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第九代 v-nand
第九代 v-nand 文章 進(jìn)入第九代 v-nand技術(shù)社區
東芝日本廠(chǎng)跳電 受影響產(chǎn)能恐達20%
- 華爾街日報(WSJ)報導，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì )影響接下來(lái)的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數碼音樂(lè )播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。 東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來(lái)2個(gè)月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場(chǎng)產(chǎn)能的3分之1，出貨量?jì)H次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 接下來(lái)幾個(gè)月，全球的快閃存儲器市場(chǎng)的供
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
半導體存儲器廠(chǎng)商恢復大型設備投資
- 2010年在半導體存儲器業(yè)界，各廠(chǎng)商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態(tài)的大型設備投資。由此，市場(chǎng)上的份額競爭再次變得激烈起來(lái)。 2008～2009年導致各廠(chǎng)商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰。技術(shù)方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開(kāi)發(fā)也越來(lái)越活躍。
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
2011年全球DRAM經(jīng)營(yíng)慘淡
- 2010年對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言，可說(shuō)是值得紀念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)年成長(cháng)率將高達30%，創(chuàng )下10年以來(lái)新高紀錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長(cháng)趨緩影響，2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅將成長(cháng)5%，移動(dòng)通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)的重要動(dòng)能。預估2011年移動(dòng)通訊用產(chǎn)品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著(zhù)智能手機等移動(dòng)通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。
- 關(guān)鍵字： SAMSUNG DRAM NAND
第九代 v-nand介紹
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