碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區

從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

碳化硅（SiC）具有高擊穿場(chǎng)強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可很好地滿(mǎn)足新能源汽車(chē)與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來(lái)五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優(yōu)勢資源重點(diǎn)發(fā)展。
關(guān)鍵字： ?202310 碳化硅 SiC 襯底 8英寸擴產(chǎn)

中國香港地區將建首個(gè)具規模的半導體晶圓廠(chǎng)

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心。大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片碳化硅晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元，并創(chuàng )造超過(guò)700個(gè)本地和
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圖騰柱無(wú)橋PFC與SiC相結合，共同提高電源密度和效率

效率和尺寸是電源設計的兩個(gè)主要考慮因素，而功率因數校正 (PFC)也在變得越來(lái)越重要。為了減少無(wú)功功率引起的電力線(xiàn)諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時(shí)對交流電源基礎設施的影響，需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰性。本文介紹了如何通過(guò)修改傳統 PFC 拓撲結構來(lái)更好地實(shí)現這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個(gè)整流器二極管和一個(gè)升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無(wú)橋拓撲結構還有一種提高
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采用SiC提高住宅太陽(yáng)能系統性能

預計在未來(lái)五年，住宅太陽(yáng)能系統的數量將大幅增長(cháng)。太陽(yáng)能系統能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動(dòng)汽車(chē)充電，甚至將多余的電力輸送至電網(wǎng)。有了太陽(yáng)能系統，即使發(fā)生電網(wǎng)故障，也不用擔心。本篇博客介紹了住宅太陽(yáng)能系統的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來(lái)提高太陽(yáng)能系統的效率、可靠性和成本優(yōu)勢。住宅太陽(yáng)能逆變器系統概述住宅太陽(yáng)能逆變器系統中包括了產(chǎn)生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉換器使用“最大功率點(diǎn)跟蹤”(MPPT) 方法（根據陽(yáng)光的強度和方向優(yōu)化能量采集），將可
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杰平方半導體宣布啟動(dòng)香港首間碳化硅（SiC）先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)項目

由創(chuàng )新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企業(yè)辦公室共同推動(dòng)，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區政府創(chuàng )新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng )科發(fā)展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導體芯片，促進(jìn)香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導體進(jìn)出口市場(chǎng)之一，香港更是位處大
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新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過(guò)3,500種LTspice模型

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)提供超過(guò)3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型，這些模型從各產(chǎn)品頁(yè)面均可下載。目前，羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對應的LTspice?模型覆蓋率
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基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案

L4986簡(jiǎn)介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專(zhuān)有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng )新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓?jiǎn)?dòng)功能，無(wú)需使用傳統的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊?。 ST 提供兩個(gè)版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡(jiǎn)介：Double-boost 是無(wú)橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著(zhù)提
關(guān)鍵字： ST SIC 第三代半導體 CCM PFC 4986 電動(dòng)工具割草機雙boost double boost 無(wú)橋PFC

Denso和三菱電機10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務(wù)

Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司。據外媒，日本電裝株式會(huì )社(Denso)和三菱電機宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導體材料、網(wǎng)絡(luò )及激光供應商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權（兩家日企合計取得25%股權）。據悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來(lái)設立的SiC業(yè)務(wù)子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
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一文讀懂碳化硅設計中的熱管理

隨著(zhù)我們尋求更強大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來(lái)越流行，特別是在一些具有挑戰性的應用領(lǐng)域，如汽車(chē)驅動(dòng)系統、直流快速充電、儲能電站、不間斷電源和太陽(yáng)能發(fā)電。這些應用有一點(diǎn)非常相似，它們都需要逆變器（圖 1）。它們還需要緊湊且高能效的輕量級解決方案。就汽車(chē)而言，輕量化是為了增加續航里程，而在太陽(yáng)能應用中，這是為了限制太陽(yáng)能設備在屋頂上的重量。圖 1.典型的 EV 動(dòng)力總成，其中顯示了逆變器半導體損耗決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導體器件（IGBT /
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保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來(lái)說(shuō)是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽(yáng)
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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來(lái)說(shuō)是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽(yáng)
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意法半導體為博格華納提供SiC，“上車(chē)”沃爾沃？

近日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來(lái)多款純電動(dòng)汽車(chē)設計電驅逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導體和博格華納技術(shù)團隊密切合作，力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開(kāi)關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅架構尺寸并提升經(jīng)濟效益。意法半導體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車(chē)輛性能
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國內8英寸碳化硅加速布局！

近期，三安半導體發(fā)布消息稱(chēng)，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會(huì )上有多家重要客戶(hù)在詳細詢(xún)問(wèn)三安半導體產(chǎn)品參數后，表示已經(jīng)確認采購意向。圖：三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造及服務(wù)，目前建立具有自主知識產(chǎn)權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導體是三安
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基于STM32G474RBT6 MCU的數字控制3KW通信電源方案

STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。電路設計包括前端無(wú)橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時(shí)，測量峰值效率為96.3%
關(guān)鍵字： ST 第三代半導體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無(wú)橋PFC 全橋LLC 數字電源

意法半導體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設計

●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車(chē)在2030年前全面實(shí)現電動(dòng)化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現有和未來(lái)的多款純電動(dòng)汽車(chē)設計電驅逆變器平臺服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)將與提供創(chuàng )新和可持續移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專(zhuān)有的基于 Viper 功率模塊
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