英飛凌.麥克風(fēng) 文章進(jìn)入英飛凌.麥克風(fēng)技術(shù)社區

一款適用于光伏應用的半橋評估板設計

光伏，作為重點(diǎn)發(fā)展的新質(zhì)生產(chǎn)力，其市場(chǎng)規模仍在迅速發(fā)展擴大中，其技術(shù)迭代也在不斷演進(jìn)升級。英飛凌作為半導體技術(shù)和市場(chǎng)應用的領(lǐng)軍企業(yè)，發(fā)布了一系列具有差異化附加價(jià)值的創(chuàng )新半導體，并同時(shí)推出了一款適用于光伏應用的半橋拓撲評估板，為工程師分享了系統設計的參考方案，并提供了器件性能的評估平臺。光伏應用的發(fā)展趨勢光伏電壓平臺的高壓化，可以降低系統成本，提高能量轉換效率，簡(jiǎn)化研發(fā)設計方案，是光伏應用公認的發(fā)展趨勢之一。為了實(shí)現高壓平臺化，離不開(kāi)光伏板，功率器件，無(wú)源器件，結構件等的技術(shù)發(fā)展。我們就功率半導體的發(fā)展，來(lái)
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英飛凌于馬來(lái)西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導體晶圓廠(chǎng)

●? ?馬來(lái)西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠(chǎng)一期項目的生產(chǎn)運營(yíng)啟動(dòng)儀式?！? ?新晶圓廠(chǎng)將進(jìn)一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場(chǎng)的領(lǐng)導地位?！? ?強有力的客戶(hù)支持與承諾以及重要的設計訂單為持續擴建提供了支撐?！? ?居林晶圓廠(chǎng)100%使用綠電并在運營(yíng)實(shí)踐中采取先進(jìn)的節能和可持續舉措。馬來(lái)西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務(wù)大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執行官Jochen Han
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英飛凌馬來(lái)西亞居林第三廠(chǎng)區啟用，未來(lái)將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠(chǎng)

IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來(lái)西亞的居林第三廠(chǎng)區（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產(chǎn)，也將關(guān)注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠(chǎng)區英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng )造 900 個(gè)高價(jià)值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價(jià)值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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實(shí)驗 | 我們的城市為什么越來(lái)越熱？

全球氣候在變暖，我們焚燒石油，煤炭等化石燃料，產(chǎn)生了大量二氧化碳等溫室氣體，導致全球氣候變暖，尤其大陸氣溫升高，城市變得越來(lái)越熱。圖：上海前灘的夜晚，被太陽(yáng)曬熱的建筑熱島效應夏天天太熱，在陽(yáng)光下火辣辣的，大家一定會(huì )抱怨太陽(yáng)太猛。但你知道嗎？上海的夏天越來(lái)越熱不能怪太陽(yáng)，大城市自身散發(fā)的熱量可以高達來(lái)自太陽(yáng)輻射熱量的五分之二。城市中心氣溫一般比周?chē)紖^高1℃左右，最高可達6℃以上，上海最高氣溫經(jīng)常逼近歷史最高點(diǎn)。7月15日上午10點(diǎn)，上海市中心溫度34.6度，而郊縣的東灘濕地才29.4度，市中心竟然熱5.2
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英飛凌2024財年第三季度營(yíng)收和利潤略有增長(cháng)

●? ?2024財年第三季度：營(yíng)收為37.02億歐元，利潤達7.34億歐元，利潤率為19.8%?！? ?2024財年第四季度展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.10, 預計營(yíng)收約為40億歐元。在此基礎上，利潤率預計將達到20%左右?！? ?2024財年展望：基于前三季度的業(yè)績(jì)表現以及對第四季度的業(yè)績(jì)展望，預計整個(gè)2024財年的營(yíng)收將達到150億歐元左右，利潤率約為20%。調整后的毛利率預計在40%至45%之間。預計投資額將達到約28億歐元?？紤]到對
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英飛凌與Swoboda合作開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē)高性能電流傳感器

全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司與Swoboda共同開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售用于汽車(chē)應用的高性能電流傳感器模塊。此次合作將英飛凌一流的電流傳感器IC與?Swoboda在傳感器模塊開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面的技術(shù)專(zhuān)長(cháng)相結合，以滿(mǎn)足混合動(dòng)力與電動(dòng)汽車(chē)傳感解決方案市場(chǎng)的快速增長(cháng)。雙方聯(lián)合開(kāi)發(fā)的高性能電流測量解決方案加快了牽引逆變器和電池管理系統等大批量應用，以及其他關(guān)鍵汽車(chē)應用的上市時(shí)間。其中的首款產(chǎn)品Swoboda CSM510HP2采用全封裝電流傳感器模塊，在不影響性能的情況下顯著(zhù)減少了占用面積。
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貿澤開(kāi)售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開(kāi)啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jì)Υ嫦到y、電動(dòng)汽車(chē)充電、電源和電機驅動(dòng)應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見(jiàn)電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀元

近年來(lái)，隨著(zhù)科技的不斷進(jìn)步和全球對綠色低碳發(fā)展的需求日益增長(cháng)，半導體行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續深耕，通過(guò)戰略布局、技術(shù)創(chuàng )新、市場(chǎng)應用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會(huì )期間舉辦了一場(chǎng)專(zhuān)門(mén)的氮化鎵新品媒體溝通會(huì )，會(huì )上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監程文濤先生以及英飛凌科技
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英飛凌OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET ，助力汽車(chē)控制器應用

OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車(chē)規MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導通電阻的演進(jìn)。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進(jìn)英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開(kāi)發(fā)的第五代溝槽技術(shù)，是當今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無(wú)引腳封裝結合銅夾技術(shù)的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能
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英飛凌推出功率系統可靠性建模，減少數據中心系統的電力短缺和停電問(wèn)題

●? ?電源故障是數據中心和電信基礎設施運營(yíng)商面臨的一項日益嚴峻的挑戰??? ●? ?英飛凌功率系統可靠性建模是保障數據中心供電可靠性與穩定性的關(guān)鍵步驟●? ?更高的設備利用率和以數據為依據的維護建議可提高盈利能力、降低總體擁有成本和碳足跡功率系統可靠性建模解決方案英飛凌科技股份公司近日推出功率系統可靠性建模。這項創(chuàng )新解決方案能夠應對數據中心和電信基礎設施面臨的日益嚴峻的系統電源故障問(wèn)題。這些設施39%的宕機時(shí)間因停
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英飛凌推出提升消費和工業(yè)應用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管

全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司近日推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產(chǎn)品系列。與市場(chǎng)上的其他氮化鎵（GaN）產(chǎn)品相比，該系列晶體管的輸入和輸出性能優(yōu)化了20%，從而提高效率，降低功率損耗，并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優(yōu)勢結合，它們能夠在消費類(lèi)充電器和筆記本適配器、數據中心電源、可再生能源逆變器、電池存儲等眾多應用中發(fā)揮出色的性能。該產(chǎn)品系列包含13款器件，額定電壓為700 V、導通電阻范圍在20 mΩ至315 mΩ之間。由于器件規格粒度增多，再
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基于英飛凌PFC+混合反激式拓撲結構IC XDPS2221的140W適配器方案

XDP? XDPS2221是一款集成了交流直流功率因數校正（PFC）控制器和DC-DC混合反激控制器（HFB）的單一解決方案。通過(guò)兩個(gè)階段的協(xié)調操作，可以輕松滿(mǎn)足監管效率的要求。此外，所有門(mén)極驅動(dòng)器的進(jìn)一步集成和600 V高壓?jiǎn)?dòng)單元（用于初始IC電壓供應）可以減少外部物料清單（BOM）成本和元器件數量?；谛路f的零電壓開(kāi)關(guān)（ZVS）HFB拓撲結構和基于GaN的器件，它在各種輸入/負載條件下都具有領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品的效率。憑借這些特點(diǎn)及XDP? XDPS2221固有的拓撲結構優(yōu)勢，如，零電壓
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英飛凌發(fā)布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列

英飛凌科技股份公司近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶(hù)能夠將氮化鎵（GaN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓，進(jìn)一步推動(dòng)數字化和低碳化進(jìn)程。在馬來(lái)西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能?8?英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據此擴大CoolGaNTM的優(yōu)勢和產(chǎn)能，確保其在GaN器件市場(chǎng)供應鏈的穩定性。據Yole Group預測，未來(lái)五年GaN器件市場(chǎng)的年復合增長(cháng)率（CAGR）將達到46%。英飛凌科技電源與傳感系統事
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英飛凌推出CoolGaN雙向開(kāi)關(guān)和CoolGaN Smart Sense，提高功率系統的性能和成本效益

英飛凌科技股份公司近日推出兩項全新的CoolGaN?產(chǎn)品技術(shù)：CoolGaN?雙向開(kāi)關(guān)（BDS）和CoolGaN??Smart Sense。CoolGaN? BDS擁有出色的軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)性能，提供40 V、650 V?和?850 V電壓雙向開(kāi)關(guān)，適用于移動(dòng)設備USB端口、電池管理系統、逆變器和整流器等。CoolGaN? Smart Sense?產(chǎn)品具有無(wú)損電流檢測功能，簡(jiǎn)化了設計并進(jìn)一步降低了功率損耗，同時(shí)將各種晶體管開(kāi)關(guān)功能集成到一個(gè)封裝中，適用于消費類(lèi)USB-
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如何借助IPM智能功率模塊提高白色家電的能效

引言大多數家用電器都使用電機來(lái)操作其功能，如在洗衣機中轉動(dòng)滾筒，或者在冰箱中壓縮制冷劑。通過(guò)變頻技術(shù)來(lái)調節電機是一種有效的高能效解決方案。變頻技術(shù)需要使用適當的半導體解決方案。一種行之有效的方法是使用智能功率模塊（IPM）。將功率半導體和驅動(dòng)電路集成到一個(gè)模塊中，有助于系統設計人員提高系統可靠性。這種解決方案簡(jiǎn)化了生產(chǎn)裝配工序，并且可以在硬件設計方面節省時(shí)間和精力。然而，這樣的緊湊型封裝集成也給散熱帶來(lái)了不小的難度。因此，至關(guān)重要的是使用高能效半導體來(lái)減少器件內部的功率損耗。英飛凌新近開(kāi)發(fā)的CIPOS M
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