出三款采用這種新封裝的600V CoolMOS™ 器件：199毫歐(IPL60R199CP)、299毫歐(IPL60R299CP)和385毫歐(IPL60R385CP)。