英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列

　　英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數校正)級或PWM(脈寬調制)級等能源轉換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現代超結結構及包括超低單位面積導通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內的補償器件的優(yōu)勢，同時(shí)具有更低的電容開(kāi)關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)特性控制特性和更結實(shí)耐用的增強型體二極管。

　　C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)。英飛凌在CoolMOS C3和CoolMOS CP等前代系列產(chǎn)品的基礎上，進(jìn)一步提高了開(kāi)關(guān)速度并降低了導通電阻。CoolMOS C3是一個(gè)應用非常廣泛的產(chǎn)品系列，而CP系列可滿(mǎn)足需要最高開(kāi)關(guān)速度和最低導通電阻的各種專(zhuān)門(mén)應用的需求。

　　最新推出的600V CoolMOS C6器件，融合了CoolMOS C3和CoolMOS CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢。例如，電源廠(chǎng)商可受益于超結CP系列的優(yōu)勢——包括極低電容損耗和極低單位面積導通電阻等，設計出更高效、更緊湊、更輕更涼的電源產(chǎn)品。與此同時(shí)，開(kāi)關(guān)控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對于CP系列的設計而言，CoolMOS C6簡(jiǎn)化了PCB系統布局。具體而言，這意味著(zhù)在CoolMOS C6系列內，柵極電荷、電壓/電流斜率和內部柵極電阻達到了優(yōu)化和諧狀態(tài)，即使低至零歐姆的柵極電阻，也不會(huì )產(chǎn)生過(guò)高的電壓或電流斜率。此外，C6器件具備出色的體二極管硬換流抗受能力，因此可避免使用昂貴的快速體二極管組件。

　　英飛凌認為，前代產(chǎn)品CoolMOS C3的易用性和高能效特性，加上更高的輕載效率，將使CoolMOS C6系列成為硬開(kāi)關(guān)應用的基準。另一方面，存儲在輸出電容中的極低電能和出類(lèi)拔萃的硬換流耐受性，使該器件成為諧振開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的理想選擇。

　　CoolMOS C6器件可降低設計難度，非常適用于各種高能效應用，例如面向個(gè)人電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機、照明(高壓氣體放電燈)產(chǎn)品以及電視機(液晶或等離子電視機)和游戲機等消費電子產(chǎn)品的電源或適配器。英飛凌的新一代功率半導體產(chǎn)品，能夠讓客戶(hù)開(kāi)發(fā)出符合當今能效要求和政府法規的高度可靠的終端產(chǎn)品。