英飛凌推出CoolGaN雙向開(kāi)關(guān)和CoolGaN Smart Sense，提高功率系統的性能和成本效益

英飛凌科技股份公司近日推出兩項全新的CoolGaN?產(chǎn)品技術(shù)：CoolGaN?雙向開(kāi)關(guān)（BDS）和CoolGaN? Smart Sense。CoolGaN? BDS擁有出色的軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開(kāi)關(guān)，適用于移動(dòng)設備USB端口、電池管理系統、逆變器和整流器等。CoolGaN? Smart Sense 產(chǎn)品具有無(wú)損電流檢測功能，簡(jiǎn)化了設計并進(jìn)一步降低了功率損耗，同時(shí)將各種晶體管開(kāi)關(guān)功能集成到一個(gè)封裝中，適用于消費類(lèi)USB-C 充電器和適配器。

CoolGaN? BDS高壓產(chǎn)品分為650 V 和 850 V兩個(gè)型號，采用真正的常閉單片雙向開(kāi)關(guān)，具有四種工作模式。該系列半導體器件基于柵極注入晶體管（GIT）技術(shù)，擁有兩個(gè)帶有襯底終端和獨立隔離控制的分立柵極。它們利用相同的漂移區來(lái)阻斷兩個(gè)方向的電壓，即便在重復短路的情況下也具備出色的性能，并且通過(guò)使用一個(gè)BDS代替四個(gè)傳統晶體管，可提高效率、密度和可靠性，使應用能夠從中受益并大幅節約成本。在替代單相H4 PFC、HERIC逆變器，和三相維也納整流器中的背對背開(kāi)關(guān)時(shí)，該系列器件能夠優(yōu)化性能，而且還可用于交流/直流或直流/交流拓撲結構中的單級交流電源轉換等。

CoolGaN? BDS和CoolGaN? Smart Sense

CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術(shù)的常閉單片雙向開(kāi)關(guān)。它能阻斷兩個(gè)方向的電壓，并且通過(guò)單柵極共源極的設計進(jìn)行了優(yōu)化，以取代電池供電消費產(chǎn)品中用作斷開(kāi)開(kāi)關(guān)的背對背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS產(chǎn)品的 RDS(on) 值為 6 mΩ，后續還將推出一系列產(chǎn)品。相比背對背硅FET，使用40 V GaN BDS的優(yōu)點(diǎn)包括節省50% - 75%的PCB面積、降低50%以上的功率損耗，以及減少成本。

CoolGaN? Smart Sense產(chǎn)品具有2 kV靜電放電耐受能力，可連接到控制器電流感應以實(shí)現峰值電流控制和過(guò)流保護。電流檢測響應時(shí)間約為200 ns，小于等于普通控制器的消隱時(shí)間，具有極高的兼容性。

使用這些器件可提高效率并節約成本。與傳統的150mΩ GaN晶體管相比，CoolGaN? Smart Sense產(chǎn)品在RDSs(on) （例如 350 mΩ）更高的情況下，能以更低的成本提供類(lèi)似的效率和熱性能。此外，這些器件與英飛凌的分立 CoolGaN? 封裝腳位兼容，無(wú)需進(jìn)行布局返工和 PCB 重焊，進(jìn)一步方便了使用英飛凌 GaN 器件的設計。

供貨情況

6 mΩ型號的CoolGaN? BDS 40 V工程樣品現已上市，4 mΩ和9 mΩ型號的工程樣品將于 2024 年第三季度上市。CoolGaN? BDS 650 V的樣品將于2024年第四季度推出，850 V的樣品將于2025年初問(wèn)世。CoolGaN? Smart Sense樣品將于2024年8月推出。