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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
Diodes Incorporated 目標電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)品應用推出高電流 TOLL MOSFETs
- Diodes 公司為金屬氧化物半導體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET) 近日推出節省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應用的最佳選擇，像是能量熱回
- 關(guān)鍵字： MOSFET
意法半導體端口保護IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制
- 意法半導體TCPP03-M20 USB Type-C端口保護 IC為雙角色輸電(DRP)應用量身定制，針對能給相連設備充電又能接受其他 USB-C電源的雙向充放電產(chǎn)品，可以簡(jiǎn)化其設計。作為有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模塊的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片，TCPP03-M20讓設計者以經(jīng)濟劃算的方式進(jìn)行USB Type-C 接口硬件分區，實(shí)現以 STM32 為主微控制器的雙芯片解決方案，從而節省
- 關(guān)鍵字： MOSFET STM32
SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導體產(chǎn)業(yè)
- 功率器件作為半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類(lèi)以及應用場(chǎng)景。例如，傳統的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過(guò)數十年的發(fā)展，占據了絕對領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。不過(guò)，隨著(zhù)新能源汽車(chē)、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開(kāi)關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續關(guān)注。如今，在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續降低的情況下，老牌大廠(chǎng)與初創(chuàng )企業(yè)紛紛加碼第三代半導體，SiC和GaN功率器件開(kāi)始投入批量應用，并迎來(lái)了關(guān)鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列
- 基礎半導體元器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實(shí)現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
- 關(guān)鍵字： Nexperia 碳化硅 SiC 二極管
提高遲滯，實(shí)現平穩的欠壓和過(guò)壓閉鎖
- 電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平，且低壓電路不會(huì )出現過(guò)載或損壞。在功率路徑控制電路中，電阻分壓器有助于設置電源欠壓和過(guò)壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗證電路常見(jiàn)于汽車(chē)系統、便攜式電池供電儀器儀表以及數據處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統在異常低的電源電壓下工作，避免導致系統故障。例如，當電源電壓低于規格要求時(shí)，數字系統可能性能不穩定，甚至死機。當電源為可充電電池時(shí)，欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過(guò)壓閉鎖(OVLO)可保護系統免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過(guò)壓閾
- 關(guān)鍵字： MOSFET
基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉換器演示板，讓設計師實(shí)現用于輕度混合動(dòng)力汽車(chē)的更高效、更小、更快的雙向轉換器
- EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉換器，可提供2 kW的功率和實(shí)現96.5%的效率，是適用于輕度混合動(dòng)力汽車(chē)和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9163，這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉換器演示板，可在非常小的占板面積上實(shí)現 96.5%的效率。該演示板的設計具有可擴展性 - 并聯(lián)兩個(gè)轉換器可以實(shí)現4 kW的功率，或者并聯(lián)三個(gè)轉換器以實(shí)現6 kW。該板采用8個(gè)100 V 的eGaN?FET（EPC2218），并由模塊控制，該模塊采用Mic
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Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導體供應商UnitedSiC公司
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領(lǐng)先供應商Qorvo?,Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導體供應商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長(cháng)的電動(dòng)汽車(chē)（EV）、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源市場(chǎng)的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎設施和國防產(chǎn)品（IDP）業(yè)務(wù)之一，將由Chris Dries博士領(lǐng)導，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執行官，現任Qorv
- 關(guān)鍵字： SiC 電源
添加靈活的限流功能
