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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
東芝支持功能安全的車(chē)載無(wú)刷電機預驅IC的樣品出貨即將開(kāi)始
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，已開(kāi)始供應“TB9083FTG”的測試樣品，這是一種面向汽車(chē)應用的預驅IC（其中包括電動(dòng)轉向助力系統和電氣制動(dòng)器使用的無(wú)刷電機）。東芝將在2022年1月提供最終樣品，并將在2022年12月開(kāi)始量產(chǎn)。TB9083FTG是一種3相預驅IC，能夠控制和驅動(dòng)用于驅動(dòng)3相直流無(wú)刷電機的外置N溝道功率MOSFET。該產(chǎn)品支持ASIL-D[1]功能安全規范[2]且符合ISO 26262標準第二版的要求，適用于高安全級別的汽車(chē)系統。這種新型IC內置三通道預驅?zhuān)糜诳刂坪?/li>
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩壓器被《21IC中國電子網(wǎng)》評為2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎獲獎產(chǎn)品。這款穩壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝，以其高達40 A的額定輸出電流，優(yōu)于前代穩壓器的功率密度和瞬變響應能力受到表彰。Top 10電源產(chǎn)品獎已連續舉辦十九屆，成為業(yè)內創(chuàng )新電源產(chǎn)品的標志性獎項。獲獎產(chǎn)品由工程師投票，經(jīng)21IC編委會(huì )綜合技術(shù)創(chuàng )新、能效、應用開(kāi)
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雙脈沖測試基礎系列：基本原理和應用
- 編者按雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎實(shí)驗方法，貫穿器件的研發(fā)，應用和驅動(dòng)保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統設計中從容的調試驅動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過(guò)程，驗證短路保護。雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用，對電壓電流探頭要求和影響測試結果的因素等。為什么要進(jìn)行雙脈沖測試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者M(jìn)OSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實(shí)驗的，而是直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率。這樣的測試確實(shí)很必要，但是往往這樣看不出具體的開(kāi)關(guān)損耗，電壓或者電流的尖峰情況，以及
- 關(guān)鍵字： MOSFET
基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調光LED照明降壓方案
- 本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續導通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應用是LED照明系統、模擬/PWM可調光LED驅動(dòng)器，模擬調光范圍寬，從1%到100%。安森美專(zhuān)有的LED電流計算技術(shù)和內部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移，在整個(gè)模擬調光范圍內進(jìn)行精確的穩流，穩流精度在滿(mǎn)載時(shí)<±2%，在1%的負載時(shí)<±20%。卓越的調光特性可根據負載情況在CCM (N
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Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開(kāi)關(guān)損耗
- 隨著(zhù)對電動(dòng)公共汽車(chē)和其他電氣化重型運輸車(chē)輛的需求增加，以滿(mǎn)足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類(lèi)運輸系統提供更高效率。為了進(jìn)一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數字柵極驅動(dòng)器，為系統開(kāi)發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實(shí)現安全、可靠的運輸并滿(mǎn)足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數字柵極驅動(dòng)器，可降低50%開(kāi)關(guān)損耗對于碳化硅電源轉換設備的設計人員來(lái)說(shuō)，Microchip的Agi
- 關(guān)鍵字： Microchip 碳化硅 MOSFET
雙極結型晶體管——MOSFET的挑戰者
- 0? ?引言數字開(kāi)關(guān)通常使用MOSFET 來(lái)創(chuàng )建，但是對于低飽和電壓的開(kāi)關(guān)模型，雙極結型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優(yōu)勢（圖1）。圖1 雙極結型晶體管可為移動(dòng)設備提供更長(cháng)的使用壽命 圖源：IB Photography/Shutterstock在負載開(kāi)關(guān)應用中，晶體管需要精確地放大基極電流，使輸出電壓接近零，以便僅測量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項用途，因為它們不需要任何底層控制器作為電壓控制組件。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 202109
使用無(wú)刷直流電機加速設計周期的3種方法
