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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
爾必達已與Spansion開(kāi)發(fā)出4G NAND閃存
- 爾必達內存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開(kāi)發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結構，該公司計劃于2011年開(kāi)始在其日本西部的工廠(chǎng)批量生產(chǎn)該芯片。 這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)這個(gè)4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現有的以傳統浮動(dòng)柵(floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 爾必達 NAND
分析稱(chēng)三星或超英特爾成為第一大芯片廠(chǎng)商
- 市場(chǎng)研究公司IC Insights日前預計，三星的芯片銷(xiāo)售額或將在2014年超越英特爾。 基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴張計劃，三星的芯片營(yíng)收將很快超過(guò)英特爾，成為第一大芯片廠(chǎng)商。IC Insights認為，在5到10年前，三星芯片營(yíng)收將趕超英特爾的想法簡(jiǎn)直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營(yíng)收以13.5%年復合 增長(cháng)率(compound annual growth rate)的速度增長(cháng)，而英特爾同期的年復合增長(cháng)率僅為3.4%?；诖嗽鲩L(cháng)速率，IC Insights預計，三星的芯片銷(xiāo)售額
- 關(guān)鍵字： 三星芯片 DRAM NAND
Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
- Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶(hù)手中進(jìn)行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開(kāi)始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。 這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設計，一個(gè)存儲單元可存儲3位數據，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。 這款產(chǎn)品的面積要比現有Intel與鎂光公司推
- 關(guān)鍵字： Intel 25nm NAND
英特爾和Micron稱(chēng)下一代25納米NAND取得突破
- 據國外媒體報道，英特爾和Micron已經(jīng)開(kāi)始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術(shù)。 首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶(hù)發(fā)售，用于SD卡存儲設備。該芯片在每個(gè)存儲單元中保存三位信息，而非像傳統芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱(chēng)，這種芯片是目前市場(chǎng)上最有效率的。 英特爾副總裁及NAND開(kāi)發(fā)組主管Tom Rampone聲稱(chēng)25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開(kāi)發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續為用戶(hù)探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 存儲芯片
iSuppli:閃存價(jià)格可能會(huì )跌到1美元/GB
- iSuppli今天警告稱(chēng)閃存價(jià)格可能崩潰性地調整到1美元/GB，這是因為用于閃存產(chǎn)品的NAND記憶體價(jià)格今年開(kāi)始沖高回落，并且技術(shù)的演變讓內存單元的價(jià)位開(kāi)始雪崩。 由于下降的價(jià)格，目前看上去過(guò)于昂貴的SSD將在兩年時(shí)間內開(kāi)始成為主流，而成本低得多的硬盤(pán)處理器則開(kāi)始在高端市場(chǎng)被SSD擠占。 此外，快閃記憶體價(jià)格的總體下降對于各種手持設備是一個(gè)極大的利好消息，各種手機、智能本廠(chǎng)商將會(huì )帶來(lái)更加豐厚的利潤空間，乃至最后降低產(chǎn)品售價(jià)。
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片
- 英特爾和美光當地時(shí)間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。 新NAND芯片每個(gè)存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當于8GB)。英特爾和美光稱(chēng)這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。 兩家公司稱(chēng)，使用NAND閃存的數碼相機和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來(lái)越小。新型芯片還有助于降低制造成本。 兩家公司已經(jīng)向客戶(hù)發(fā)送樣品，預計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 閃存芯片
NAND Flash市況兩極 靜待8月底補貨潮
- 2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋(píng)果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠(chǎng)需求仍十分強勁，但零售市場(chǎng)買(mǎi)氣不振，模塊廠(chǎng)拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來(lái)，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋(píng)果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠(chǎng)陷入僵局。 近期大陸因為亞運因素，
- 關(guān)鍵字： Apple NAND Flash
第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠(chǎng)營(yíng)收排行
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調查，今年第二季營(yíng)收在DRAM合約價(jià)格穩定上揚及產(chǎn)出持續增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)收數字達107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長(cháng)約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠(chǎng)商第二季整體營(yíng)收為47億7,600萬(wàn)美元，較首季43億6,300萬(wàn)美元成長(cháng)約9.5%。 三星第二季營(yíng)收仍居全球DRAM廠(chǎng)之冠 從市場(chǎng)面觀(guān)察，由于第二季 DRAM 合
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
Hynix公司宣稱(chēng)已開(kāi)始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存
- 南韓內存廠(chǎng)商Hynix公司日前宣布已開(kāi)始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠(chǎng)生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節點(diǎn)后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤(pán)等的NAND閃存容量則將大有增長(cháng)。 ? Hynix Cheong-ju M11工廠(chǎng) Hynix公司稱(chēng)首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷(xiāo)售。Hynix公司雖然不是I
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND 20nm
日本半導體企業(yè)1Q財報喜憂(yōu)參半
- 日本半導體廠(chǎng)2010年度第1季(4~6月)財報表現明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內存事業(yè)表現亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。 東芝半導體事業(yè)的營(yíng)業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長(cháng)村岡富美雄表示，受惠于蘋(píng)果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動(dòng)，加上 NANDFlash均價(jià)跌幅趨緩，東芝半導體事業(yè)表現遠超過(guò)預期。小幅虧損的系統芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
VLSI提高半導體預測 但CEO們仍是謹慎的樂(lè )觀(guān)
- VLSI提高IC預測，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應求，但是有一種可能DRAM市場(chǎng)再次下跌。 同時(shí)由于經(jīng)濟大環(huán)境可能對于產(chǎn)業(yè)的影響，目前對于產(chǎn)業(yè)抱謹慎的樂(lè )觀(guān)，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。 VLSI在它的最新看法中發(fā)現各種數據是交叉的，按VLSI的最新預測，2010年IC市場(chǎng)可能增長(cháng)30%，但是2011年僅增長(cháng)3.7%。而2010年半導體設備增長(cháng)96%。 而在之前的預測中認為2010年全球IC市場(chǎng)增長(cháng)28.1%，其它預測尚未改變。
- 關(guān)鍵字： 芯片制造 NAND
分析師認為閃存熱 但是供應鏈不配套
- 無(wú)疑2009年對于閃存市場(chǎng)是可怕之年。 要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復蘇，預測2010年全球閃存市場(chǎng)已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報告，其供應鏈部分卻遭受困境。 按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場(chǎng)都很熱。NOR市場(chǎng)由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場(chǎng)與2009年相比增長(cháng)33.4%，達215億美元。 這是好的消息而壞消息在供應鏈中也開(kāi)始傳了出來(lái)。 Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場(chǎng)中有些購買(mǎi)者采
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND NOR
蘋(píng)果砸中閃存
- iPhone、iPad等蘋(píng)果i家族產(chǎn)品的熱銷(xiāo)，正引發(fā)連鎖反應。 7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報記者專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示，蘋(píng)果產(chǎn)品的熱銷(xiāo)消耗了整個(gè)閃存芯片市場(chǎng)不少庫存，目前行業(yè)正處于供不應求的局面。 受此拉動(dòng)，閃存芯片巨頭們普遍迎來(lái)了一個(gè)靚麗的財季。 近期陸續出爐的最新一季財報顯示，在iPhone以及iPad的拉動(dòng)下，閃存芯片近期需求及價(jià)格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當季的銷(xiāo)售
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片 iPhone
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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