EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
英飛凌.麥克風(fēng)
英飛凌.麥克風(fēng) 文章 進(jìn)入英飛凌.麥克風(fēng)技術(shù)社區
英飛凌啟動(dòng)有限股票回購計劃，履行現有員工參與持股計劃責任
- 2023年9月15日，全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）管理委員會(huì )經(jīng)監事會(huì )批準，決定通過(guò)證券交易所回購多達700萬(wàn)股股票（ISIN DE0006231004），回購總價(jià)（不含附帶成本）高達3億歐元。 此次回購由一家獨立信貸機構代表英飛凌通過(guò)法蘭克福證券交易所的Xetra交易進(jìn)行，定于2024年2月26日開(kāi)始，并在2024年3月28日前（含當日）完成?；刭彽哪康氖歉鶕F行的員工持股計劃，向公司或關(guān)聯(lián)公司員工、公司管理委員會(huì )成員以及關(guān)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌
Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程封頂
- 3月28日消息，當地時(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠(chǎng)——8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程舉行了封頂儀式。據了解，該工廠(chǎng)位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠(chǎng)已有一些長(cháng)晶爐設備進(jìn)場(chǎng)，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶(hù)協(xié)議，查塔姆工廠(chǎng)的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
基礎知識之麥克風(fēng)
- 1. 什么是麥克風(fēng)？聲音在我們的日常生活中廣泛存在，我們可以使用聲音來(lái)制作許多互動(dòng)控制，例如走廊上的聲控燈。通過(guò)聲音傳感器，在黑色檢測頭(麥克風(fēng))前拍手或大聲說(shuō)話(huà)，您就可以通過(guò)聲音控制燈光。聲音傳感器相當于一個(gè)麥克風(fēng)。它可以感應聲音并將感應到的聲音轉換成相應的模擬信號輸出出來(lái)。2. 麥克風(fēng)是如何工作的？麥克風(fēng)是換能器的一個(gè)例子，換能器是一種將信息從一種形式轉換為另一種形式的設備。聲音信息以氣壓的形式存在，麥克風(fēng)將這些信息轉換成電流模式。大多數麥克風(fēng)采用光調制、壓電產(chǎn)生、電容變化和電磁感應等技術(shù)，從機械振動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 麥克風(fēng)
英飛凌參加2024年美國國際電力電子應用展覽會(huì )
- 全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司于2月25日至29日參加2024年美國國際電力電子應用展覽會(huì )（APEC），并重點(diǎn)展示其在業(yè)界非常全面的功率電子器件。英飛凌的寬禁帶解決方案具有高能效和高功率密度等特性，是應對氣候變化和加速低碳化的關(guān)鍵驅動(dòng)因素。英飛凌一流的產(chǎn)品組合囊括了各種面向領(lǐng)先應用的功率半導體器件，全面覆蓋硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）三種半導體材料。英飛凌在1013號和1319號（英飛凌+GaN?系統）展臺展示豐富的產(chǎn)品及其廣泛的應用。1013號展臺根據應用領(lǐng)域的不
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 電力電子應用展覽會(huì ) APEC
Ekkono邊緣機器學(xué)習簡(jiǎn)化了在英飛凌AURIX? TC3x和TC4x上為汽車(chē)應用部署AI的過(guò)程
- 不同汽車(chē)的獨特性給汽車(chē)零部件供應商和OEM廠(chǎng)商等帶來(lái)了挑戰，因為每輛車(chē)的駕駛方式、駕駛地點(diǎn)、駕駛者、設計、用途以及道路和交通狀況都是獨一無(wú)二的。為保證每輛汽車(chē)都能正常運行并達到出色運行狀態(tài)，需要掌握并管理汽車(chē)及其狀況。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）?AURIX?微控制器（MCU）系列所提供的先進(jìn)實(shí)時(shí)計算硬件適用于安全關(guān)鍵型汽車(chē)應用中的嵌入式AI等用例。為了充分利用這些強大的功能，英飛凌生態(tài)系統合作伙伴Ekkono Solutions推出了一款簡(jiǎn)單易用且快
- 關(guān)鍵字： Ekkono 邊緣機器學(xué)習 英飛凌 AURIX
貿澤開(kāi)售英飛凌CYW20822 AIROC低功耗藍牙模塊
- 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入(NPI)代理商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開(kāi)售英飛凌CYW20822?AIROC?低功耗藍牙模塊。CYW20822模塊結構緊湊，支持低功耗藍牙長(cháng)距離?(LE-LR)?功能，可實(shí)現無(wú)縫集成并提高性能。CYW20822模塊出色地結合了低功耗和高性能，提供可實(shí)現成本優(yōu)化的無(wú)線(xiàn)連接解決方案，可支持各種低功耗藍牙長(cháng)距離用例，包括工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)應用、智能家居、資產(chǎn)跟蹤、信標和傳感器，以及醫療設備。貿澤供應
- 關(guān)鍵字： 貿澤 英飛凌 低功耗藍牙模塊
英飛凌推出低成本低功耗長(cháng)距離藍牙模塊CYW20822-P4TAI040
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出最新款藍牙模塊CYW20822-P4TAI040，在低功耗與覆蓋范圍等方面實(shí)現了新的突破，推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)和消費電子領(lǐng)域的無(wú)線(xiàn)連接技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。該模塊相比同類(lèi)產(chǎn)品有更高的性?xún)r(jià)比，通過(guò)支持藍牙低功耗長(cháng)距離傳輸（LE-LR）增強了性能，具有出色的可靠性，能夠無(wú)縫集成且支持各種應用。英飛凌的CYW20822-P4TAI040藍牙模塊集低功耗和高性能于一身，可支持包括工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應用、智能家居、資產(chǎn)追蹤、信標和傳感器、以及醫療設備在內的所有藍牙LE-LR應用場(chǎng)景。ABI Research最