- 問(wèn)題：我可以根據負載輕松而精確地進(jìn)行限流嗎？答案：可以使用限流IC進(jìn)行限流。在一些電源管理應用中，需要精確地限制電流。無(wú)論是要保護電源（例如，中間電路電壓需要過(guò)載保護以便能夠可靠地為其他系統部件提供電能），還是在故障情況下保護可能由于過(guò)流而造成損壞的負載，都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點(diǎn)穩壓器來(lái)滿(mǎn)足此要求時(shí)，我們發(fā)現市面上具有可調限流功能的電壓轉換器很少見(jiàn)?？烧{限流功能在采用外部電源開(kāi)關(guān)的控制器設計中更加常見(jiàn)，而所有的集成解決方案很少提供此類(lèi)功能。而且，可調限流功能的精度通常不是很高。以
- 關(guān)鍵字： MOSFET
使用無(wú)損耗過(guò)零點(diǎn)檢測功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應用中的AC輸入開(kāi)關(guān)效率和可靠性
- 在越來(lái)越多的應用中，對導通和關(guān)斷AC輸入電源的器件的性能進(jìn)行優(yōu)化是一個(gè)重要考慮因素，這些應用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的家電、智能開(kāi)關(guān)和插頭、調光器和人體感應傳感器，特別適用于采用繼電器或可控硅進(jìn)行功率控制的設計。當AC電源異步導通或關(guān)斷而不考慮其所處的電壓時(shí)，效率和可靠性會(huì )受到不利影響，必須添加電路以保護開(kāi)關(guān)免受高瞬態(tài)電流的影響。當AC電源異步導通時(shí)，浪涌電流可能超過(guò)100A。反復暴露于高浪涌電流會(huì )對繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產(chǎn)生負面影響。電觸點(diǎn)的預期壽命因浪涌電流需求
- 關(guān)鍵字： MOSFET
在單個(gè)封裝中提供完整的有源功率因數校正解決方案
- 源設計者如今面臨兩個(gè)主要問(wèn)題：消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數盡可能地接近于1。有害的諧波電流會(huì )導致傳輸設備過(guò)熱，并帶來(lái)后續必須解決的干擾難題；這兩者也會(huì )對電路的尺寸和/或效率產(chǎn)生不利影響。如果施加在線(xiàn)路上的負載不是純電阻性的，輸入電壓和電流波形之間將產(chǎn)生相移，從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線(xiàn)性負載使輸入電流波形失真，則會(huì )引起電流諧波，從而進(jìn)一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網(wǎng)。如果要解決這些問(wèn)題，需要了解功率變換的基本原理。電源當中通常將來(lái)自墻上插座的交流電壓連接至整流電路，整流管將交流電壓
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利用氮化鎵芯片組實(shí)現高效率、超緊湊的反激式電源
- 目前市面上出現了一個(gè)新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開(kāi)關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng )新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來(lái)自Power Integrations，包含內部集成PowiGaN?開(kāi)關(guān)的InnoSwitch?4-CZ零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
- 關(guān)鍵字： MOSFET
如何選擇合適的電路保護
- 問(wèn)題：有什么有源電路保護方案可以取代TVS二極管和保險絲？答案：可以試試浪涌抑制器。摘要所有行業(yè)的制造商都在不斷推動(dòng)提升高端性能，同時(shí)試圖在此類(lèi)創(chuàng )新與成熟可靠的解決方案之間達成平衡。設計人員面臨著(zhù)平衡設計復雜性、可靠性和成本這一困難任務(wù)。以一個(gè)電子保護子系統為例，受其特性限制，無(wú)法進(jìn)行創(chuàng )新。這些系統保護敏感且成本高昂的下游電子器件（FPGA、ASIC和微處理器），這些器件都要求保證零故障。許多傳統的可靠保護解決方案（例如二極管、保險絲和TVS器件）能夠保持待保護狀態(tài)，但它們通常低效、體積龐大且需要維護。為
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恩智浦利用信號質(zhì)量提升技術(shù)解決CAN FD帶寬限制難題
- 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信號質(zhì)量提升（SIC）技術(shù)已用于TJA146x收發(fā)器系列中，并已經(jīng)成功應用到長(cháng)安汽車(chē)最新的平臺中。恩智浦的CAN SIC技術(shù)有效提升了CAN信號質(zhì)量，使CAN FD網(wǎng)絡(luò )能夠在更大型復雜網(wǎng)絡(luò )中運行，實(shí)現更快的數據傳輸速率。這項經(jīng)濟高效的技術(shù)能夠擴展CAN FD的潛力和靈活性，從而應對下一代汽車(chē)的網(wǎng)絡(luò )挑戰。中國汽車(chē)制造商長(cháng)安汽車(chē)是第一家在生產(chǎn)中采用恩智浦的CAN SIC技術(shù)的汽車(chē)客戶(hù)?！? ?長(cháng)安汽車(chē)成為第一家采
- 關(guān)鍵字： OEM SiC
碳化硅在新能源汽車(chē)中的應用現狀與導入路徑
- 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可以很好地滿(mǎn)足新能源汽車(chē)電動(dòng)化發(fā)展趨勢，引領(lǐng)和加速了汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程，對新能源汽車(chē)發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車(chē)正處于市場(chǎng)導入期到產(chǎn)業(yè)成長(cháng)期過(guò)渡的關(guān)鍵階段，汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量、保有量連續6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng )新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 新能源汽車(chē) 功率半導體 202110 MOSFET SiC
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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