英飛凌OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET ，助力汽車(chē)控制器應用
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OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET概況
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202407/461130.htm采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車(chē)規MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導通電阻的演進(jìn)。
英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進(jìn)
英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開(kāi)發(fā)的第五代溝槽技術(shù)，是當今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無(wú)引腳封裝結合銅夾技術(shù)的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能力。該系列產(chǎn)品將采用業(yè)界先進(jìn)的300mm薄晶圓技術(shù)進(jìn)行批產(chǎn)。英飛凌獨特的晶圓表面金屬化鍍層處理，使得該系列產(chǎn)品不僅具有出色的電氣性能，還具備良好的導熱性能，幫助用戶(hù)實(shí)現緊湊、高效能的設計方案。英飛凌通過(guò)不斷的技術(shù)革新，配合堅固強壯的封裝，助力電子設計工程師們輕松使用我們性能先進(jìn)，高性?xún)r(jià)比，強壯耐用的MOSFET產(chǎn)品來(lái)實(shí)現、滿(mǎn)足各類(lèi)汽車(chē)電子控制器應用設計需求，比如電動(dòng)助力轉向系統、制動(dòng)系統、電池斷開(kāi)開(kāi)關(guān)、新區域架構、 DC-DC 以及BLDC 驅動(dòng)器等。下表可以輔助用戶(hù)結合實(shí)際應用，作為合適封裝產(chǎn)品的選型參考。
汽車(chē)應用封裝選型導圖
OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET參數性能提升
相比前幾代采用溝槽技術(shù)的產(chǎn)品，OptiMOS? 7 產(chǎn)品雪崩承受能力，電流能力，開(kāi)關(guān)速度，安全工作區（SOA）等都有進(jìn)一步的提升。下表列出了OptiMOS? 7 產(chǎn)品與前幾代溝槽技術(shù)產(chǎn)品(基于相同/接近的晶圓面積)幾項重要性能參數的對比?？梢钥闯?，該系列產(chǎn)品不僅做到最小RDSON產(chǎn)品，還具有最高的雪崩耐受能力。得益于生產(chǎn)過(guò)程管控和工藝的提升，VGS(th) 分布也大幅縮窄。
不同代際MOSFET重要參數比對
雪崩電流能力
即使是相同的RDSON，OptiMOS? 7 產(chǎn)品也做到了最高的雪崩電流能力，如下圖所示。如上表所示，縮窄的VGS(th) 分布范圍也有利于器件的并聯(lián)使用。因此該系列產(chǎn)品非常適合應用于安全開(kāi)關(guān)、配電等應用。
雪崩電流
安全工作區（SOA）
相比于OptiMOS? 6 產(chǎn)品系列，OptiMOS? 7 產(chǎn)品的SOA平均擴大了25%。
SOA curve
門(mén)極電荷Qg
下表給出了不同代際產(chǎn)品的Qg，Qgd等參數；下圖展示了器件開(kāi)、關(guān)瞬態(tài)的仿真波形?？梢钥闯?，相較于前幾代溝槽技術(shù)具有相同/接近的RDSON產(chǎn)品，OptiMOS? 7 產(chǎn)品具有最小的門(mén)極充電電荷，減少門(mén)極充電消耗；同時(shí)提高了開(kāi)關(guān)速度，減少開(kāi)關(guān)損耗，縮短死區時(shí)間，可以以更高的開(kāi)關(guān)頻率工作，從而進(jìn)一步提高了系統功率變換效率及功率密度。因此該系列產(chǎn)品非常適合于高頻開(kāi)關(guān)應用場(chǎng)合的功率變換器和電機驅動(dòng)。
開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程仿真波形
OptiMOS? 7 車(chē)規MOSFET命名規則
基于市場(chǎng)的反饋和對競爭對手的分析，我們重新調整了新一代的OptiMOS? 7 車(chē)規MOS的命名規則。比如英飛凌料號IAUCN08S7N055X每個(gè)字符所代表的信息如下圖所示。和之前的命名規則相比，最大的變化是移除了最大連續電流IDSmax，避免用戶(hù)在器件選型時(shí)產(chǎn)生不必要的誤解。以此同時(shí)，為了讓用戶(hù)全方位了解器件的電流能力的定義，我們在數據手冊里給出了詳細的信息。
OptiMOS? 7 車(chē)規MOS命名規則
作者序語(yǔ)——英飛凌技術(shù)專(zhuān)家 陳秋崗
英飛凌OptiMOS? 7 是英飛凌開(kāi)發(fā)的第五代溝槽技術(shù)，是當今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無(wú)引腳封裝結合銅夾技術(shù)的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能力。該系列產(chǎn)品將采用業(yè)界先進(jìn)的300mm薄晶圓技術(shù)進(jìn)行批產(chǎn)。
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