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 藍牙模塊
英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹(shù)立行業(yè)新標準
- 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅動(dòng)應用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 OptiMOS MOSFET
英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅動(dòng)應用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 OptiMOS 6200V MOSFET
英飛凌車(chē)輛制動(dòng)穩定性控制產(chǎn)品應用
- 英飛凌的車(chē)輛制動(dòng)穩定性系統，無(wú)疑是現代車(chē)輛安全技術(shù)的一大里程碑。該系統不僅具備縮短制動(dòng)距離的能力，更能在緊急情況下確保車(chē)輛始終保持在受控狀態(tài)，從而極大地提升了各類(lèi)車(chē)輛在行駛過(guò)程中的安全性。然而，當前市場(chǎng)上眾多車(chē)輛穩定性控制系統往往因為過(guò)于依賴(lài)特定客戶(hù)的設計，導致性?xún)r(jià)比不盡如人意。在此背景下，英飛凌致力于打破這一困境，研發(fā)出符合高安全性要求的標準器件，以滿(mǎn)足廣大客戶(hù)對高性?xún)r(jià)比解決方案的迫切需求。在汽車(chē)行業(yè)中，英飛凌的控制器和輪速傳感器早已成為市場(chǎng)上的佼佼者。其豐富的產(chǎn)品組合中，不僅涵蓋了各種針對安全應用的汽
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 汽車(chē) 車(chē)輛制動(dòng) 微控制器
如何測量功率回路中的雜散電感
- 影響IGBT和SiC MOSFET在系統中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線(xiàn)電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類(lèi)：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內部寄生電感，直流母線(xiàn)電容寄生電感，分別如下圖中a、b、c所示。圖1 半橋電路中三類(lèi)寄生電感位置示意圖1. 連接母排以及功率回路中的寄生電感連接母排以及功率回路中的寄生電感
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 雜散電感
英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)解決方案的發(fā)展
- 英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿(mǎn)足工業(yè)和汽車(chē)功率應用對更高能效和功率密度日益增長(cháng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車(chē)規級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結構進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用（包括電動(dòng)汽車(chē)充電、工業(yè)驅動(dòng)器、太陽(yáng)能和儲能系統、固態(tài)斷路器、UPS系統、服務(wù)器/數據中心、電信等）和汽車(chē)領(lǐng)域（包括車(chē)載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolSiC
英飛凌將Qt圖形用戶(hù)界面集成到其微控制器中
- Source:?Getty Images/metamorworks根據1月16日發(fā)布的一篇新聞稿，英飛凌科技日前與Qt集團合作，將Qt的圖形用戶(hù)界面（GUI）框架集成到其微控制器（MCU）中。此次合作旨在將Qt的輕量級高性能圖形框架無(wú)縫集成到英飛凌支持圖形的Traveo T2G集群微控制器中。Qt集團微控制器產(chǎn)品總監主管Toni Paila表示：“當今的全球半導體市場(chǎng)競爭非常激烈，全球制造商正在不斷尋找辦法，以期盡可能快地將他們的產(chǎn)品推向市場(chǎng)。全球微控制器的開(kāi)發(fā)周期不斷縮短就是最好的證明。但即使
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 Qt 圖形用戶(hù)界面 微控制器 MCU
英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿(mǎn)足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求，也不會(huì )降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線(xiàn)電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolSiC MOSFET
英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統
- 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉換過(guò)程
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 CoolSiC MOSFET
英飛凌.麥克風(fēng)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條英飛凌.麥克風(fēng)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對英飛凌.麥克風(fēng)的理解，并與今后在此搜索英飛凌.麥克風(fēng)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對英飛凌.麥克風(fēng)的理解，并與今后在此搜索英飛凌.麥克風(fēng)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
英飛凌.麥克風(fēng)電路
英飛凌.麥克風(fēng)相關(guān)帖子
英飛凌.麥克風(fēng)資料下載
英飛凌.麥克風(fēng)專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473