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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
固態(tài)硬盤(pán)備受關(guān)注
- DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出，固態(tài)硬盤(pán)(SSD)一直以來(lái)為各家 NAND Flash 廠(chǎng)商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤(pán)對于 NAND Flash 的使用量來(lái)說(shuō)是一般內建式應用產(chǎn)品、U盤(pán)與記憶卡的數倍之多，因此對于固態(tài)硬盤(pán)對于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。
- 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤(pán) NAND
固態(tài)硬盤(pán)備受NAND Flash廠(chǎng)商親賴(lài)
- 固態(tài)硬盤(pán)一直以來(lái)為各家NAND Flash廠(chǎng)商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤(pán)對于NAND Flash的使用量來(lái)說(shuō)是一般內建式應用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數倍之多，因此對于固態(tài)硬盤(pán)對于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。而從消費者的論點(diǎn)來(lái)看，固態(tài)硬盤(pán)的傳輸速度為傳統硬盤(pán)的兩倍以上，同時(shí)也兼具了省電與抗震動(dòng)的特點(diǎn)，因此，DRAMeXchange認為，在未來(lái)高畫(huà)質(zhì)影音與大容量檔案傳輸的需求將大幅提升之下，對于固態(tài)硬盤(pán)的需求若能在價(jià)格有效下降至可接受的范圍將會(huì )開(kāi)始提升。
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美光 NAND 產(chǎn)品獲 HLDS 全球首款具有板載儲存的混合光驅采用
- 美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數據儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡(jiǎn)稱(chēng) HLDS) 采用作為其新型混合光驅 (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術(shù)的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量?jì)Υ婧涂尚薷墓δ?，是針對個(gè)人計算機、DVD 播放器和藍光產(chǎn)品的綜合解決方案。 美光的 25nm NAND 處理技術(shù)提供單一設備中8GB 儲存容量，滿(mǎn)足新應用
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Spansion能否卷土重來(lái)
- 高調宣布走出破產(chǎn)保護陰影的Spansion公司日前公布了其2010財年第二季度財報，公司非GAAP調整后凈收入已經(jīng)從2009年同期的2240萬(wàn)美元上升至2740萬(wàn)美元;GAAP凈收入為3.418億美元，與2010 Q1財季相比，仍繼續保持著(zhù)穩定的財務(wù)態(tài)勢。Spansion是否能夠卷土重來(lái)?業(yè)界一直存在頗多爭議之聲。日前，該公司企業(yè)營(yíng)銷(xiāo)總監John Nation就公司發(fā)展策略、核心業(yè)務(wù)、技術(shù)趨勢等話(huà)題接受了專(zhuān)訪(fǎng)。
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三星、東芝制程競賽不止
- NAND Flash大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競賽拼得火熱，在產(chǎn)出持續大幅增加下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達5~7%，低容量芯片價(jià)格則是幾乎持平，市場(chǎng)預期日前平板計算機和智能型手機 (Smart Phone)都內建高容量的NAND Flash存儲器，在年底圣誕節最后一波促銷(xiāo)熱潮之下，有機會(huì )提升NAND Flash市場(chǎng)的需求，彌補2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣(mài)相不佳的缺憾。
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NAND Flash價(jià)格瀕臨成本線(xiàn) 靜待大廠(chǎng)減產(chǎn)
- 全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續開(kāi)出下，9月下旬合約價(jià)續跌，其中，32Gb芯片合約價(jià)下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠(chǎng)表示，NAND Flash芯片價(jià)格已跌到相當接近各大廠(chǎng)成本線(xiàn)，若價(jià)格再跌，恐會(huì )讓NAND Flash廠(chǎng)產(chǎn)生虧損，接下來(lái)要看大陸十一長(cháng)假后是否出現補貨需求，帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌。 模塊廠(chǎng)表示，近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買(mǎi)氣受限于現貨價(jià)跌幅較深，通路商補貨意愿不高，但在NAND Flas
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日元走強 東芝稱(chēng)仍有望實(shí)現芯片業(yè)務(wù)獲利
