英飛凌將在馬來(lái)西亞建新廠(chǎng)，與意法正面硬鋼

8月11日報導顯示，碳化硅（SiC）半導體領(lǐng)域競爭升級，英飛凌（Infineon）宣布將在馬來(lái)西亞興建全球最大的8英寸SiC晶圓廠(chǎng)，為長(cháng)期合約訂單背書(shū)，此舉頗有跟不久前才宣布在重慶建8英寸晶圓的SiC龍頭意法互別苗頭的意味。

近年來(lái)，隨著(zhù)8英寸SiC晶圓的成本競爭力逐漸凸顯，多家SiC制造商相繼增加8英寸晶圓產(chǎn)能，英飛凌此舉有如向SiC領(lǐng)域投下一顆深水炸彈，英飛凌與意法互的競爭愈演愈烈，其他集成電路制造商也紛紛踏入競爭陣營(yíng)，這一局面可從幾個(gè)角度審視。

首先，雙方都將目光投向國內市場(chǎng)。年初，英飛凌與國內SiC晶圓廠(chǎng)天岳、天科合達簽訂了備受關(guān)注的合同，共同為國內SiC基板品質(zhì)保駕護航。外資機構分析指出，英飛凌此前的基板供應方還包括WolfSpeed、安森美（On-Semi）、日本羅姆（Rohm）等，不過(guò)國內基板供應已占據其需求的約20%，今后幾個(gè)季度有望大幅提升。

面對良率難以掌握的問(wèn)題，「擁SiC基板、擁天下」成顯學(xué)。英飛凌是極少數未自制SiC基板的IDM廠(chǎng)商之一，年初采取多樣化布局被視為新的SiC晶圓工廠(chǎng)即將登場(chǎng)的信號，這是朝著(zhù)2023年在SiC市場(chǎng)占據30%市場(chǎng)份額的目標邁進(jìn)。

市場(chǎng)曾觀(guān)望英飛凌是否會(huì )像一線(xiàn)汽車(chē)供應商博世（Bosch）一樣加大對美國SiC投資，從而助力供應鏈壯大？鑒于中美關(guān)系考慮，這使得國內供應鏈略感緊張，而如今英飛凌選擇在馬來(lái)西亞建廠(chǎng)，則使國內供應鏈稍感寬松。

此外，根據東盟貿易協(xié)定的免稅政策以及地理位置，該工廠(chǎng)有可能更多地支持國內和亞洲市場(chǎng)，不過(guò)這也意味著(zhù)英飛凌在國內建廠(chǎng)的機會(huì )相對減少。與之形成對比的是，SiC的主要競爭對手意法與三安合作，在重慶建8英寸SiC晶圓廠(chǎng)，三安還將為其量身打造8英寸基板新廠(chǎng)。

其次，雙方鎖定不同的客戶(hù)群。英飛凌的新工廠(chǎng)將依靠各客戶(hù)的預付款和長(cháng)期合同，其中包括來(lái)自汽車(chē)、再生能源、儲能、工業(yè)等領(lǐng)域的客戶(hù)。汽車(chē)領(lǐng)域的客戶(hù)有福特、上汽、奇瑞，還有SolarEdge等大型太陽(yáng)能逆變器制造商，以及國內三家太陽(yáng)能和儲能系統制造商。另外，全球能源管理和自動(dòng)化巨頭施耐德電機也已預定了SiC功率產(chǎn)品。

最后，雙方在技術(shù)領(lǐng)域的競爭加劇。英飛凌強調，其新建的8英寸工廠(chǎng)將采用行業(yè)內領(lǐng)先的SiC溝槽式技術(shù)，這有助于市場(chǎng)區隔，是該技術(shù)的代表工廠(chǎng)。另一方面，意法互主導平面型技術(shù)。

此外，業(yè)內人士補充道，溝槽式技術(shù)結構較為復雜，難以控制良率，但可以節約SiC基板用量；而平面型技術(shù)則相對簡(jiǎn)單穩定，但需要更多的基板。這兩種技術(shù)目前仍在激烈競爭中，很難說(shuō)哪一種更優(yōu)越。

然而，值得注意的是，最初的決戰點(diǎn)似乎出現在特斯拉Model 3率先采用了平面型技術(shù)，這使得意法互在SiC領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，也引領(lǐng)其他汽車(chē)制造商的跟進(jìn)。而此刻，英飛凌正加大溝槽式技術(shù)的產(chǎn)能，同時(shí)也在多個(gè)領(lǐng)域積極推進(jìn)，以侵蝕以汽車(chē)為主的平面型市場(chǎng)。實(shí)際上，許多廠(chǎng)商也在積極轉向溝槽式技術(shù)，比如安森美正在開(kāi)發(fā)溝槽式SiC金屬氧化物場(chǎng)效應晶體管（MOSFET），計劃在2024年推出樣本。