英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET

英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6200V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅動(dòng)應用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品系列為客戶(hù)提供更高的功率密度、效率和系統可靠性，樹(shù)立了新的行業(yè)標準。

與上一代OptiMOS? 3相比，OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品組合具有更加強大的技術(shù)特性，其R_DS(on)降低了42%，有助于減少傳導損耗和提高輸出功率。在二極管性能方面，OptiMOS? 6 200 V的軟度大幅提升至OptiMOS? 3的三倍多，且 Q_rr(typ)降低了89%，使開(kāi)關(guān)和EMI性能均得到明顯改善。該技術(shù)還提升了寄生電容線(xiàn)性度（C_oss和C_rss），減少了開(kāi)關(guān)期間的振蕩并降低了電壓過(guò)沖。更緊密的V_GS(th)分布和低跨導特性有助于MOSFET并聯(lián)和電流共享，使溫度變得更加均勻且減少了并聯(lián)MOSFET的數量。

無(wú)鉛OptiMOS? 6 TO

OptiMOS? 6200V產(chǎn)品具有更出色的SOA并達到J-STD-020標準中的MSL 1等級。該半導體產(chǎn)品組合符合RoHS規范且不含鉛，滿(mǎn)足當前行業(yè)標準的要求。

供貨情況

OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品提供多種封裝，包括PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P，適用于各種應用。所有型號目前均可訂購。