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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
三星電子第二季度凈利潤36億美元 同比增83%
- 據國外媒體報道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受芯片業(yè)務(wù)大幅增長(cháng)的推動(dòng)，公司第二季度凈利潤同比增長(cháng)83%。 在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬(wàn)億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績(jì)好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬(wàn)億韓元。三星電子第二季度運營(yíng)利潤為5萬(wàn)億韓元(約合41億美元)，創(chuàng )公司季度運營(yíng)利潤歷史新高，同比增長(cháng)87.5%。三星電子第二季度營(yíng)收為37.9萬(wàn)億韓元，較去年同期增長(cháng)17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財報顯示，公司第
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND 閃存芯片
EUV要加大投資強度
- 未來(lái)半導體制造將越來(lái)越困難已是不爭的事實(shí)。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰階段，在4x，3x節點(diǎn)時(shí)發(fā)現了許多問(wèn)題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒(méi)有)，是黃金時(shí)刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來(lái)的2011-2012年，甚至更長(cháng)一段時(shí)期內必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時(shí)間，它是在牛/熊市小組座談會(huì )上發(fā)表此看法) 。另一位會(huì )議
- 關(guān)鍵字： 半導體制造 DRAM NAND
三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開(kāi)始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開(kāi)始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂(lè )等再生速度將更上一層樓。 三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規格NAND Flash開(kāi)發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND
三星與東芝聯(lián)合 加快NAND Flash速度
- 三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個(gè)合作計劃，旨在制定新規范推動(dòng)NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來(lái)說(shuō)，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開(kāi)發(fā)的ONFI接口進(jìn)行直接競爭，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機和消費電子產(chǎn)品。 三星和東芝公司目前供應NAND快閃記憶體市場(chǎng)70%的貨源，因此它們在行業(yè)內具有相當大的話(huà)語(yǔ)權，這對他們的新規范計劃將非常有利。 三星上個(gè)月
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 30nm
爾必達與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議
- 日廠(chǎng)爾必達(Elpida)將與飛索半導體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達將為飛索半導體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。 據悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權，該項技術(shù)乃是以其稱(chēng)為MirrorBit的獨家技術(shù)為基礎。此外，爾必達計劃自2011年起透過(guò)旗下的廣島12寸廠(chǎng)，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進(jìn)行客戶(hù)營(yíng)銷(xiāo)。 路透(Reut
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三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標準
- 三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規范。兩家公司將支持這一規范成為行業(yè)標準，被業(yè)界廣泛接受使用。 最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps，現行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動(dòng)的toggle DDR 2.0規范則進(jìn)一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。 高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻，未來(lái)將
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 東芝
三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規范制定工作
- 閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規范的制訂工作，這種新一代閃存標準規范的接口數據傳輸率將高達400Mbit/s。不過(guò)兩家公司并沒(méi)有透露他們什么時(shí)候會(huì )完成該標準規 范的制定工作，另外也沒(méi)有說(shuō)明新一代閃存規范使用的閃存芯片存儲密度參數。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動(dòng)和消費級電子類(lèi)應用。 現有的DDR1.0版本NAND閃存接口規范只是將DDR數據傳輸接口與傳統的單倍數據傳輸率NAND單元結合在一起使用，接口數據傳輸率僅133Mbit/s
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
爾必達赴臺設NAND Flash研發(fā)中心
- 據了解，日商爾必達已決定來(lái)臺設立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達來(lái)臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來(lái)將與力晶等日系半導體業(yè)者進(jìn)一步合作。 據悉，爾必達與臺灣創(chuàng )新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動(dòng)密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設立研發(fā)中心的初步計劃書(shū)，經(jīng)濟部正進(jìn)行審查中。 官員透露，爾必達來(lái)臺設立研發(fā)中心的計劃相當成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲器
- 關(guān)鍵字： TIMC NAND DRAM
亞洲需求成全球半導體市場(chǎng)強力支撐
- 全球半導體市場(chǎng)需求成長(cháng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導體銷(xiāo)售額續創(chuàng )新高。就地區別來(lái)看，含大陸在內的亞太市場(chǎng)占全球銷(xiāo)售比重已過(guò)半并持續成長(cháng)中，已成為全球半導體市場(chǎng)需求的強力支撐。然因市場(chǎng)對歐洲經(jīng)濟成長(cháng)仍持疑慮，2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。 美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統計數據指出，金融危機爆發(fā)前全球半導體銷(xiāo)售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷(xiāo)售額達2
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
SEMICON West來(lái)臨之際那些分析師說(shuō)些什么？
- 編者點(diǎn)評：每年的SEMICON West時(shí)，時(shí)間己經(jīng)過(guò)半，所以業(yè)界都會(huì )關(guān)心下半年與未來(lái)會(huì )是怎么樣。2010年半導體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設備業(yè)看似今年的增長(cháng)幅度達90%，但是許多設備公司仍是興奮不起來(lái)，因為2010年業(yè)績(jì)的增長(cháng)仍顯不足于彌補之前的損失。而未來(lái)的前景有點(diǎn)模糊，增長(cháng)點(diǎn)來(lái)自哪里?似乎誰(shuí)也說(shuō)不清楚。 SEMICON West美國半導體設備展覽會(huì )即將開(kāi)幕，與去年全球IC下降不同，如今半導體設備業(yè)有點(diǎn)紅火。 按市場(chǎng)調研公司 VLSI預計，2010年半導體設備業(yè)增長(cháng)96%
- 關(guān)鍵字： 半導體設備 NAND DRAM
力晶聚焦NAND Flash 挑戰20納米
- 近期臺灣創(chuàng )新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺灣NAND Flash戰火。力晶董事長(cháng)黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來(lái)投入新臺幣70億元，是臺灣血統最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠(chǎng)仍晚1個(gè)世代，但若未來(lái)成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。 事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
- 關(guān)鍵字： TIMC NAND
NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲
- 據iSuppli稱(chēng)，隨著(zhù)消費電子廠(chǎng)商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說(shuō)，當市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷(xiāo)售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數據。 今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價(jià)格出現下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠(chǎng)商產(chǎn)量不會(huì )由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是，供應商將根據合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
因供不應求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲
- 據iSuppli稱(chēng)，隨著(zhù)消費電子廠(chǎng)商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說(shuō)，當市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷(xiāo)售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數據。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價(jià)格出現下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠(chǎng)商產(chǎn)量不會(huì )由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是，供應商將根據合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
10個(gè)理由看好或看衰半導體業(yè)
- 至此，對于今年全球電子工業(yè)的看法是樂(lè )觀(guān)的，而且是有相當大的增長(cháng)。 但是作為一個(gè)編輯者仍有些擔憂(yōu)，以下是對于2010年有10個(gè)理由來(lái)看好或者是看衰半導體業(yè)。 1. IC熱，然后冷 Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導體銷(xiāo)售額達2900億美元， 與2009年銷(xiāo)售額2280億美元相比增長(cháng)27.1%。與Gartner之前在第一季度的預測，2010年增長(cháng)19.9%相比有明顯提高。 芯片銷(xiāo)售額的增長(cháng)明顯超過(guò)系統產(chǎn)品銷(xiāo)售額的增
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM NAND
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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