- 日本最大的芯片制造商——東芝周一表示，盡管日圓走強，但該公司有望實(shí)現其在截至明年3月的會(huì )計年度，芯片業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)利潤達到12億美元的預估，因新的電子設備熱銷(xiāo)，提高了芯片需求。 東芝芯片業(yè)務(wù)主管小林清志表示，因低質(zhì)產(chǎn)品供應過(guò)多，最近NAND芯片現貨價(jià)格下降，但這對東芝的影響極小。 NAND閃存芯片需求一直強勁，因受到智能手機和蘋(píng)果的iPad等移動(dòng)設備暢銷(xiāo)所助。 “整體需求強勁成長(cháng)情況一直符合我們對2010會(huì )計年度的預期，而且我們預計中國國慶節，黑色星期五
- 關(guān)鍵字： 東芝 芯片 NAND
2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%
- 由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠(chǎng)商有效去化庫存以及智能手機成長(cháng)力道強勁的情況下，下半年手機成長(cháng)幅度將領(lǐng)先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱賣(mài)，帶動(dòng)了相關(guān) NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長(cháng)。 蘋(píng)果(Apple)推出 iPhone 4 帶動(dòng)其它智能手機的熱賣(mài)，預估2010年手機出貨量將較2009年成長(cháng)13%，達到13億支的規模，而智能手機市場(chǎng)扮演重要
- 關(guān)鍵字： 智能手機 NAND
2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%
- 集邦科技表示，由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠(chǎng)商有效去化庫存以及智能手機成長(cháng)力道強勁的情況下，下半年手機成長(cháng)幅度將領(lǐng)先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱 賣(mài)，帶動(dòng)了相關(guān) NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長(cháng)。 蘋(píng)果(Apple)推出 iPhone 4 帶動(dòng)其它智能手機的熱 賣(mài)，集邦科技預估，2010年手機出貨量將較2009年成長(cháng)13%，達到13億支的
- 關(guān)鍵字： NAND 智能手機
蘋(píng)果效應不再 NAND閃存價(jià)格持續下滑
- 臺灣媒體報道，來(lái)自存儲芯片制造商的消息稱(chēng)，盡管蘋(píng)果的iPhone和iPad銷(xiāo)售火爆，但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價(jià)格在9月份上半月的下滑。 蘋(píng)果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單，但即便是這樣也很難推動(dòng)NAND閃存價(jià)格的上漲，這倒是違背了此前出現的蘋(píng)果與NAND閃存之間的緊密聯(lián)系效應。之前蘋(píng)果產(chǎn)品的熱銷(xiāo)往往會(huì )導致NAND閃存市場(chǎng)的供不應求。 然而現實(shí)是，目前各個(gè)渠道的閃存芯片需求依舊微弱，學(xué)生返校季和即將到來(lái)的內地十一黃金周也很難讓閃存價(jià)格反彈。 更有悲觀(guān)的
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片
Gartner上調全球半導體營(yíng)收預期至3000億
- Gartner現在預計今年全球半導體營(yíng)收將達到3000億美元，比去年增長(cháng)31.5%。它之前預計今年半導體營(yíng)收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內的消費者電子產(chǎn)品在半導體銷(xiāo)售中占大多數份額。手機出貨量持續增長(cháng)將推動(dòng)半導體營(yíng)收的增長(cháng)，而電腦出貨量增長(cháng)速度的減慢將被平板電腦銷(xiāo)售的增長(cháng)所抵消。 Gartner表示，盡管個(gè)人電腦銷(xiāo)售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營(yíng)收仍將增長(cháng)。DRAM營(yíng)收今年將增長(cháng)82.5%，幾乎達到420億美元，但它可能會(huì )從明年下半年開(kāi)始減慢增長(cháng)速度。Gartner預
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM NAND
NAND Flash跌價(jià)深 上游大廠(chǎng)開(kāi)始對模塊廠(chǎng)讓步
- NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠(chǎng)，在面對庫存節節攀高的情況下，態(tài)度已開(kāi)始松動(dòng)，部分模塊廠(chǎng)開(kāi)始回補一些庫存，不過(guò)，全球兩大NAND Flash陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋(píng)果(Apple)訂單的撐腰，對于價(jià)格仍是相當強硬，顯示蘋(píng)果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。 近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國市場(chǎng)需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND Flash
第九代 v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條第九代 v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對第九代 v-nand的理解，并與今后在此搜索第九代 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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