- 全球都在致力降低功耗，且勢頭愈來(lái)愈烈。許多國家/地區都要求家用電器（如圖 1 所示）滿(mǎn)足相關(guān)組織（如中國標準化研究院 (CNIS)、美國能源之星和德國藍天使）制定的效率標準。為了滿(mǎn)足這些標準，越來(lái)越多的系統設計人員在設計中放棄了簡(jiǎn)單且易用的單相交流感應電機，轉而采用更節能的低壓無(wú)刷直流 (BLDC) 電機。為了實(shí)現更長(cháng)的使用壽命和更低的運行噪音，掃地機器人等小型家電的設計人員也轉而在他們的許多系統中使用更先進(jìn)的 BLDC 電機。同時(shí)，永磁技術(shù)的進(jìn)步正不斷簡(jiǎn)化 BLDC 電機的制造，在提供相同扭矩（負載）的
- 關(guān)鍵字： MOSFET BLDC
面向工業(yè)環(huán)境的大功率無(wú)線(xiàn)電力傳輸技術(shù)
- 1.?? 簡(jiǎn)介隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)電力傳輸技術(shù)在消費類(lèi)電子產(chǎn)品中的日益普及，工業(yè)和醫療行業(yè)也把關(guān)注焦點(diǎn)轉移至這項技術(shù)及其固有優(yōu)勢。在如 WLAN 和藍牙（Bluetooth）等各項無(wú)線(xiàn)技術(shù)的推動(dòng)下，通信接口日益向無(wú)線(xiàn)化發(fā)展，無(wú)線(xiàn)電力傳輸技術(shù)也成為一種相應的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來(lái)明顯的技術(shù)優(yōu)勢，還能為新的工業(yè)設計開(kāi)辟更多可能性。這項技術(shù)提供了許多新的概念，特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴重污染和高機械應力等惡劣環(huán)境的工業(yè)領(lǐng)域，例如 ATEX、醫藥、建筑機械等。比如，它可以替代昂貴且易損
- 關(guān)鍵字： MOSFET
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
- 開(kāi)篇前言關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒仿真無(wú)法替代實(shí)驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動(dòng)電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
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意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應鏈
- 近年隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場(chǎng)需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開(kāi)發(fā)驅使SiC爭奪戰正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 Norstel AB 碳化硅 SiC
功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調在實(shí)際應用中出現大量外機不工作，經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經(jīng)過(guò)對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關(guān)波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數檢測對比發(fā)現IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關(guān)鍵字： 主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應 ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )
- 全球知名半導體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會(huì )展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )(展位號:11號館B39),屆時(shí)將展示面向工業(yè)設備和汽車(chē)領(lǐng)域的、以世界先進(jìn)的SiC(碳化硅)元器件為核心的產(chǎn)品及電源解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現場(chǎng)舉辦的“SiC/GaN功率器件技術(shù)與應用分析大會(huì )”以及“電動(dòng)交通論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的SiC為核心的功率元器件技術(shù),以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和
- 關(guān)鍵字： MOSFET
了解熱阻在系統層級的影響
- 在電阻方面，電流流動(dòng)的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時(shí)遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個(gè)熱阻，可以用這些數字來(lái)計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導體接面是產(chǎn)生熱的來(lái)源，允許接面超過(guò)其最大操作溫度將導致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術(shù)來(lái)設計保護措施，以避免發(fā)生過(guò)熱關(guān)機等情況，但不可避免的是仍會(huì )造成損壞。一個(gè)更好的解決方案，就是在設計上選擇抑制 (或至少限制) 會(huì )造成接面溫度超過(guò)其操作最大值的情況。由于無(wú)法直接強制冷卻接面溫度，透過(guò)傳導來(lái)進(jìn)行散熱是確保不會(huì )超過(guò)溫度的唯一方法。工程師需要在這
- 關(guān)鍵字： MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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