全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充
受惠于下游應用市場(chǎng)的強勁需求,碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長(cháng)期。據TrendForce集邦咨詢(xún)預期,至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規??赏_53.3億美元,其主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202403/456452.htm近期,備受關(guān)注的碳化硅市場(chǎng)又有了新動(dòng)態(tài),涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。
三菱電機SiC工廠(chǎng)預計4月開(kāi)建
據日經(jīng)新聞近日報道,三菱電機將于今年4月,在日本熊本縣開(kāi)工建設新的8英寸SiC工廠(chǎng),并計劃于2026年4月投入運營(yíng)。
2023年3月,三菱電機宣布,計劃在5年內投資約1000億日元(折合人民幣約48.56億元)建設一個(gè)8英寸SiC工廠(chǎng),并加強相關(guān)生產(chǎn)設施。該廠(chǎng)房計劃于2026年4月投入運營(yíng)。
據了解,該新工廠(chǎng)共有六層,總建筑面積約4.2萬(wàn)平方米,將主要負責8英寸SiC晶圓的前端工藝。三菱電機將在全工序段引入自動(dòng)輸送系統,打造生產(chǎn)效率高的生產(chǎn)線(xiàn),并計劃逐步提高產(chǎn)能,目標在2026財年將SiC產(chǎn)能提升5倍(與2022財年相比)。
2023年5月,三菱電機與Coherent簽署了一份諒解備忘錄,Coherent將為三菱電機新工廠(chǎng)供應8英寸n型4HSiC襯底,雙方共同致力于擴大8英寸SiC器件的生產(chǎn)規模。
芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產(chǎn)能爬坡
近日,據芯粵能晶圓廠(chǎng)廠(chǎng)長(cháng)邵永華介紹,目前整個(gè)工廠(chǎng)正在擴產(chǎn)爬坡,預計今年年底實(shí)現年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸車(chē)規級SiC芯片的規劃產(chǎn)能。預留的8英寸產(chǎn)線(xiàn)就在6英寸產(chǎn)線(xiàn)隔壁,建成后將具備年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸車(chē)規級SiC芯片的能力。
據此前消息,芯粵能碳化硅(SiC)芯片制造項目是廣東“強芯工程”重大項目,總投資額為75億元,占地150畝,一期投資35億元,建成年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)線(xiàn),二期建設年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸SiC芯片的生產(chǎn)線(xiàn),產(chǎn)品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件,主要應用于新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
2022年11月,該項目無(wú)塵車(chē)間正式啟用,目前已經(jīng)實(shí)現月產(chǎn)1萬(wàn)片產(chǎn)能,車(chē)規級和工控級芯片成功流片并送樣,即將完成車(chē)規認證。截至目前,芯粵能已與40多家客戶(hù)簽約流片,覆蓋全國大部分SiC芯片設計企業(yè)。
美爾森加碼SiC襯底項目
3月12日,歐洲石墨材料和碳化硅襯底供應商美爾森宣布,公司獲得法國政府投資,將用于SiC襯底項目的產(chǎn)能擴充。該筆補貼金額或將超過(guò)1200萬(wàn)歐元(約合人民幣0.94億),來(lái)自于“法國2023計劃”——微電子和通信技術(shù)歐洲重要聯(lián)合利益項目。
美爾森表示,他們計劃借此推進(jìn)p-SiC襯底的研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)階段,p-SiC是一種低電阻率多晶SiC襯底,可以與單晶SiC有源層相結合,有助于SiC器件廠(chǎng)商提高產(chǎn)量和晶體管性能。
美爾森預計,在2023至2025年將投資8500萬(wàn)歐元(約合人民幣6.7億),雇傭80至100名員工,推動(dòng)法國熱訥維耶工廠(chǎng)的產(chǎn)能建設,并在2027年之前達到40萬(wàn)片襯底(150mm)的潛在制造能力。
此外,美爾森將為Soitec公司供應碳化硅襯底。2021年11月,美爾森與Soitec達成戰略合作伙伴關(guān)系,憑借各自在基板和材料方面的經(jīng)驗,雙方聯(lián)合開(kāi)發(fā)的極低電阻率多晶SiC襯底將用于Soitec Smart SiC?技術(shù)設計的SiC電力電子元件。
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